着固定有多个MRAMll的状态的图。
[0045]图5是图3B的状态的磁屏蔽封装体的俯视图，是表示布线涂镀前的绝缘材料层的开口的位置的例子的图。
[0046]图6是图3B的状态的磁屏蔽封装体的俯视图，是表示布线涂镀前的绝缘材料层的开口的位置的其他例子的图。
[0047]图1是表示实施方式2的磁屏蔽封装体的构造例的图。
[0048]图8A?图8D是表示实施方式2的磁屏蔽封装体的制造工序的图。
[0049]图9是表示实施方式3的磁屏蔽封装体的构造例的图。
[0050]图1OA?图1OD是表示实施方式3的磁屏蔽封装体的制造工序的一部分的图。
[0051]图1lA?图1lD是表示实施方式3的磁屏蔽封装体的制造工序的一部分的图。
[0052]图12是表示实施方式4的磁屏蔽封装体的构造例的图。
[0053]图13是表示以往的磁屏蔽封装体的图。
[0054]图14是表示以往的磁屏蔽封装体的图。
[0055]符号的说明
[0056]10磁屏蔽封装体，11非易失性磁存储元件，12支撑板，13第I绝缘材料层，14、14a、14b第2绝缘材料层，15布线层，15a导电体层，15b软磁性体层，16导电部，17磁屏蔽部件，17a导电体层，17b软磁性体层，18电极，19布线保护层，21开口，22沟，25软磁性体层，25’箔，26开口，27联结部分，28切口，29腔，30连接部，31分配器，32软磁性体膏，33切割线
【具体实施方式】
[0057]以下，说明用于实施本发明的方式。另外，在以下的记载中，基于【附图说明】实施方式，但是这些附图是为了图解而提供的，本发明并不限定于这些附图所示的内容。
[0058](实施方式I)
[0059]在图1中表示实施方式I的磁屏蔽封装体的构造。
[0060]图1是本发明涉及的非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体(以下也简称为“磁屏蔽封装体”)的纵截面图。
[0061]图1中所示的磁屏蔽封装体10具备:具有电极18的非易失性磁存储元件11 ;包含软磁性材料的支撑板12 ;第I绝缘材料层13 ;第2绝缘材料层14 ;布线层15 ;导电部16 ;及磁屏蔽部件17。
[0062]非易失性磁存储元件11附着固定在形成于支撑板12上的第I绝缘材料层13上。非易失性磁存储元件11及其周边由第2绝缘材料层14密封。布线层15具有包含导电体层15a和软磁性体层15b的层叠构造，导电体层15a包含Cu等导电性高的材料，软磁性体层15b包含软磁性材料。
[0063]磁屏蔽部件17具有包含导电性高的材料的导电体层17a和软磁性体层17b的层叠构造。
[0064]软磁性材料是以顽磁力小、导磁率大为特征的材料。作为具有导电性的软磁性材料，可以例举 Fe、Co、Ni 等软磁性金属和 / 或 FeN1、FeCo、FeAl、FeS1、FeSiAl、FeSiB、CoSiB等软磁性合金。另外，作为绝缘性的软磁性材料，可以例举NiZn铁氧体、MnZn铁氧体、MgMn铁氧体、NiZnCu铁氧体、NiZnCo铁氧体等。
[0065]作为用于支撑板12的软磁性材料，可以使用市售的坡莫合金板等。支撑板12的厚度由于需要具有用于防止磁屏蔽封装体10的制造工序中的翘曲等的刚性，所以期望具有200 μ m程度以上的厚度。
[0066]作为第I绝缘材料层13，可以使用贴装薄膜(DAF)。
[0067]非易失性磁存储元件(以下也称为“MRAM”)通过使用该贴装薄膜，可以安装在支撑板12上。
[0068]形成覆盖MRAMll的侧面及上表面的第2绝缘材料层14的材料为了防止翘曲，需要具备低膨胀率、对涂镀液的药品耐性及安装时的焊料回流耐热性等。
[0069]作为这样的材料，可以使用包含扇出型(Fan-Out)封装体芯片埋入用的环氧树脂混合材料和/或真空层压用的硅混合材料的薄膜模塑材料等。
[0070]将布线层15设为导电体层15a和软磁性体层15b的二层构造的理由如下。
[0071]若从提高磁屏蔽的性能的观点看，则布线层15优选由软磁性材料构成。但是，由于坡莫合金等软磁性材料是高电阻的，所以为了减小布线层15的电阻值，设为导电体层15a和软磁性体层15b的二层构造。
[0072]图1所示的构造由于为了将布线层15设为二层构造而具体采用涂镀法，所以如后所述，在制造工序上，磁屏蔽部件17也具有包含导电性高的材料的导电体层17a和其外侧的软磁性体层17b的层叠构造。
[0073]另外，即使布线层15是高电阻值的部件，但若产品上无问题，则也能够仅由软磁性材料构成布线层15。关于将布线层15仅由软磁性材料构成的实施方式，将作为实施方式4后面描述。
[0074]<制造方法>
[0075]基于图2A?图2C及图3A?图3C，按工序顺序说明图1所示的磁屏蔽封装体的制造方法。
[0076].准备在元件电路面具有电极18的MRAMll和包含软磁性材料的支撑板12。在MRAMll的与元件电路面相反侧的面形成第I绝缘材料层13。作为第I绝缘材料层，使用贴装薄膜(图2A)。
[0077].在支撑板12的表面附着固定MRAMlU图2B)。
[0078].通过第2绝缘材料层14密封MRAMll及其周边(元件面及支撑板面)(图2C)。
[0079]?对于密封树脂14，与MRAMll的电极18的位置对齐，形成用于形成导电部(通孔部)的开口 21 (图3A)。
[0080]另外，与MRAMll的侧面隔着间隔，以包围MRAM的侧面的一部分或全部的方式形成沟22。
[0081]开口 21及沟22也可以通过激光加工形成。在该情况下，由于沟22的面积宽阔，所以用针点的加工生产性差，也可以使用基于掩模成像法等的图形转印。所谓掩模成像法，是通过使会聚前的激光穿过掩模后会聚照射而向加工对象缩小转印掩模图形的方法。另外，激光的种类从降低热影响的观点看，优选短波长激光，优选基于其的烧蚀加工。或者，沟22也可以通过安装了切割刀片和/或端铣刀的铣床等机械地形成。
[0082].在根据需要实施了通孔底的除胶渣后，通过化学镀和/或溅射等形成Cu等的种子层，在抗蚀剂图形化后，进行坡莫合金和Cu的二层涂镀而进行磁性体和导电体的埋入，形成布线层15 (15a、15b)，并且在开口 21 (通孔)内形成导电部16，在沟22内形成磁屏蔽部件 17 (17a、17b)(图 3B)。
[0083]另外，在抗蚀剂除去后，种子层通过蚀刻去除。
[0084].在布线层15上涂敷阻焊剂等而形成布线保护层19后，在布线保护层19设置开口，根据需要，为了获得良好的可焊性，对Cu层表面实施OSP(Organic SolderabilityPreservative:有机可焊性保护)处理等氧化防止处理而形成外部电极(图3C)。
[0085]虽然上述中通过涂镀进行磁性体向沟22内的埋入，但是在软磁性体层17b薄、磁屏蔽效果不充分的情况下，也可以在涂镀前通过印刷在沟22内埋入含有软磁性体微粒和热固化性树脂的软磁性体膏。
[0086]在实际的制造工序中，使用大面积的支撑板制作多个磁屏蔽封装体。
[0087]图4是表示在大面积的支撑板12上排列附着固定有多个MRAMll的状态的图。图2C表示将图4的中央部的由四边形虚线所示的部分以A-B所示的切割线切断了时的截面。
[0088]图5及图6是图3A所示的结构的俯视图，表示了沟22的形状及电极18和开口 21的位置。
[0089]另外，图5、图6表示了对于MRAMll及电极18透视的状态的情形。
[0090]图5所示的结构是使用切割刀片形成沟22的例子，沟22向封装体外伸出。
[0091]图6是通过激光加工形成沟22的例子。在激光加工的情况下，可以如图6所示以不向封装体外伸出的方式形成沟22。
[0092](实施方式2)
[0093]图7中表示实施方式2的磁屏蔽封装体的构造。
[0094]在实施方式I中，将布线层设为包含导电体层15a和软磁性体层15b的层叠构造，但是在本实施方式中，如图7所示将导电体层与软磁性体层分离，将导电体层及软磁性体层分别作为独立的层在第2绝缘材料层14内作为布线层15及软磁性体层25而设置。在该软磁性体层25，在配置有导电部16的部分设置有开口 26。
[0095]通过设为这样的构造，由于MRAM的上表面除了配置有导电部16的开口 26的部分以外，能够完全由软磁性体层覆盖，所以静