接的LED芯片110所接合的图案部112的平坦部112c，图1中，通过接合导线114连接位于最左侧的LED芯片110所接合的图案部112，和形成于基板101的正极端子102，通过接合导线114连接位于最右侧的LED芯片110的阴极端子110b，和形成于基板101的负极端子103，进而完成本实施方式的发光装置100。
[0102]以上虽为本实用新型的实施方式的说明，但本实用新型并不限定于上述实施方式的构造，在其技术构想范围内可有多种变形。
[0103]例如，在本实施方式中，LED芯片110的上面以及下面为正方形，此外，凹部112b的开口部112a也为正方形，但凹部112b的开口部112a的形状最好为与LED芯片110的上面以及下面相似的形状，在这种情况下，优选以相对于LED芯片110的上面以及下面(即，夕卜形)大5?20%，最好大5?10%的方式设定凹部112b的开口部112b。
[0104]此外，在本实施方式中，LED芯片110虽作为发出波长为385nm的光的部件加以说明，但也可以为发出其他紫外光区域波长的光的部件，也可为发出可视区域或者红外区域的波长的光的部件。
[0105]第2实施方式
[0106]图5为涉及本实用新型的第2实施方式的发光装置200的剖面图。本实施方式的发光装置200的基板201通过具有导电性的基材(例如铜和铝等的金属基板)构造，在基板201的表面(即，在基板201与图案部112之间)形成有具有绝缘性的绝缘层201a，这点与第I实施方式的发光装置100不同。
[0107]作为本实施方式的基板201可适用例如铜和铝等的金属基板，作为绝缘层201a，可使用例如 S12' Al2O3' Ti02、ZrO2, ZnO2、Nb2O5' MgO, TaO2、HfO, Y2O3等的氧化物和 SiN,A1N、AlON等的氮化物、MgF2等氟化物为主要成分的薄膜，和陶瓷、玻璃环氧、聚酰亚胺、PEEK(polyetheretherketone)、尤尼莱特等树脂。本实施方式的绝缘层201a在图案部形成工序之前，通过溅射、蒸镀法等进行成膜(形成)工序。
[0108]如上所述，若在基板201与图案部112之间形成具有绝缘性的绝缘层201a，则使具有导电性的基板201适用于本实用新型成为可能。再者，从将由LED芯片110产生的热量有效地传导至基板201的观点出发，优选用热传导率高的材料构造绝缘层201a，较薄地构造等，可降低绝缘层201a的热阻力。
[0109]第3实施方式
[0110]图6为涉及本实用新型的第3实施方式的发光装置300的剖面图。本实施方式的发光装置300的绝缘层201a部分形成于基板201的表面(即，只在图案部112的正下方)，这点与第2实施方式的发光装置200不同。
[0111]如上所述，即使将绝缘层仅形成于图案部112的正下方，与第2实施方式相同，使具有导电性的基板201适用于本实用新型成为可能。
[0112]第4实施方式
[0113]图7为涉及本实用新型的第4实施方式的发光装置400的剖面图。本实施方式的发光装置400在基板401的表面形成有矩形的凹部401b (第2凹部)，且以覆盖凹部401b的方式形成图案部412，这点与第I实施方式的发光装置100不同。
[0114]如图7所示，本实施方式的图案部412由凹部412b (第I凹部)中的厚度与平坦部412c中的厚度大概相同的薄膜形成，基板401的凹部401b具有比形成于图案部412的凹部412b的开口部412a(第I开口部)略大的开口部401a(第2开口部)，凹部412b形成于凹部401b的内部。再者，本实施方式的凹部401b在图案部形成工序之前通过喷砂、激光加工等形成。此外，作为其他的实施方式，如第2以及第3实施方式所示，也能够通过具有导电性的基材(例如，铜和铝等金属基板)构造基板401，在基板401与图案部412之间形成绝缘层的构造。
[0115]如上所述，即使为使基板401的表面与图案部412的表面两者凹陷的构造，只要满足上述公式(1)，则与第I实施方式相同，能够抑制Ag离子迀移的产生。
[0116]第5实施方式
[0117]图8为涉及本实用新型的第5实施方式的发光装置500的剖面图。本实施方式的发光装置500在LED芯片110与凹部112b之间的缝隙填充紫外光的透过率低的遮光材料513 (遮光部件)，这点与第I实施方式的发光装置100不同。
[0118]作为遮光材料513，适用具有流动性的材料，例如，可使用氟树脂、有机硅树脂、UV硬化树脂、焊料、铝等。此外，也可适用含有吸收紫外光的添加物的材料，或含有反射紫外光的添加物的材料的氟树脂、有机硅树脂、UV硬化树脂。再者，本实施方式的遮光材料513在接合工序之后填充于LED芯片110与凹部112b之间的缝隙。
[0119]如上所述，若在LED芯片110与凹部112b之间的缝隙填充遮光材料，则反馈光通过遮光材料513被吸收，因此基本没有到达模粘合剂的反馈光，进而能够抑制Ag离子迀移的产生。
[0120]第6实施方式
[0121]图9为涉及本实用新型的第6实施方式的发光装置600的剖面图。本实施方式的发光装置600在LED芯片110与凹部412b之间的缝隙填充紫外光的透过率低的遮光材料613 (遮光部件)，这点与第4实施方式的发光装置100不同。
[0122]如上所述，在第4实施方式的发光装置400中，与第5实施方式相同，通过在LED芯片110与凹部412b之间的缝隙填充紫外光的透过率低的遮光材料613，进而能够抑制Ag离子迀移的产生。
[0123]第7的实施方式
[0124]图10为涉及本实用新型的第7实施方式的发光装置700的剖面图。本实施方式的发光装置700设置有从图案部112的平坦部112c向LED芯片110延伸的板状遮光部件715 (遮光部件)，这点与第I实施方式的发光装置100不同。
[0125]作为遮光部件715，适用具有耐UV性的材料，例如，能够使用特氟龙(注册商标)树脂、聚酰亚胺、PEEK、紫外线去除玻璃、ND滤光器等的彩色玻璃、板状金属(例如，铝、铜、不锈钢)等。再者，本实施方式的遮光部件715在接合工序之后，以填于LED芯片110与凹部112b(S卩，开口部112a)之间的缝隙的方式配置，并通过焊料和耐热性粘着剂等固着于平坦部112c上。
[0126]如上所述，若以填于LED芯片110与凹部112b(S卩，开口部112a)之间的缝隙的方式配置遮光部件715，则与第5以及第6实施方式相同，通过遮光部件715遮挡反馈光，因此基本没有到达模粘合剂116的反馈光，进而能够抑制Ag离子迀移的产生。
[0127]第8实施方式
[0128]图11为涉及本实用新型的第8实施方式的发光装置800。本实施方式的发光装置800以图案部112的平坦部112cM朝LED芯片110突出的方式(S卩，开口部112aM变窄的方式)形成凹部112bM，这点与第I实施方式的发光装置100不同。
[0129]如上所述，若以图案部112的平坦部112cM朝LED芯片110突出的方式构造，平坦部112cM作为一种遮光部件发挥作用，因此，与第7实施方式相同，基本没有到达模粘合剂116的反馈光，进而能够抑制Ag离子迀移的产生。
[0130]第9实施方式
[0131]图12为涉及本实用新型的第9实施方式的发光装置900的剖面图。本实施方式的发光装置900的基板901由具有导电性的基材(例如，铜和铝等金属基板)构成，具有导电性的图案部112与基板901 —体形成，这点与第I实施方式的发光装置100不同。此外，LED芯片901在上面(即，出射面910a)上具备阴极端子901b以及阳极端子901c，这点与第I实施方式的发光装置不同。
[0132]本实施方式的LED芯片910为在透过紫外光的绝缘性基板(例如，蓝宝石基板)的表面结晶生长GaN等的外延层形成的LED芯片，在LED芯片910的上面形成有阴极端子910b以及阳极端子910c。此外，在LED芯片910的下面为具有绝缘性的蓝宝石基板。各LED芯片910的阴极端子910b介由接合导线114与邻接于LED芯片910的一侧(图12中的右侧)的LED芯片910的阳极端子910c连接，邻接的LED芯片910分别串联连接。
[0133]如上所述，使用具有导电性的基板901，也可将在上面(S卩，出射面910a)具备有阴极端子910b以及阳极端子910c的LED芯片910适用于本实用新型。再者，在本实施方式中，接合导线114不连接于图案部112，因此，虽然图案部112电气浮动，但图案部112与基板901 —体形成，作为将由LED芯片910产生的热量有效地传导至基板901的热传导部件发挥作用。
[0134]第10实施方式
[0135]图13为涉及本实用新型的第10实施方式的发光装置1000的剖面图。本实施方式的发光装置1000的基板由具有导电性的基材(例如，铜和铝等金属基板)构成，且基板1001以兼具图案部412的方式构成(即，基板1001与图案部412 —体形成)，这点与第4实施方式的发光装置400不同。此外，与第9实施方式相同，LED芯片910在上面(即，出射面910a)具备阴极端子910b以及阳极端