转置微元件的方法
【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种转置方法，且特别是有关于一种转置微元件的方法。
【背景技术】
[0002]转置微元件技术已使用在新兴的电子装置工艺中。以光学触控感测面板为例，在其工艺中，先将多个微发光二极管从生长基板上转置到触控基板;然后，再于载有微发光二极管的触控基板上制作多个感光结构，进而完成超薄的光学触控感测面板。
[0003]—般而言，为提高生长基板的使用效率，微发光二极管会以较密的方式排列在生长基板上。微发光二极管在生长基板上的排列密度往往超过微发光二极管在光学触控感测面板中的排列密度。因此，在现有技术中，需提供具有多个凸起部的弹性转置头，所述多个凸起部的排列方式与微发光二极管在触控基板上的指定排列方式相同。然后，再利用弹性转置头的多个凸起部黏附生长基板上的部份微发光二极管，以从生长基板的发光二极管阵列中提取所需的微发光二极管，而留下不需的微发光二极管。然而，在多个凸起部黏附发光二极管阵列的部份微发光二极管时，弹性转置头的多个凸起部需与欲提取的多个微发光二极管对位，方可从微发光二极管阵列中提取正确的微发光二极管。此对位的动作费工费时，而使转置微元件的速度不易提升。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种转置微元件的方法，其转置速度快。
[0005]本发明的转置微元件的方法包括下列步骤:提供承载单元，承载单元包括承载基板、配置于承载基板上的多个电极以及覆盖所述多个电极的介电层;提供多个微元件，所述多个微元件配置于承载单元的介电层上，其中每一个微元件与一个电极对应设置，且所述多个微元件包括第一微元件以及第二微元件;施加电压至与第一微元件对应的一个电极，以使承载单元对第一微元件的静电吸引力Fl大于承载单元对第二微元件的静电吸引力F2;提供具有平坦转置面的弹性转置头;令弹性转置头的平坦转置面与第一微元件以及第二微元件接触，其中当平坦转置面与第一微元件以及第二微元件接触时，平坦转置面的面积超过微元件的分布范围；在弹性转置头与第一微元件以及第二微元件接触且F1>F2的情况下，移动弹性转置头，以使弹性转置头提取第二微元件而将第一微元件留在承载单元上；以及利用弹性转置头将第二微元件置于接收单元上。
[0006]在本发明的一实施例中，在弹性转置头与第一微元件以及第二微元件接触且Fl>F2的情况下，移动弹性转置头，以使弹性转置头提取第二微元件而将第一微元件留在承载单元上的步骤为:在弹性转置头与第一微元件以及第二微元件接触且F1>F2的情况下，令弹性转置头朝着远离承载单元的方向移动，以使弹性转置头对第一微元件及第二微元件施加作用力？3，其中？2$3〈？1，且静电吸引力？1的方向以及静电吸引力？2的方向与作用力？3的方向相反。
[0007]在本发明的一实施例中，上述的接收单元包括接收基底以及配置于接收基板上的接收层，而利用弹性转置头将第二微元件置于接收单元上的步骤包括:令弹性转置头将第二微元件携带至接收层上，以接合第二微元件与接收层；以及在第二微元件与接收层接合后，令弹性转置头朝着远离接收单元的方向移动，以使弹性转置头与第二微元件分离。
[0008]在本发明的一实施例中，上述的第二微元件与接收层之间的接合力为F4。弹性转置头朝着远离接收单元的方向移动时，弹性转置头对第二微元件施加作用力？5上4汗5，且接合力F4的方向与作用力F5的方向相反。
[0009]在本发明的一实施例中，上述的接收层为光刻胶层，而接合第二微元件与接收层的步骤包括:在光刻胶层未固化前，令第二微元件与光刻胶层接触；以及在第二微元件与光刻胶层接触的情况下，固化光刻胶层。
[0010]在本发明的一实施例中，上述的接收层为第一金属层，第二微元件具有第二金属层，而接合第二微元件与接收层的步骤包括:加热接收单元，以使接收单元的第一金属层呈液态;令第二微元件的第二金属层与液态的第一金属层接触；以及在第二微元件的第二金属层与液态的第一金属层接触的情况下，降低第一金属层的温度，以使第一金属层与第二金属层形成合金。
[0011]在本发明的一实施例中，上述的弹性转置头的材料为聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)。
[0012]在本发明的一实施例中，上述的微元件为微发光二极管。
[0013]基于上述，在本发明一实施例的转置微元件方法中，通过『施加电压至与第一微元件对应的电极，以使承载单元对第一微元件的静电吸引力Fl大于承载单元对第二微元件的静电吸引力F2』的技术手段，弹性转置头的平坦转置面可同时接触所有微元件，进而提取所需的第二微元件，且不误取不需的第一微元件。换言之，不需像现有技术般，令弹性转置头的多个凸起部与欲取的多个微元件对位，方可提取正确的微元件。因此，本发明一实施例的转置微元件的方法可减少至少一次的对位步骤，从而提高转置微元件的速度。
[0014]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
【附图说明】
[0015]图1为本发明一实施例的转置微元件方法的流程图。
[0016]图2A至图2G为本发明一实施例的转置微元件方法的剖面示意图。
[0017]图3为本发明一实施例的微元件的放大示意图。
[0018]图4为图2B的承载单元100、配置于承载单元100上的所有微元件200A、200B以及弹性转置头300的平坦转置面300a的上视示意图。
[0019]图5A至图5G为本发明另一实施例的转置微元件方法的剖面示意图。
[0020]图6为图5B的承载单元100、配置于承载单元100上的所有微元件200A’、200B’以及弹性转置头300的平坦转置面300a的上视示意图。
[0021]100:承载单元
[0022]110:承载基板
[0023]120A、120B:电极
[0024]130:介电层
[0025]200A、200B、200A，、200B，:微元件
[0026]210:电极
[0027]220:金属层
[0028]300:弹性转置头
[0029]300a:平坦转置面
[0030]400:接收单元
[0031]410:接收基底
[0032]420、420，:接收层
[0033]C:曲线
[0034]F1、F2:静电吸引力
[0035]F3、Fr、F5:作用力
[0036]Rl:面积
[0037]R2:分布范围
[0038]SlOO ?S700:步骤
[0039]y、y，:方向
【具体实施方式】
[0040]图1为本发明一实施例的转置微元件方法的流程图。请参照图1，转置微元件的方法，包括下列步骤:提供承载单元，承载单元包括承载基板、配置于承载基板上的多个电极以及覆盖所述多个电极的介电层(步骤S100);提供多个微元件，所述多个微元件配置于承载单元的介电层上，其中每一个微元件与一个电极对应设置，且所述多个微元件包括第一微元件以及第二微元件(步骤S200);施加电压至与第一微元件对应的一个电极，以使承载单元对第一微元件的静电吸引力Fl大于承载单元对第二微元件的静电吸引力F2(步骤S300);提供弹性转置头，弹性转置头具有平坦转置面(步骤S400);令弹性转置头的平坦转置面与第一微元件以及第二微元件接触，其中当平坦转置面与第一微元件以及第二微元件接触时，平坦转置面的面积超过所述多个微元件的分布范围(步骤S500);在弹性转置头与第一微元件以及第二微元件接触且F1>F2的情况下，移动弹性转置头，以使弹性转置头提取第二微元件而将第一微元件留在承载单元上(步骤S600);以及利用弹性转置头将第二微元件置于接收单元上(步骤S700)。
[0041 ] 值得注意的是，上述步骤3100?3700的顺序并不以依序进行3100、3200、3300、S400、S500、S600、S700为限。步骤SlOO?S700的顺序也可以做适当的更动。举例而言，可依序进行步骤3100、5200、5400、5300、5500、5600、5700;可依序进行步骤5100、5200、5400、S500、S300、S600、S700 ；可依序进行步骤 S400、SlOO、S200、S300、S500、S600、S700;或者，可依序进行步骤S400、SlOO、S200、S500、S300、S600、S700。以下将搭配图2A至图2G，具体说明本发明一实施例的转置微元件的方法。
[0042]图2A至图2G为本发明一实