3电平I型逆变器及半导体模块的制作方法

文档序号:18597344发布日期:2019-09-03 22:12阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
提供抑制了芯片温度的上升的3电平I型逆变器。具有:第1~第4开关器件,它们连接于第1、第2电位之间;第1~第4二极管,它们分别与第1~第4开关器件反向并联连接;以及第5、第6二极管,它们在第1、第2开关器件的连接节点和第3、第4开关器件的连接节点之间,以相对于第2、第3开关器件的串联连接反向并联的方式串联连接,第5、第6二极管的连接节点与输入节点连接,该输入节点呈第1电位与第2电位的中间电位,第2、第3开关器件的连接节点与输出节点连接,第2开关器件及二极管由第1反向导通IGBT构成,第3开关器件及二极管由第2反向导通IGBT构成。

技术研发人员:石野雅章;西田信也
受保护的技术使用者:三菱电机株式会社
技术研发日:2019.02.22
技术公布日:2019.09.03
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