被动均衡器的制造方法

文档序号:8227769阅读:758来源:国知局
被动均衡器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及被动均衡器,本发明涉及下述的被动均衡器,其用作恢复因传送损耗而劣化的传送信号的波形品质的波形均化电路,特别是适用于超过1G比特/秒的超高速串行信号的传送。
【背景技术】
[0002]在高速串行信号的传送中,由于伴随传送内容,数字传送信号的脉冲宽度动态地变化,故该传送信号具有宽的频率成分。由此,如果产生传送损耗,则脉冲宽度越窄,即,越是频率成分高的脉冲,振幅越容易衰减。
[0003]尤其,对于以单脉冲方式“0”,“I”的脉冲的最小脉冲幅度信号的I个单元间隔信号(UI信号),其频率最高,以最大的强度而受到传送损耗的影响,故与“0”,“I”的脉冲连续2次的2Π信号,的脉冲连续3次的3Π信号等的多个信号相比较,容易产生振幅小的现象。
[0004]象这样,如果仅仅是iui信号的振幅变小,则在于同一电平连续后,mi信号通过单脉冲而产生的情况下,容易产生mi信号在到达规定电平之前,没有上升切断的状况。
[0005]这样的没有上升切断的mi信号无法通过电子电路中的接收器ic而识别,容易产生误接收传送信号的比特错误。
[0006]作为避免这样的问题的手段,下述方式是有效的,该方式为:将传送信号整体的振幅合并于IUI信号的振幅中,相对地恢复单脉冲的IUI信号的振幅衰减。
[0007]为了这样的目的,作为调整传送信号的振幅的手段,人们广泛地采用下述的方法,在该方法中,将具有频率越低,衰减量越增加的传送特性的所谓“均衡器”插入传送电路中,对低频信号位于mi信号的振幅附近的振幅进行均等化处理。
[0008]作为这种均衡器,如电气通信普及财团的“研宄调查报告书N0.232008,p603” (非专利文献I)所示,报道有下述的被动均衡器,该被动均衡器为由电阻器和具有频率特性的电感元件组合的旁路滤波器方式。图17表示其等效电路。
[0009]由于该被动均衡器为被动器件,故与电子电路的连接也容易,可采用市场上销售的分立片状器件,简单地构成,由此,作为可应对12.5G比特/s的制品,供给到市场。
[0010]另外,如JP特开2009— 055284号文献(专利文献I)所示的那样,人们还知道有下述的被动均衡器,其中,应用了按照夹持薄的绝缘层的方式使差动线路相对,频率越高,越容易通过上下的线路之间的耦合容量的特性。
[0011]已有技术文献
[0012]非专利文献
[0013]非专利文献1:电气通信普及财团的“研宄调查报告书N0.232008,p603 “将通信、信号处理技术应用到芯片内/间高速高效的传送信息,构建集成电路系统(通信.信号处理技術爸于、y 7°内/間高速高効率情報伝送t乙利用L.集積回路到> Tsf u ?構築”)。
[0014]专利文献
[0015]专利文献1:JP特开2009— 055284号文献。
[0016]发明的公开内容
[0017]发明要解决的课题
[0018]但是,在上述非专利文献I中给出的电路由市场的芯片元件构成,在需要应对超过1G比特/s,下一代的25G?28G比特/s的传送速度的情况下,具有因在芯片元件的端子中产生的电感成分,产生特性的偏差,无法获得符合设计的特性的问题,电容器的容量值容易成为重要因素的问题。
[0019]因此,首先并不一定能获得所希望的容量值的电容器,即使在可获得的情况下,在批量购买时,仍容易发生规定内误差会产生较大的影响,导致特性不稳定的问题,在超过1G比特/s的用途中,市场销售的片状元件的结构不适合。
[0020]于是,人们希望有叠层陶瓷结构等的单片结构的被动均衡器。
[0021]但是,在25G?28G比特/s用途的情况下,由于传送信号的波长短,故如果要通过构成集中常数的电路的叠层陶瓷结构而实现图17的结构,则容易产生别的问题。
[0022]S卩,如果电容器电极还用作分布常数线路,电极尺寸形状与作为共面线路,带条(strip)线路的传送线路的适合尺寸不一致,则容易产生通过电感匹配信号反射,或衰减的冋题。
[0023]与此相反,对于没有针对片形电容器而进行特殊处理的普通的叠层陶瓷结构,如果以作为传送线路的适合尺寸为优先,则容易产生无法获得所希望的容量值的问题,被动均衡器的设计比较困难。
[0024]另一方面,在专利文献I的结构中,虽然结构简单,容易获得正确的线路电感值和电容器容量,但是由于将夹持绝缘层的上下的线路布图用作电容器电极,故与普通的耦合电容器相同,传送信号通过较宽的频带,会有选择地使mi信号附近的频率为低损耗等难以获得所希望的频率特性的情况。
[0025]另外,由于在该结构中,将直流(DC)隔断,故还具有下述的问题,即,直流附近的信号也大大地衰减,在超高速串行信号的传送中,难以使相同逻辑电平长时间持续而较低的传送信号通过,在大量地包括低频成分的传送信号中,产生比特错误。
[0026]本发明是针对解决这样的课题而提出的,本发明提供一种被动均衡器,其中,还可应对超高速串行信号的传送,特别是25G?28G比特/秒的传送信号,即使在内部电极尺寸的尺寸误差大的情况下,仍获得良好的通过特性。
[0027]用于解决课题的技术方案
[0028]为了实现上述目的,本发明的权利要求1的被动均衡器包括第I弯折线路,该第I弯折线路形成于电介质层的一个面上,其一端为信号输入位置,其另一端与第I终端电阻器连接;第2弯折线路,在经由上述电介质层,与上述第I弯折线路面对的一侧,按照沿上述第I弯折线路延伸,并且与其面对的方式形成,其一端位于上述第I弯折线路的另一端侧,构成信号输出位置,其另一端与第2组电阻器连接;第I导线路,该第I导线路按照以一定间隔与该第2弯折线路的形成面面对的方式形成,其一端为上述信号输入位置,其另一端为上述信号输出位置,至少I个部位在中途分割;第I串联电阻器,该第I串联电阻器按照将该第I导电路的分割区间连接的方式串联。
[0029]在本发明的权利要求2所述的被动均衡器中,上述第I和第2弯折线路具有下述的折返周期,即在信号输入位置和上述信号输出位置之间的中间的假想中间线上重合一部分的弯折线路的折返周期,并且按照相对上述中间线而在相互之间处于线对称的同一形状而形成。
[0030]在本发明的权利要求3所述的被动均衡器中,上述第I导线路为弯折线路。
[0031]在本发明的权利要求4所述的被动均衡器中,该被动均衡器包括第2导线路,该第2导线路在以一定间隔与该第I弯折线路的形成面面对的形成面上,按照沿第I导线路延伸,与其面对的方式形成,其一端为上述信号输入位置,并且其另一端为上述信号输出位置,至少I个部位在中途分割;第2串联电阻器,该第2串联电阻器按照将该第2导电路的分割区间连接的方式串联。
[0032]在本发明的权利要求5所述的被动均衡器中,上述第I和第2导线路的分割区间从上述中间线,形成于相互分隔的位置。
[0033]在本发明的权利要求6所述的被动均衡器中,上述第2导线路为弯折线路。
[0034]在本发明的权利要求7所述的被动均衡器中,上述第I和第2导线路按照相对上述中间线,相互之间处于线对称的同一形状而形成。
[0035]本发明的权利要求8所述的被动均衡器包括下述特征。
[0036]即第3弯折线路,该第3弯折线路在上述电介质层上,在上述第I弯折线路的形成面上,按照相对第I弯折线路,构成差动传送路对,呈线对称的形状形成,其一端位于其差动极性与上述信号输入位置相反的相位相反信号输入位置,其另一端与形成于与第I组电阻器相同的形成面上的第3电阻器的一端连接;第4弯折线路,该第4弯折线路在上述第2弯折线路的形成面上,相对于上述第2弯折线路,构成差动传送路对,呈线对称的形状而形成,位于该第3弯折线路的另一侧的一端为上述相反相位信号输入位置,其另一端与形成于与上述第2终端电阻器相同的形成面上的第4终端电阻器的一端连接;第3导线路,该第3导线路在与上述第I导线路相同的形成面上,以相对上述第I导线路,构成差动线路对,呈线对称的形状而形成,其一端为上述相反相位信号输入位置,并且其另一端为上述相反相位信号输出位置,至少I个部位在中途分割;第3串联电阻器,该第3串联电阻器按照将该第3导电路的分割区间连接的方式串联。
[0037]在本发明的权利要求9所述的被动均衡器中,上述第I和第2导线路具有下述的折返周期,即使横切它们的信号输入位置和上述信号输出位置之间的中间的假想中间线上重合一部分弯折线路的折返周期,且上述上述第I和第2导线路按照相对上述中间线而在相互之间呈线对称的同一形状而形成。
[0038]在本发明的权利要求10所述的被动均衡器中,上述第I和第3导线路为弯折线路
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