发光装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种搭载于紫外光照射装置等的发光装置与其制造方法，特别涉及一种使用LED (Light Emitting D1de)等的发光元件的发光装置。
【背景技术】
[0002]以往，采用紫外光照射装置，作为使得FPD(Flat Panel Display)周边的粘着剂使用的紫外线硬化树脂和作为单张纸胶印印刷的油墨使用的紫外线硬化型油墨硬化。
[0003]作为紫外光照射装置，以往，众所周知的是将高压水银灯和水银氙气灯等作为光源的灯管型照射装置。近年来，由于降低消耗电力、长寿命化、装置尺寸的小型化等要求，为了代替以往的放电灯管，开发了一种将LED(Light Emitting D1de)作为光源来利用的紫外光照射装置(例如，专利文献I)。
[0004]专利文献I所述的紫外光照射装置具备线状排列的多个LED模块。各LED模块由在紫外区域具有峰波长的LED芯片(一般来说，也有称为“模”和“LED”的情况)、副安装基板、框体等构成，LED芯片通过模粘合剂粘着固定于副安装基板。
[0005]模粘合剂为一种为了将LED芯片固着于基板等而使用的接合材料，一般来说，使用有机硅系的模粘合剂、环氧系的模粘合剂、金属粘着剂、银(Ag)膏等(例如，专利文献2)，但因为考虑到价格低廉，耐热性和耐湿性高，比焊料的弹性率低等因素，更多的是采用Ag环氧系、Ag聚酰亚胺系的Ag膏。然而，有人指出若通过Ag膏来固着LED等的光半导体元件，则因所谓的Ag离子迀移，可靠性会降低(例如，非专利文献I)。
[0006]如非专利文献I所述，Ag离子迀移为金属的电气化学的移动现象中的一种，为一种由于电气分解作用Ag以斑点状或者树枝状移动生长的现象。这样，若Ag离子化并生长，则最终与LED芯片的电极和接合导线接触，最坏的情况是使LED芯片的电极间(即，阳极与阴极间)短路。并且，若LED芯片的电极间短路，则LED芯片不亮，损坏。
[0007]如此，Ag离子迀移是因Ag的离子化引起的，然而特别是在发出光的LED芯片等的光半导体元件中，存在通过表面等离子激元使Ag被离子化的忧虑(例如，专利文献3)。如专利文献3所述，若对金属粒子照射光，则产生表面等离子激元，该部分的电场强度会局部性地增加，金属粒子会离子化。即，若以通过Ag膏来固着LED芯片等光半导体元件的方式构成的话，则会产生如下问题:通过来自LED芯片的光射入Ag膏，会产生表面等离子激元，Ag膏中含有的Ag会离子化。若通过Ag的离子化，而Ag以斑点状或者树枝状生长的话，最终会使LED芯片的电极间短路，LED芯片不亮，损坏。
[0008]现有技术文献
[0009]专利文献
[0010]专利文献1:日本特开2011-146646号公报
[0011]专利文献2:日本特开2013-243316号公报
[0012]专利文献3:日本特开2008-070187号公报
[0013]非专利文献
[0014]非专利文献1:《可靠性手册》，株式会社瑞萨科技，Rev.1.01，2008年11月28日，P.(4-25)-(4-27)
【实用新型内容】
[0015]实用新型所要解决的课题
[0016]为解决这种Ag离子迀移的问题，预先将起因于Ag离子迀移的Ag发生时的Ag的移动距离较长地设定，降低图案间的电场强度是有效的，因此，一般来说，采取在Ag膏和与其邻接的LED芯片的各电极以及接合导线之间确保足够的绝缘距离这种对策。然而，如专利文献I中所述的构造，若为高密度地排列LED芯片(S卩，LED模块)这种构造，由于配置方面的制约，难以确保足够的绝缘距离。
[0017]此外，Ag膏中含有的Ag通过来自LED芯片的光进行离子化来诱发Ag离子迀移，因此，为了使来自LED芯片的光不射入Ag膏(即，为抑制表面等离子激元的产生)，虽然还考虑到在Ag膏上实施遮挡来自LED芯片的光的涂布等，但将LED芯片粘着固定于基板后再实施涂布等是极其困难的。
[0018]本实用新型借鉴了以上情况，其目的在于提供一种不需要在Ag膏上实施涂布等，而以简单的构造，在抑制Ag离子迀移的同时可高密度地安装的发光装置及其制造方法。
[0019]用于解决课题的方法
[0020]为达成上述目的，本实用新型的发光装置具备基板；图案部，形成于基板的表面且具有导电性；及LED (Light Emitting D1de)芯片，载置于图案部的表面，且从出射面射出来自发光层的光；其中，在图案部的表面，形成有第I凹部，其具有比LED芯片的出射面略大的第I开口部，且LED芯片收纳于第I凹部内，且介由银(Ag)膏接合于第I凹部的底面。
[0021]根据这种构造，即使由LED芯片射出的紫外光的一部分作为反馈光返回，LED芯片的周围以及模粘合剂的周围通过仅隔着缝隙设置的第I凹部的壁面包围，因此，基乎没有到达模粘合剂的反馈光，抑制了 Ag离子迀移的产生。从而，为解除Ag离子迀移的问题，不需要采取在Ag膏和与其邻接的LED芯片的各电极以及接合导线之间确保足够的绝缘距离这种对策，便可高密度地安装LED芯片。
[0022]此外，优选LED芯片的出射面以及第I开口部为矩形，以第I开口部的各边比LED芯片的出射面的各边大5?20%的方式构造。
[0023]此外，优选将第I凹部的深度设为d，将从发光层到第I凹部的底面的距离设为tl，将模粘合剂的膜厚设为t2时，满足t2〈d〈tl。
[0024]此外，能够以如下方式构造:在基板的表面形成有具有比第I开口部略大的第2开口部的第2凹部，且第I凹部形成于第2凹部内部。
[0025]此外，优选在第I凹部与LED芯片之间的缝隙中至少在从LED芯片射出的光的波长区域中设有透过率低的遮光部件。
[0026]此外，能够以如下方式构造:还具备形成为从第I开口部的边缘部朝向LED芯片突出，至少在光的波长区域中遮光的遮光部件。此外，在这种情况下，遮光部件可构造成与图案部一体形成。
[0027]此外，能够以如下方式构造:在第I凹部的底面形成有具有比LED芯片的出射面略小的第3开口部的第3凹部，模粘合剂收纳于第3凹部。根据这种构造，能够确实地防止反馈光到达模粘合剂，因此，能够确实地抑制Ag离子迀移的产生。
[0028]此外，能够以如下方式构造:LED芯片在出射面侧具有阴极端子以及阳极端子，基板为具有导电性的金属基板，图案部与金属基板一体形成。
[0029]此外，能够以如下方式构造:LED芯片在出射面侧具有阴极端子以及阳极端子，基板具有绝缘性。
[0030]此外，能够以如下方式构造:LED芯片在出射面侧具有阴极端子或者阳极端子中的任意一个，在第I凹部的底面侧具有任意另外一个，基板具有绝缘性。
[0031]此外，能够以如下方式构造:LED芯片在出射面侧具有阴极端子或者阳极端子中的任意一个，在第I凹部的底面侧具有任意另外一个，基板为具有导电性的金属基板，金属基板具有绝缘层，与图案部间电性绝缘
[0032]此外，优选由LED芯片射出的光包含紫外线波长区域的光。
[0033]此外，从其他的观点出发，本实用新型的发光装置
[0034]具备:基板；图案部，形成于基板的表面且具有导电性；LED (Light EmittingD1de)芯片，载置于图案部的表面，且从出射面射出来自发光层的光；其中，在图案部的表面形成有第I凹部，其具有比LED芯片的出射面略小的开口部；LED芯片介由填充于第I凹部内，且银(Ag)膏接合于图案部。
[0035]根据这种构造，即使从LED出射的紫外光的一部分作为反馈光返回，也不会到达模粘合剂，能够确实地抑制Ag离子迀移的产生。
[0036]实用新型的效果
[0037]如上所述，根据本实用新型，能够实现在Ag膏上不实施涂布等，而以简单的构造，在抑制Ag离子迀移的同时，可高密度地安装的发光装置。
【附图说明】
[0038]图1为涉及本实用新型的实施方式的发光装置的平面图。
[0039]图2为图1的A部的放大剖面图。
[0040]图3为说明涉及本实用新型的实施方式的发光装置的LED芯片与凹部的关系图。
[0041]图4为说明涉及本实用新型的第I实施方式的发光装置的制造工序的流程图。
[0042]图5为涉及本实用新型的第2实施方式的发光装置的剖面图。
[0043]图6为涉及本实用新型的第3实施方式的发光装置的剖面图。
[0044]图7为涉及本实用新型的第4实施方式的发光装置的剖面图。
[0045]图8为涉及本实用新型的第5实施方式的发光装置的剖面图。
[0046]图9为涉及本实用新型的第6实施方式的发光装置的剖面图。
[0047]图10为涉及本实用新型的第7实施方式的发光装置的剖面图。
[0048]图11为涉及本实用新型的第8实施方式的发光装置的剖面图。
[0049]图12为涉及本实用新型的第9实施方式的发光装置的剖面图。
[0050]图13为涉及本实用新型的第10实施方式的发光装置的剖面图。
[0051]图14为涉及本实用新型的第11实施方式的发光装置的