>[0197]在以上的本发明的实施方式中，由于在某或全部的终端电阻器5A?和串联电阻器7A?7D的连接部位，设置连接焊盘17A?17D，19A?19D，故可稳定地将这些电阻器连接。
[0198]此外，在本发明的被动均衡器E中，并不限于下述结构，在该结构中，如上所述，终端电阻器5A，5B形成于与第1，第3弯折线路1A，IB相同的形成面上，终端电阻器5C，?形成于与第2，第4弯折线路1C，ID相同的形成面上，串联电阻器7A，7B形成于第1，第3导线路3A，3B相同的形成面上，串联电阻器7C，7D形成于与第2，第4导线路相同的形成面上。
[0199]也可为下述的结构，在该结构中，终端电阻器5A?，串联电阻器7A?7D形成于不同于第I?第4弯折线路IA?1D，导线路3A?3D的电介质层等的形成面上，相互通过通路而连接。
[0200]由此，还可通过片状电阻器，构成终端电阻器5A?5D，串联电阻器7A?7D，经由通路而安装于衬底表面上；在根据需要，实际测定特性的同时，更换为最佳的电阻值的部件。
[0201]但是，本发明的被动均衡器E也可在单端传送路中实施。
[0202]该单端传送路结构可考虑本发明的被动均衡器E的基本结构，对于形成差动传送路的被动均衡器E，可视为设置2个单端传送路的类型。
[0203]S卩，形成下述结构，在该结构中，包括电介质层(第I层电介质层)9A;弯折线路(第I弯折线路)1A，其形成于电介质层(第I层电介质层)9A上，其一端为信号输入位置，其另一端与终端电阻器(第I终端电阻器)5A连接；弯折线路(第I弯折线路)1C，其按照在经由电介质层9A，而与弯折线路IA面对的一侧，沿弯折线路IA延伸，并且与其面对的方式形成，其一端为位于弯折线路IA的另一端侧的信号输入位置，其另一端与形成于介设电介质层9A而与上述弯折线路IA面对的一侧的终端电阻器(第2终端电阻器)5C连接；导线路(第I导线路)3A，其形成于以一定间隔与第2弯折线路IC的形成面面对的形成面上，其一端为信号输入位置，并且其另一端为信号输出位置，至少I个部位在中途断开；串联电阻器(第I串联电阻器)7A，其按照连接该导线路3A的分割区间的方式串联。上述电介质层9A不是必需的。
[0204]即使是这样的单端传送路的情况下，仍可通过与上述图1，图7，图9，图12，图14的结构相同的结构而实施，可获得根据这些方案而获得的效果相同的效果。
[0205]另外，在上述的本发明的实施例中，通过带有输入输出端子，接地端子的片状的单体部件形状而进行了说明。
[0206]但是，不仅采用单体部件，还可仅仅将去除了输入输出端子，接地端子的被动均衡器E的内部结构部组装于电路衬底内部，或为片状的元件，也可将具有其它的功能的电路，比如，在延迟线，公用模式滤波器中集成均衡器E的内部结构部，形成一个片状元件。
[0207]另外，并不限于陶瓷叠层步骤，也可通过薄膜步骤而制作，在这样的情况下，还可集成于半导体内部。
【主权项】
1.一种被动均衡器，其特征在于该被动均衡器包括: 第I弯折线路，该第I弯折线路形成于电介质层的一个面上，其一端为信号输入位置，其另一端与第I终端电阻器连接； 第2弯折线路，在介设上述电介质层，与上述第I弯折线路面对的一侧，按照沿上述第I弯折线路延伸，并且与其面对的方式形成，其一端位于上述第I弯折线路的另一端侧，构成信号输出位置，其另一端与第2组电阻器连接； 第I导线路，该第I导线路形成于以一定间隔与该第2弯折线路的形成面面对的面上，其一端为上述信号输入位置，其另一端为上述信号输出位置，至少I个部位在中途分割； 第I串联电阻器，该第I串联电阻器按照连接该第I导电路的分割区间的方式串联。
2.根据权利要求1所述的被动均衡器，其中，上述第I和第2弯折线路具有下述的弯折线路的折返周期，即使横切它们的信号输入位置和上述信号输出位置之间的中间的假想中间线上重合一部分的折返周期，并且按照相对上述中间线而在相互呈线对称的同一形状的方式形成。
3.根据权利要求1或2所述的被动均衡器，其中，上述第I导线路为弯折线路。
4.根据权利要求1?3中的任何一项所述的被动均衡器，其中，该被动均衡器包括: 第2导线路，该第2导线路在以一定间隔与该第I导线路的形成面面对的面上，按照沿第I导线路延伸，并与其面对的方式形成，其一端为上述信号输入位置，并且其另一端为上述信号输出位置，至少I个部位在中途分割； 第2串联电阻器，该第2串联电阻器按照将该第2导电路的分割区间连接的方式串联。
5.根据权利要求4所述的被动均衡器，其中，上述第I和第2导线路的分割区间从上述中间线，形成于相互分隔的位置。
6.根据权利要求4或5所述的被动均衡器，其中，上述第2导线路为弯折线路。
7.根据权利要求4或5所述的被动均衡器，其中，上述第I和第2导线路按照相对上述中间线，相互呈线对称的同一形状的方式形成。
8.根据权利要求1所述的被动均衡器，其中，该被动均衡器包括: 第3弯折线路，该第3弯折线路在上述电介质层上，在上述第I弯折线路的形成面上，按照相对第I弯折线路，构成差动传送路对，呈线对称的形状形成，其一端位于其差动极性与上述信号输入位置相反的相位相反信号输入位置，其另一端与形成于与第I组电阻器相同的形成面上的第3电阻器的一端连接； 第4弯折线路，该第4弯折线路在上述第2弯折线路的形成面上，以相对上述第2弯折线路，构成差动传送路对，呈线对称的形状而形成，位于该第3弯折线路的另一侧的一端为上述相反相位信号输入位置，其另一端与形成于与上述第2终端电阻器相同的形成面上的第4终端电阻器的一端连接； 第3导线路，该第3导线路在与上述第I导线路相同的形成面上，以相对上述第I导线路，构成差动线路对，呈线对称的形状而形成，其一端为上述相反相位信号输入位置，并且其另一端为上述相反相位信号输出位置，至少I个部位在中途分割； 第3串联电阻器，该第3串联电阻器按照连接该第3导电路的分割区间的方式串联。
9.根据权利要求8所述的被动均衡器，其中，上述第I和第2导线路具有下述折返周期，该折返周期使横切上述第I和第2导线路的信号输入位置和上述信号输出位置之间的中间的假想中间线上重合一部分的弯折线路，并且按照相对上述中间线而相互呈线对称的同一形状的方式形成。
10.根据权利要求8或9所述的被动均衡器，其中，上述第I和第3导线路为弯折线路。
11.根据权利要求8?10中的任何一项所述的被动均衡器，其中，该被动均衡器包括: 上述第2导线路，该第2导线路按照沿上述第I导线路而延伸，并且以一定距离与其形成面面对的方式形成，其一端为上述信号输入位置，并且其另一端为上述相反相位信号输出位置，至少一个部位在中途而分割； 上述第2串联电阻器，该第2串联电阻器按照连接该第2导线路的分割区间的方式串联; 第4导线路，该第4导线路在与上述第2导线路相同的形成面上，以相对上述第2弯折线路，构成差动传送路对，呈线对称的形状而形成，其一端为上述信号输入位置，并且其另一端为上述相反相位信号输出位置，至少一个部位在中途而分割； 上述第4串联电阻器，该第4串联电阻器按照连接该第4导线路的分割区间的方式串联。
12.根据权利要求11所述的被动均衡器，其中，上述第I?第4导线路的分割区间相对上述中间线，形成于相互分隔的位置。
13.根据权利要求11或12所述的被动均衡器，其中，上述第2和第4导线路为弯折线路。
14.根据权利要求11或12所述的被动均衡器，其中，上述第I和第2导线路以相对上述中间线，相互呈线对称的同一形状而形成。
【专利摘要】本发明的课题在于在高速串行传送中，使受到传送损耗，产生振幅差的数据信号的振幅均等。在第1电介质层（9A）的一个面上，形成第1弯折线路（1A），其一端为信号输入位置，其另一端与第1终端电阻器（5A）连接。在与第1电介质层（9A）面对的一侧，形成与第1弯折线路（1A）面对的第2弯折线路（1C）。在第2弯折线路（1C）中，其一端位于第1弯折线路（1A）的另一端侧，为信号输出位置，其另一端与第2终端电阻器（5C）连接。在与第1电介质层（9A）面对的一侧，形成第1导线路（3A）。第1导线路（3A）的一端连接于信号输入位置，其另一端连接于信号输出位置。通过第1串联电阻器（7A），将第1导线路（3A）的中途的分割区间连接。
【IPC分类】H04L25-03
【公开号】CN104541484
【申请号】CN201280075280
【发明人】龟谷雅明
【申请人】松江Elmec株式会社
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2012年12月10日
【公告号】WO2014091534A1