输入接收电路及其操作方法与流程

技术特征：
1.一种输入接收电路，其特征在于，包含：一第一输入接收单元，用以接收一反相唤醒信号、一外部致能信号、一第一电压及一参考信号，以及根据该外部致能信号和该参考信号，产生并输出一第一致能信号；一第二输入接收单元，用以接收该外部致能信号、该第一电压及一反相致能电压，以及根据该外部致能信号，产生并输出一第二致能信号；一延迟单元，耦接于该第二输入接收单元，用以根据该第二致能信号，产生一唤醒信号；及一第一逻辑单元，耦接于该第一输入接收单元与该延迟单元，用以接收该第一致能信号与该唤醒信号，并根据该第一致能信号与该唤醒信号，产生一内部致能信号；其中，当该外部致能信号是为该外部致能信号的低电位时，该唤醒信号是用以关闭一内部频率产生器，且该反相唤醒信号是用以关闭该第一输入接收单元。2.如权利要求1所述的输入接收电路，其特征在于，当该第二致能信号是从该第二致能信号的高电位变化至该第二致能信号的低电位时，该唤醒信号的变化是落后该第一致能信号的变化一预定时间；当该第二致能信号是从该第二致能信号的低电位变化至该第二致能信号的高电位时，该唤醒信号的变化是同歩于该第一致能信号的变化。3.如权利要求1所述的输入接收电路，其特征在于，该反相唤醒信号是该唤醒信号通过一第二逻辑单元所产生。4.如权利要求1所述的输入接收电路，其特征在于，该内部致能信号是用以传送至一致能缓存器，以及该内部频率产生器所产生的内部频率亦传送至该致能缓存器。5.如权利要求1所述的输入接收电路，其特征在于，该第一输入接收单元包含：一第一P型金氧半晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，用以接收该反相唤醒信号，及一第三端；一第二P型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第一P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，及一第三端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第二端；一第三P型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第一P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第二端，及一第三端，用以输出一第一信号；一第一N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该参考信号，及一第三端，耦接于一地端；一第二N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第三P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该外部致能信号，及一第三端，耦接于该地端；一第三N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第三P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该反相唤醒信号，及一第三端，耦接于该地端；及一内部逻辑单元，具有一第一端，耦接于该第三P型金氧半晶体管的第三端，用以接收该第一信号，及一第二端，用以输出该第一致能信号，其中该内部逻辑单元是用以反相该第一信号，以产生并输出该第一致能信号。6.如权利要求1所述的输入接收电路，其特征在于，该第一输入接收单元包含：一第一P型金氧半晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，用以接收该参考信号，及一第三端；一第二P型金氧半晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，用以接收该外部致能信号，及一第三端，用以输出一第一信号；一第一N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第一P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第一N型金氧半晶体管的第一端，及一第三端；一第二N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第一N型金氧半晶体管的第二端，及一第三端，耦接于该第一N型金氧半晶体管的第三端；一第三N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第一N型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该唤醒信号，及一第三端，耦接于一地端；一第三P型金氧半晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，用以接收该唤醒信号，及一第三端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端；及一内部逻辑单元，具有一第一端，耦接于该第三P型金氧半晶体管的第三端，用以接收该第一信号，及一第二端，用以输出该第一致能信号，其中该内部逻辑单元是用以反相该第一信号，以产生并输出该第一致能信号。7.如权利要求1所述的输入接收电路，其特征在于，该第一输入接收单元包含：一第一P型金氧半晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，及一第三端；一第二P型金氧半晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，耦接于该第一P型金氧半晶体管的第三端，及一第三端，耦接于该第一P型金氧半晶体管的第二端，用以输出一第一信号；一第一N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第一P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该参考信号，及一第三端；一第二N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该外部致能信号，及一第三端，耦接于该第一N型金氧半晶体管的第三端；一第三N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第一N型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该唤醒信号，及一第三端，耦接于一地端；一第三P型金氧半晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，用以接收该唤醒信号，及一第三端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端；及一内部逻辑单元，具有一第一端，耦接于该第三P型金氧半晶体管的第三端，用以接收该第一信号，及一第二端，用以输出该第一致能信号，其中该内部逻辑单元是用以反相该第一信号，以产生并输出该第一致能信号。8.如权利要求5、6或7所述的输入接收电路，其特征在于，该内部逻辑单元包含：一第一反相器，具有一第一端，耦接于该第三P型金氧半晶体管的第三端，用以接收该第一信号，及一第二端；一第二反相器，具有一第一端，耦接于该第一反相器的第二端，及一第二端；及一第三反相器，具有一第一端，耦接于该第二反相器的第二端，及一第二端，用以输出该第一致能信号。9.如权利要求1所述的输入接收电路，其特征在于，该第二输入接收单元包含：一第一P型金氧半晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，用以接收该反相致能电压，及一第三端；一第二P型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第一P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该外部致能信号，及一第三端，用以输出一第二信号；一第一N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该外部致能信号，及一第三端，耦接于一地端；一第二N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该外部致能信号，及一第三端，耦接于该地端；一第三N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该反相致能电压，及一第三端，耦接于该地端；及一内部逻辑单元，具有一第一端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端，用以接收该第二信号，及一第二端，用以输出该第二致能信号，其中该内部逻辑单元是用以反相该第二信号，以产生并输出该第二致能信号。10.如权利要求1所述的输入接收电路，其特征在于，该第二输入接收单元包含：一第一P型金氧半晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，用以接收该外部致能信号，及一第三端；一第二P型金氧半晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，用以接收该外部致能信号，及一第三端，耦接于该第一P型金氧半晶体管的第三端，用以输出一第二信号；一第一N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该外部致能信号，及一第三端；一第二N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第一N型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该致能电压，及一第三端，耦接于一地端；一第三P型金氧半晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，用以接收该致能电压，及一第三端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端；及一内部逻辑单元，具有一第一端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端，用以接收该第二信号，及一第二端，用以输出该第二致能信号，其中该内部逻辑单元是用以反相该第二信号，以产生并输出该第二致能信号。11.如权利要求1所述的输入接收电路，其特征在于，该第二输入接收单元包含：一第一P型金氧半晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，用以接收该反相致能电压，及一第三端；一第二P型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第一P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该外部致能信号，及一第三端，用以输出一第二信号；一第一N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该外部致能信号，及一第三端；一第二N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第一N型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该致能电压，及一第三端，耦接于一地端；一第三P型金氧半晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，用以接收该致能电压，及一第三端，耦接于一反相器；一第三N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该反相器，一第二端，用以接收该反相致能电压，及一第三端，耦接于该地端；及一内部逻辑单元，具有一第一端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端，用以接收该第二信号，及一第二端，用以输出该第二致能信号，其中该内部逻辑单元是用以反相该第二信号，以产生并输出该第二致能信号；其中该反相器另耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端与该内部逻辑单元。12.如权利要求10或11所述的输入接收电路，其特征在于，该内部逻辑单元包含：一第一反相器，具有一第一端，用以接收该第二信号，及一第二端；一第二反相器，具有一第一端，耦接于该第一反相器的第二端，及一第二端；及一第三反相器，具有一第一端，耦接于该第二反相器的第二端，及一第二端，用以输出该第二致能信号。13.如权利要求1所述的输入接收电路，其特征在于，该延迟单元包含：一第一反相器，具有一第一端，耦接于该第二输入接收单元，用以接收该第二致能信号，及一第二端；一第一P型金氧半晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，耦接于该第一反相器的第二端，及一第三端，耦接于该第一P型金氧半晶体管的第一端；一第二P型金氧半晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，耦接于该第一反相器的第二端，及一第三端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第一端；及一第二反相器，具有一第一端，耦接于该第一反相器的第二端，及一第二端，用以输出该唤醒信号。14.如权利要求1所述的输入接收电路，其特征在于，该延迟单元包含：一第一P型金氧半晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，用以接收一偏压，及一第三端；一第二P型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第一P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该偏压，及一第三端；一第三P型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该第二致能信号，及一第三端；一第一N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第三P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该第二致能信号，及一第三端，耦接于一地端；及一第一反相器，具有一第一端，耦接于该第三P型金氧半晶体管的第三端，及一第二端，用以输出该唤醒信号。15.如权利要求1所述的输入接收电路，其特征在于，该延迟单元包含：一第一P型金氧半晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，用以接收该第二致能信号，及一第三端；一第二P型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第一P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该第二致能信号，及一第三端；一第三P型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第一P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端，及一第三端，耦接于一地端；一第一N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，用以接收该第二致能信号，及一第三端，耦接于该地端；及一第一反相器，具有一第一端，耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端，及一第二端，用以输出该唤醒信号。16.如权利要求1所述的输入接收电路，其特征在于，该反相致能电压是一致能电压通过一第三逻辑单元所产生。17.如权利要求1所述的输入接收电路，其特征在于，该第一逻辑单元包含：一与非门，具有一第一端，耦接于该第一输入接收单元，用以接收该第一致能信号，一第二端，耦接于该延迟单元，用以接收该唤醒信号，及一第三端；及一反相器，具有一第一端，耦接于该与非门的第三端，及一第二端，用以输出该内部致能信号。18.一种输入接收电路的操作方法，该输入接收电路包含一第一输入接收单元、一第二输入接收单元、一延迟单元及一第一逻辑单元，其特征在于，该操作方法包含：该第一输入接收单元接收一低电位的反相唤醒信号、一外部致能信号、一第一电压及一参考信号；该第一输入接收单元根据该低电位的反相唤醒信号开启，并根据该外部致能信号和该参考信号，产生并输出一第一致能信号；该第二输入接收单元接收该外部致能信号、该第一电压及一反相致能电压；该第二输入接收单元根据该外部致能信号，产生并输出一第二致能信号；该延迟单元根据该第二致能信号，产生一唤醒信号；该第一逻辑单元接收该第一致能信号与该唤醒信号；及该第一逻辑单元根据该第一致能信号与该唤醒信号，产生一内部致能信号；传送该内部致能信号至一致能缓存器。19.如权利要求18的操作方法，其特征在于，该外部致能信号是为一由高电位转变为低电位的外部致能信号。20.如权利要求18的操作方法，其特征在于，另包含：一第二逻辑单元反相该唤醒信号，以产生该反相唤醒信号。21.如权利要求18的操作方法，其特征在于，该反相致能电压是一致能电压通过一第三逻辑单元所产生。22.一种输入接收电路的操作方法，该输入接收电路包含一第一输入接收单元、一第二输入接收单元、一延迟单元及一第一逻辑单元，其特征在于，该操作方法包含：该第一输入接收单元根据一高电位的反相唤醒信号关闭；该第二输入接收单元接收一外部致能信号、一第一电压及一反相致能电压；该第二输入接收单元根据该外部致能信号，产生并输出一第二致能信号；该延迟单元根据该第二致能信号，产生一唤醒信号；该第一逻辑单元接收该唤醒信号；及该第一逻辑单元根据该唤醒信号，产生一内部致能信号；传送该内部致能信号至一致能缓存器。23.如权利要求22的操作方法，其特征在于，另包含：该唤醒信号开启一内部频率产生器。