非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体，具体地涉及用于抑制外部磁场对非易失性磁存储元件的影响的非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体。
【背景技术】
[0002]作为利用了磁性体的存储器的 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory:磁阻式随机存取存储器)由于是没有来自外部的电力供给就能够保持存储的非易失性存储器，所以是无需待机电力、具有无限的改写耐性和/或高速性且期待低功耗、大容量化的存储器。
[0003]但是，由于MRAM的基本元件在磁性体的自发磁化的方向存储信息，所以若照射MRAM元件的反相磁场强度即10?50[0e]左右的外部磁场，则存储信息有可能消失或者被改写。
[0004]通常，MRAM元件的安装是在电子设备内部的基板上。并且，在基板上，除了 MRAM元件之外，还紧密地安装有半导体元件、通信用元件、超小型马达等。另外，在电子设备内部也安装有电源和/或天线元件等。因此，由于在MRAM元件的周围存在100?300 [Oe]左右的比较低频的磁场，所以为了 MRAM实用化，需要磁场遮断屏蔽。
[0005]以往，提出了具备磁场遮断屏蔽的磁非易失性存储元件(或非易失性磁存储元件)(专利文献I?4)。
[0006]将专利文献I中记载的磁非易失性存储元件的构造示于图13。在图13中，在磁屏蔽封装体10内，MRAM元件11通过线12与引线框13连接，MRAM元件11的周围由包含软磁性材料的密封树脂14密封。该磁屏蔽封装体1a通过从引线框13延伸的引线13a与基板20连接。
[0007]将专利文献2中记载的磁非易失性存储元件的构造示于图14。
[0008]磁非易失性存储元件11通过线12与引线框13连接。并且，MRAM元件11的周围全体被磁连续的磁屏蔽部件14包围，以磁密闭状态配置，所述磁屏蔽部件14通过将使用包含软磁性金属或软磁性合金的软磁性材料而形成的成形体彼此粘接而成。该磁屏蔽构造是以导磁率低的材料(空气)覆盖MRAM芯片、以导磁率高的软磁性体材料覆盖其外周的构造。在该情况下，由于静磁场、低频磁场通过导磁率高的软磁性材料，处于MRAM芯片与软磁性材料之间的导磁率低的材料阻碍磁通进入MRAM侧，所以对MRAM芯片可获得更高的屏蔽效果。
[0009]专利文献3中公开的磁性体装置其制造容易且目的在于提供磁屏蔽性能的提尚，该磁性体装置具备磁性体元件和具有开口部的磁屏蔽件，所述磁屏蔽件具备在屏蔽区域相互重叠的上部及下部和将所述上部与所述下部之间物理地连接的侧部，所述磁性体元件不从所述屏蔽区域伸出而配置于所述上部与所述下部之间。
[0010]在专利文献4中，公开了具备用于抑制外部磁场的影响的磁屏蔽构造的磁非易失性存储元件(MRAM元件)。该MRAM元件通过在元件表面具有使用软磁性金属形成而抑制磁通向元件内部的侵入的磁屏蔽层，来抑制磁通向元件内部的侵入。此外，记载了:通过在磁屏蔽层的形成中使用软磁性金属，与使用了铁氧体等软磁性金属氧化物的情况相比可得到高导磁率的磁屏蔽层。
[0011]另外，在图13、14中，参考标号与专利文献1、专利文献2表示为相同。
[0012]【专利文献I】日本专利第3879566号公报
[0013]【专利文献2】日本专利第3879576号公报
[0014]【专利文献3】国际公开第2011/111789号
[0015]【专利文献4】日本特开2004-047656号公报
[0016]另外，在专利文献I记载的磁屏蔽构造中，磁性体与MRAM芯片接触，虽然认为对高频磁场有效果，但是由于对于静磁场、低频磁场使磁通集中在磁性体区域，所以存在增加到达MRAM的磁场的危险性。
[0017]专利文献2记载的磁屏蔽构造由于使用包含坡莫合金等导磁率高的金属、合金的软磁性材料作为屏蔽材料，所以与使用含有磁性体填料的树脂和/或铁氧体等绝缘性软磁性材料的情况相比，能够期待大的磁屏蔽效果。在该构造中，期望基于软磁性金属材料实现的MRAM芯片的全方位屏蔽，但是为了以金属包围，需要考虑布线的引出方法。
【发明内容】
[0018]本发明的目的在于提供制作容易且具有高磁屏蔽效果的非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体及其制造方法。
[0019]本发明人进行了深入研究，结果发现通过将非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体设为下述构造，能够解决上述的问题而完成本发明:在包含软磁性材料的支撑板之上隔着第I绝缘材料层配置非易失性磁存储元件，且该非易失性磁存储元件及其周边由第2绝缘材料层密封，在非易失性磁存储元件的侧面侧的第2绝缘材料层形成包围非易失性磁存储元件侧面的一部分或全部的壕沟形状的开口，在该开口内形成包含软磁性材料的导电部，在第2绝缘材料层上形成布线层。
[0020]S卩，本发明涉及以下记载的非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体。
[0021](I) 一种非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体，其抑制外部磁场对非易失性磁存储元件的影响，其特征在于，包括:
[0022]支撑板，其包含软磁性材料；
[0023]第I绝缘材料层，其形成在上述支撑板上；
[0024]非易失性磁存储元件，其与元件电路面相反侧的面附着固定在上述第I绝缘材料层上；
[0025]第2绝缘材料层，其密封上述非易失性磁存储元件及其周边；
[0026]布线层，其设置在上述第2绝缘材料层内；
[0027]软磁性体层，其包含设置在上述第2绝缘材料层内的软磁性材料；
[0028]导电部，其设置在上述第2绝缘材料层内，将上述非易失性磁存储元件的元件电路面的电极与上述布线层连接；以及
[0029]磁屏蔽部件，其包含以与上述非易失性磁存储元件侧面隔着间隔包围上述非易失性磁存储元件侧面的一部分或全部的方式按壁状配置的软磁性材料，
[0030]上述软磁性体层与上述磁屏蔽部件磁连接。
[0031](2)上述(I)所述的非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体特征在于，上述布线层具有包含导电体层和上述软磁性体层的二层层叠构造，所述导电体层包含导电性材料，上述软磁性体层包含软磁性材料。
[0032](3)上述⑴或⑵所述的非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体特征在于，上述磁屏蔽部件形成包含导电体层和软磁性体层的二层构造，所述导电体层包含导电性材料，所述软磁性体层包含软磁性材料。
[0033](4)上述(I)所述的非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体特征在于，上述软磁性体层形成在上述非易失性磁存储元件与上述布线层之间的上述第2绝缘材料层内，在与上述非易失性磁存储元件的元件电路面的电极对应的部分具有开口，在该开口配置上述导电部。
[0034](5)上述⑴?(4)的任一项所述的非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体特征在于，上述按壁状配置的软磁性材料与上述支撑板一体地设置。
[0035](6)上述(5)所述的非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体特征在于，上述支撑板在平板设置了腔，形成上述腔的周围的部件形成上述按壁状配置的软磁性材料。
[0036](7)上述(I)所述的非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体特征在于，设置在上述第2绝缘材料层内的布线层的材料是导电性的软磁性材料，该布线层兼作上述软磁性体层。
[0037]本发明的磁屏蔽封装体能够实现以下所述的效果。
[0038].由于非易失性磁存储元件由兼作布线的绝缘的导磁率比较低的绝缘树脂材料覆盖，进而将外周由高导磁率材料覆盖，在非易失性磁存储元件与高导磁率材料之间存在导磁率比较低的材料，所以可极力防止集中于高导磁率材料内的磁通到达非易失性磁存储元件。因此，可获得抑制静磁场/低频磁场进入存储元件的屏蔽效果。
[0039].由于包围非易失性磁存储元件的各软磁性材料具有通过绝缘材料而被适宜绝缘了的构造，可以使用可具有比绝缘性的软磁性材料高的导磁率的软磁性金属材料，所以可实现屏蔽效果的提高。
[0040].由于对半导体装置的刚性保持所需的支撑板使用软磁性材料而兼作下部屏蔽，上部的屏蔽与布线层同时形成或在布线层内形成，所以不增加额外的工序就能够实现低成本。
【附图说明】
[0041 ] 图1是表示实施方式I的磁屏蔽封装体的构造例的图。
[0042]图2A?图2C是表示实施方式I的磁屏蔽封装体的制造工序的一部分的图。
[0043]图3A?图3C是表示实施方式I的磁屏蔽封装体的制造工序的一部分的图。
[0044]图4是表示在大面积的支撑板12上排列附