附载体铜箔的制法、覆铜积层板的制法、印刷配线板的制法、电子机器的制法及它们的制品的制作方法

附载体铜箔的制法、覆铜积层板的制法、印刷配线板的制法、电子机器的制法及它们的制品的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种附载体铜锥的制造方法、覆铜积层板的制造方法、印刷配线板的 审雌方法、及电子机器的制造方法、附载体铜锥、积层体、印刷配线板W及电子机器。
【背景技术】
[0002] 印刷配线板通常经下述步骤而制造：在使绝缘基板与铜锥接着而制成覆铜积层板 之后，通过蚀刻而在铜锥面形成导体图案。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的 增大而推展搭载零件的高密度构装化或信号的高频化，从而对印刷配线板要求有导体图案 的细微化（窄间距化）或高频应对等。
[0003] 与窄间距化相对应，近来要求厚度在9ymW下、甚至是厚度在5ymW下的铜锥， 然而，运种极薄的铜锥其机械强度低，在印刷配线板的制造时易破裂或产生皱折，因此发展 出将具有厚度的金属锥用作为载体并隔着剥离层将极薄铜层电沉积在其上而成的附载体 铜锥。在将极薄铜层的表面贴合于绝缘基板并进行热压接后，经由剥离层将载体剥离去除。 在所露出的极薄铜层上通过抗蚀剂而形成电路图案后，利用硫酸一过氧化氨系蚀刻液来蚀 刻去除极薄铜层，通过此手法（MSAP,Modified-Semi-Additive-Process)来形成细 微电路。
[0004] 此处，对于成为与树脂的接着面的附载体铜锥的极薄铜层的表面主要要求极薄铜 层与树脂基材的剥离强度充足，且此剥离强度在高溫加热、湿式处理、焊接、化学药剂处理 等之后也保持为充足。提高极薄铜层与树脂基材间的剥离强度的方法，一般而言是W下述 方法为代表：使大量的粗化粒子附着于表面的轮廓（凹凸、粗糖）增大后的极薄铜层上。
[0005] 然而，即便是在印刷配线板中，若在具有形成特别细微的电路图案的需要的半导 体封装基板使用运种轮廓（凹凸、粗糖）大的极薄铜层，则在电路蚀刻时会残留不需要的铜 粒子，会产生电路图案间的绝缘不良等问题。
[0006] 因此，在W02004/005588号（专利文献1)中尝试了使用未在极薄铜层的表面施加 粗化处理的附载体铜锥作为W半导体封装基板为首的用于细微电路的附载体铜锥。由于 其低轮廓（凹凸、粗糖度、粗糖）的影响，运种未施加粗化处理的极薄铜层与树脂的密合性 (剥离强度）与一般的印刷配线板用铜锥相比，有降低的倾向。因此，要求对附载体铜锥作 进一步的改善。
[0007] 因此，在日本特开2007-007937号公报（专利文献2)及日本特开2010 -006071 号公报（专利文献3)中，记载有在附载体极薄铜锥的与聚酷亚胺系树脂基板接触（接着） 的面，设置Ni层或/及Ni合金层、设置铭酸盐层、设置化层或/及化合金层、设置Ni层 及铭酸盐层、设置Ni层及化层。通过设置该等表面处理层，聚酷亚胺系树脂基板与附载体 极薄铜锥的密合强度可不经粗化处理或是降低粗化处理的程度（细微化）即可得到所欲的 接着强度。此外，也记载有利用硅烷偶合剂来进行表面处理或施加防诱处理。
[0008] [专利文献l]W02004/005588 号
[0009] [专利文献2]日本特开2007 - 007937号公报
[0010] [专利文献3]日本特开2010 - 006071号公报。

【发明内容】

[0011] 在附载体铜锥的开发中，至今为止确保极薄铜层与树脂基材的剥离强度一直被视 为重点。因此，仍未对极薄铜层的电路形成性进行充分探讨，其仍有改善的空间。
[0012] 对极薄铜层形成电路，通常是W下述方式进行：在将极薄铜层积层在树脂基材后 去除载体，然后，在在极薄铜层上设置有特定图案的光阻的状态下，利用特定的蚀刻液进行 蚀刻处理，去除未被光阻覆盖的部分的铜层。之后，通过去除光阻，制作具有所欲的导体图 案的电路。
[0013] 此处，在利用特定的蚀刻液进行蚀刻处理时，若极薄铜层的与树脂基材的界面附 近部分对于蚀刻液的润湿性差，则蚀刻液的润湿范围不足。在此情形，与树脂基材的界面附 近部分会产生蚀刻不均匀的部分，电路直线性变得不良。本发明提供对于极薄铜层的电路 形成性良好的附载体铜锥的制造方法。又，提供蚀刻液的润湿性良好的附载体铜锥。
[0014] W上述见解为基础所完成的本发明在一方面中，是一种附载体铜锥的制造方法， 其包含下述加热处理步骤：对依序具备载体、中间层、极薄铜层、包含硅烷偶合处理层的表 面处理层的附载体铜锥，进行1小时~8小时的加热溫度为100°C~220°C的加热处理，或 1小时~6小时的加热溫度为100°C~220°C的加热处理，或2小时~4小时的加热溫度为 160°C~220°C的加热处理。
[0015] 本发明在另一个方面中，是一种附载体铜锥的制造方法，其包含下述加热处理步 骤：对依序具备载体、中间层、极薄铜层、表面处理层的附载体铜锥，将到达加热溫度为止的 升溫速度设为超过50°c/小时，进行1小时~8小时的加热溫度为100°C~220°C的加热处 理，或1小时~6小时的加热溫度为100°C~220°C的加热处理，或2小时~4小时的加热 溫度为160°C~220°C的加热处理。
[0016] 本发明的附载体铜锥的制造方法在一实施方案中，上述加热处理中的上述升溫速 度为200°C/小时W下。
[0017] 本发明的附载体铜锥的制造方法在另一实施方案中，上述加热处理步骤后在常溫 下所测得的载体的拉伸强度为300MPaW上。
[0018] 本发明的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，在上述加热处理步骤中， 是在非活性气体环境下进行加热处理。
[0019] 本发明的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，在上述加热处理步骤中， 在将附载体铜锥卷入至金属制的中空管中的状态下进行加热处理。
[0020] 本发明的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，在上述加热处理步骤中， 将把附载体铜锥卷入至金属制的中空管中时的张力设为5~IOOk奸/m或20~IOOk奸/m 从而进行加热处理。
[0021] 本发明的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，在上述加热处理步骤中， 在将附载体铜锥卷入至金属制的中空管中的状态下，一边W0.01~600旋转/小时的速度 旋转上述中空管一边进行加热处理。
[0022] 本发明的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，上述加热处理前的附载体 铜锥进一步在上述载体侧的表面依序具备中间层、极薄铜层。
[0023] 本发明的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，上述加热处理前的附载体 铜锥进一步在上述载体侧的表面具有表面处理层。
[0024] 本发明的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，上述表面处理层包含粗化 处理层。
[00巧]本发明的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，在上述表面处理层为粗化 处理层的表面进一步具有选自由耐热层、防诱层、铭酸盐处理层及硅烷偶合处理层所构成 的群中的一种W上的层。
[0026] 本发明的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，上述加热处理前的附载体 铜锥在上述极薄铜层的表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防诱层、铭酸盐处理层及硅烷 偶合处理层所组成的群中的一层W上的层来作为表面处理层。
[0027] 本发明的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，上述加热处理前的附载体 铜锥在上述表面处理层上具备树脂层。
[0028] 本发明在再另一方面中，是一种覆铜积层板的制造方法，其使用有通过本发明的 方法所制得的附载体铜锥。
[0029] 本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其使用有通过本发明的 方法所制得的附载体铜锥。
[0030] 本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含W下步骤：
[0031] 准备通过本发明的方法而制得的附载体铜锥与绝缘基板；
[0032] 将上述附载体铜锥与绝缘基板积层；及
[0033] 在将上述附载体铜锥与绝缘基板积层后，经将上述附载体铜锥的载体剥离的步骤 而形成覆铜积层板，
[0034] 其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法（ModifiedSemi Additive)中的任一方法形成电路。
[0035] 本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含W下步骤：
[0036] 在通过本发明的方法而制得的附载体铜锥的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧 表面形成电路；
[0037] W埋没上述电路的方式在上述附载体铜锥的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧 表面形成树脂层；
[003引在上述树脂层上形成电路；
[0039] 在上述树脂层上形成电路后，剥离上述载体或上述极薄铜层；及
[0040] 在剥离上述载体后，去除上述极薄铜层或上述载体，由此使形成在上述极薄铜层 侧表面或上述载体侧表面的埋没于上述树脂层的电路露出。
[0041] 本发明在再另一方面中，是一种电子机器的制造方法，其使用有通过本发明的方 法所制得的印刷配线板。
[0042] 本发明在再另一方面中，是一种附载体铜锥，其是通过本发明的方法而制得。
[0043] 本发明在再另一方面中，是一种附载体铜锥，其依序具备载体、中间层、极薄铜层、 包含硅烷偶合处理层的表面处理层，在水平面上W极薄铜锥侧的表面处理层在上面的方式 来放置附载体铜锥（除了具备树脂层者W外），使用吸量管在一个部位滴加30yL具有硫酸 24重量％-过氧化氨15重量％ (剩余部分为水）的组成的蚀刻液，放置30秒后擦掉蚀刻 液后，蚀刻液的痕迹的最大直径与最小直径的差为IOmmW下。
[0044] 本发明在再另一方面中，是一种附载体铜锥，其依序具备载体、中间层、极薄铜层、 包含硅烷偶合处理层的表面处理层，在水平面上W极薄铜锥侧的表面处理层在上面的方式 来放置附载体铜锥（除了具备树脂层者W外），使用吸量管在一个部位滴加30yL具有硫酸 24重量％-过氧化氨15重量％ (剩余部分为水）的组成的蚀刻液，放置30秒后擦掉蚀刻 液后，蚀刻液的痕迹的最大直径为25mmW上。
[0045] 本发明在再另一方面中，是一种附载体铜锥，其依序具备载体、中间层、极薄铜层、 表面处理层，在水平面上W极薄铜锥侧的表面处理层在上面的方式来放置附载体铜锥（除 了具备树脂层者W外），使用吸量管在一个部位滴加30yL具有硫酸24重量％-过氧化氨 15重量％ (剩余部分为水）的组成的蚀刻液，放置30秒后擦掉蚀刻液后，蚀刻液的痕迹的 最大直径与最小直径的差为IOmmW下。
[0046] 本发明在再另一方面中，是一种附载体铜锥，其依序具备载体、中间层、极薄铜层、 表面处理层，在水平面上W极薄铜锥侧的表面处理层在上面的方式来放置附载体铜锥（除 了具备树脂层者W外），使用吸量管在一个部位滴加30yL具有硫酸24重量％-过氧化氨 15重量％ (剩余部分为水）的组成的蚀刻液，放置30秒后擦掉蚀刻液后，蚀刻液的痕迹的 最大直径为25mmW上。
[0047] 本发明的附载体铜锥在再另一方面中，上述蚀刻液的痕迹的最大直径与最小直径 的差为5mmW下。
[0048] 本发明的附载体铜锥在再另一方面中，上述蚀刻液的痕迹的最大直径为35mmW 上。
[0049] 本发明在再另一方面中，是一种积层体，其是使用本发明的附载体铜锥而制得。
[0050] 本发明在再另一方面中，是一种积层体，其含有本发明的附载体铜锥与树脂，上述 附载体铜锥的端面的一部分或全部被上述树脂所覆盖。
[0051] 本发明在再另一方面中，是一种积层体，其是将一个本发明的附载体铜锥自上述 载体侧或上述表面处理层侧积层于另一个本发明的附载体铜锥的上述载体侧或上述表面 处理层侧而成。
[0052] 本发明的积层体在一实施方案中，上述一个附载体铜锥的上述载体侧表面或上述 表面处理层侧表面与上述另一个附载体铜锥的上述载体侧表面或上述表面处理层侧表面 视需要经由接着剂直接积层而被构成。
[0053] 本发明的积层体在另一实施方案中，上述一个附载体铜锥的上述载体或上述表面 处理层与上述另一个附载体铜锥的上述载体或上述表面处理层接合。
[0054] 本发明的积层体在再另一实施方案中，上述积层体的端面的一部分或全部被树脂 覆盖。
[00巧]本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板，其是使用本发明的附载体铜锥制造 而成的。
[0056] 本发明在再另一方面中，是一种电子机器，其是使用本发明的印刷配线板制造而 成的。
[0057] 本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含W下步骤：
[0058] 准备本发明的附载体铜锥与绝缘基板；
[0059] 将上述附载体铜锥与绝缘基板积层；及
[0060] 在将上述附载体铜锥与绝缘基板积层后，经将上述附载体铜锥的载体剥离的步骤 而形成覆铜积层板，
[0061] 其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法形成电 路。
[0062] 本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含W下步骤：
[0063] 在本发明的附载体铜锥的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面形成电路；
[0064]W埋没上述电路的方式在上述附载体铜锥的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧 表面形成树脂层；
[0065] 在形成上述树脂层后，剥离上述载体或上述极薄铜层；及
[0066] 在剥离上述载体或上述极薄铜层后，去除上述极薄铜层或上述载体，由此使形成 在上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面的埋没于上述树脂层的电路露出。
[0067] 本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含W下步骤：
[0068] 在本发明的附载体铜锥的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面形成电路；
[0069]W埋没上述电路的方式在上述附载体铜锥的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧 表面形成树脂层；
[0070] 在上述树脂层上形成电路；
[0071] 在上述树脂层上形成电路后，剥离上述载体或上述极薄铜层；及
[0072] 在剥离上述载体或上述极薄铜层后，去除上述极薄铜层或上述载体，由此使形成 在上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面的埋没于上述树脂层的电路露出。
[0073] 本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含W下步骤：
[0074] 将本发明的附载体铜锥的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面与树脂基板进 行积层；
[00巧]在与上述附载体铜锥的积层有树脂基板的侧为相反侧的上述极薄铜层侧表面或 上述载体侧表面至少设置1次树脂层和电路此两层；及
[0076] 在形成上述树脂层及电路此两层后，从上述附载体铜锥剥离上述载体或上述极薄 铜层。
[0077] 本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含W下步骤：
[0078] 将本发明的附载体铜锥的上述载体侧表面与树脂基板进行积层；
[0079] 在与上述附载体铜锥的积层有树脂基板的侧为相反侧的极薄铜层侧表面至少设 置1次树脂层和电路此两层；及
[0080] 在形成上述树脂层及电路此两层后，从上述附载体铜锥剥离上述极薄铜层。
[0081] 通过本发明，可提供一种对极薄铜层的电路形成性良好的附载体铜锥的制造方 法。又，提供蚀刻液的润湿性良好的附载体铜锥。
【附图说明】
[0082]图IA~图IC是使用了本发明的附载体铜锥的印刷配线板的制造方法的具体实施 例的自曝光-显影至电路锻敷一去除光阻剂为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
[0083] 图2D~图2F是使用了本发明的附载体铜锥的印刷配线板的制造方法的具体实施 例的自积层树脂及第2层附载体铜锥至雷射开孔为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
[0084] 图3G~图31是使用了本发明的附载体铜锥的印刷配线板的制造方法的具体实施 例的自形成通孔填充物至剥离第1层载体为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
[0085] 图4J~图4K是使用了本发明的附载体铜锥的印刷配线板的制造方法的具体实施 例的自快速蚀刻至形成凸块一铜柱为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
[0086] 图5 :是电路的俯视观察照片，其表示实验例中的自电路上面进行观察而得到的 电路下端宽度的最大值与最小值的差（ym)的测定方法。
【具体实施方式】
[0087] <附载体铜锥的制造方法>
[0088] 作为依序具备有载体、中间层、极薄铜层的附载体铜锥的使用形态，首先，将极薄 铜层的表面贴合于绝缘基板并进行热压接后，剥离载体。接着，在已和绝缘基板接着的极薄 铜层设置特定图案的光阻。接着，利用特定的蚀刻液进行蚀刻处理，通过去除未被光阻所覆 盖的部分的极薄铜层，而形成作为目的的导体图案，例如，制作具有特定电路的印刷配线板 等。此处，通过特定的蚀刻液来进行蚀刻处理时，若极薄铜层的与树脂基材的界面附近部分 对于蚀刻液的润湿性差，则蚀刻液的润湿范围变得不足。在此情形时，在与树脂基材的界面 附近部分会产生蚀刻不均匀的部分，而使电路直线性变得不良。
[0089] 对此，本发明的附载体铜锥的制造方法在一方面中，是在准备依序具备载体、中间 层、极薄铜层、包含硅烷偶合处理层的表面处理层的附载体铜锥后，对该附载体铜锥进行1 小时~8小时的加热溫度为100°C~220°C的加热处理。再者，上述100°C~220°C是表示 加热装置内的环境溫度。如此，通过进行1小时~8小时的加热溫度为100°C~220°C的加 热处理，由于硅烷偶合处理层中的未反应的氨基会进行脱水缩合反