03可以为反相器INVl和INV2，其中，所述反相器INVl和INV2可以具有不同的电平转换标准。例如，所述比较器302所输出的比较结果Vl为逻辑高电平时的电平为4V，所述反相器INVl的供电电压可以为5V，所述反相器INV2的供电电压可以为1.5V。
[0038]所述电平转换电路303可以包括反相器INVl和INV2，还可以包括四个或者六个乃至更多的偶数个级联的反相器，偶数个级联的反相器将使得所述电平转换电路303所输出的信号与所述比较器302所输出的比较结果Vl的逻辑相同。
[0039]需要说明的是，本发明实施例中的电平转换电路303仅以偶数个级联的反相器为例，并不一次为限，电平转换电路303还可以采用奇数个级联的反相器，或者其他能够完成电平转换的电路或者电平转换芯片。
[0040]在本发明实施例中，所述分压电路包括:多个分压支路和耦接所述多个分压支路的分压选择电路，其中，所述分压选择电路在不同的控制信号的作用下，所述分压电路具有不同的分压比。这可以使得本实施例根据所述电压比较电路100所输入的被检测的信号为所述编程电压VEP还是所述擦除电压VEE来通过选择不同的分压电路，进而对所述编程电压VEP和所述擦除电压VEE采取不同的分压比进行分压，以使得分压后的所述编程电压VEP和所述擦除电压VEE适应于所述参考电压VREF，并与其进行比较。
[0041]在具体实施中，所述分压支路包括:第一电阻Rl和第二电阻R2，其中，所述第一电阻Rl的第一端输入有所述编程电压VEP或擦除电压VEE，所述第一电阻Rl的第二端连接所述第二电阻R2的第一端，并输出所述编程分压电压VEP或擦除电压VEE，所述第二电阻R2的第二端接地。
[0042]本发明实施例还公开一种嵌入式闪存，包括以上所述的嵌入式闪存的检测电路100，以及与所述检测电路耦接的微调电路200。
[0043]本发明实施例还公开一种基于所述检测电路100的嵌入式闪存的微调方法，包括以下步骤:
[0044]控制所述使能信号为所述第二逻辑电平，使得所述使能信号控制所述固定测试点20经由所述测试通道选择电路10耦接至所述电压比较电路30;
[0045]控制所述嵌入式闪存进入编程状态或擦除状态；
[0046]检测所述电压比较电路30的检测结果，若所述检测结果指示所述编程电压VEP或所述擦除电压VEE未达到所述目标电压，对所述编程电压VEP或擦除电压VEE进行微调，直到所述检测结果指示所述编程电压VEP或擦除电压Vffi达到所述目标电压。其中，需要指出的是，所述目标电压可以解释为所述编程电压VEP达到其目标编程电压，所述擦除电压VEE达到其目标擦除电压。
[0047]本实施例在保留现有技术中的固定测试点20来检测所述编程电压VEP或擦除电压VEE的基础上，采用控制使能信号的方式，控制选择由固定测试点20或者电压比较电路30对编程电压VEP或擦除电压VEE进行检测，当选择所述电压比较电路30时，则对编程电压VEP或擦除电压VEE进行自动化检测，并将所述电压比较电路30的检测结果传输于微调电路200，由微调电路200对编程电压VEP或擦除电压VEE进行调节以达到目标电压，这将使得对嵌入式闪存的在编程状态下的编程电压VEP或擦除状态下的擦除电压VEE的检测时间大大降低，具体地，在实测中，对比于现有技术，本实施例中的编程电压VEP或擦除电压VEE的检测时间可以节约三分之一，可以大大节约检测成本。
[0048]进一步而言，可以通过调节或设计所述固定测试点所提供的参考电压的精度，提高微调的精度，使得本实施例的检测电路100对所述编程电压VEP或擦除电压VEE的检测精度增加，具体地，在实测中，本实施例中的嵌入式闪存所输出的经过微调电路200微调后的编程电压VEP或擦除电压VEE的精度约为正负几十毫伏，相比于现有技术中约正负两百毫伏的精度有较大的改善。
[0049]此外，相比于现有技术，本实施例所增设的所述电压比较电路30的电路面积较小，因此，在嵌入式闪存芯片中，对芯片的面积的增加可以忽略。
[0050]图3(a)是本发明实施例嵌入式闪存处于擦除状态时各控制信号的时序图。
[0051]如图3(a)所示，在对所述擦除电压VEE的自动化测试与微调过程之前，需要对控制所述使能信号为第二逻辑电平，图中未高电平;在控制所述使能信号为高电平后，控制配置信号为高电平的窄带脉冲，由于在微调的过程中需要设置对应的档位电压以用来微调所述擦除电压VEE，此窄带脉冲使得嵌入式闪存将设置的所述档位电压的相关信息写入嵌入式闪存的寄存器内；控制擦除信号为高平，并在擦除信号的上升沿后的延迟Tnvs后，控制网络信号为低电平，使得嵌入式闪存进入擦除状态，同时，在经过延迟Taue后，电压比较电路30的输出端所输出的信号TMOUT建立完成后，信号TMOUT的数据有效，对信号TMOUT进行采样，并且在延迟!^⑶后擦除状态结束。可以对在微调时设置不同的微调档位，在本实施例中，并记录对应的微调结果至所述嵌入式闪存的寄存器中，作为嵌入式闪存的出厂配置。
[0052]图3(b)是本发明实施例嵌入式闪存处于编程状态时各控制信号的时序图。如图3
(b)所示，与以上所述擦除电压VEE的调节过程类似，图3(b)中的编程信号1、网络信号以及编程信号2来控制所述嵌入式闪存进入编程状态，所述编程电压VEP的检测和微调过程可参照前述相应实施例，此处不再赘述。
[0053]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种嵌入式闪存的检测电路，适于检测嵌入式闪存在编程状态下的编程电压或在擦除状态下的擦除电压，其特征在于，所述嵌入式闪存的检测电路包括: 测试通道选择电路，与固定测试点耦接，所述测试通道选择电路输入有使能信号； 电压比较电路，与所述测试通道选择电路耦接； 其中，当所述使能信号为第一逻辑电平时，所述固定测试点经由所述测试通道选择电路对所述编程电压或擦除电压进行检测； 当所述使能信号为不同于所述第一逻辑电平的第二逻辑电平时，所述固定测试点经由所述测试通道选择电路耦接至所述电压比较电路，所述电压比较电路将所述编程电压或擦除电压与所述固定测试点上的参考电压进行比较以产生检测结果； 所述检测结果适于传输至微调电路，所述微调电路适于根据所述检测结果对所述编程电压或擦除电压进行调节以达到目标电压。2.如权利要求1所述的嵌入式闪存的检测电路，其特征在于，所述电压比较电路包括: 分压电路，适于对所述编程电压进行分压以输出编程分压电压，或者对所述擦除电压进行分压以输出擦除分压电压； 比较器，所述比较器的第一输入端输入有所述参考电压，所述比较器的第二输入端输入有所述编程分压电压或所述擦除分压电压，并输出比较结果。3.如权利要求2所述的嵌入式闪存的检测电路，其特征在于，所述分压电路包括:多个分压支路和耦接所述多个分压支路的分压选择电路，其中，所述分压选择电路在不同的控制信号的作用下，所述分压电路具有不同的分压比。4.如权利要求3所述的嵌入式闪存的检测电路，其特征在于，所述分压支路包括:第一电阻和第二电阻，其中，所述第一电阻的第一端输入有所述编程电压或擦除电压，所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端，并输出所述编程分压电压或擦除分压电压，所述第二电阻的第二端接地。5.如权利要求2所述的嵌入式闪存的检测电路，其特征在于，所述电压比较电路还包括:电平转换电路，所述电平转换电路的输出端连接所述电压比较电路的输出端，适于对所述比较器所输出的比较结果进行变换。6.如权利要求5所述的嵌入式闪存的检测电路，其特征在于，所述电平转换电路包括偶数个级联的反相器。7.—种嵌入式闪存，包括权利要求1至6任一项所述的嵌入式闪存的检测电路，以及与所述检测电路耦接的微调电路。8.—种基于权利要求1至6任一项所述的检测电路的嵌入式闪存的微调方法，其特征在于，包括: 控制所述使能信号为所述第二逻辑电平； 控制所述嵌入式闪存进入编程状态或擦除状态； 检测所述电压比较电路的检测结果，若所述检测结果指示所述编程电压或所述擦除电压未达到所述目标电压，对所述编程电压或擦除电压进行微调，直到所述检测结果指示所述编程电压或擦除电压达到所述目标电压。
【专利摘要】一种嵌入式闪存的检测电路和微调方法、嵌入式闪存，所述嵌入式闪存的检测电路适于检测嵌入式闪存在编程状态下的编程电压或在擦除状态下的擦除电压，包括：测试通道选择电路，与固定测试点耦接，测试通道选择电路输入有使能信号；电压比较电路，与测试通道选择电路耦接；其中，当使能信号为第一逻辑电平时，固定测试点经由测试通道选择电路对编程电压或擦除电压进行检测；当使能信号为不同于第一逻辑电平的第二逻辑电平时，固定测试点经由测试通道选择电路耦接至电压比较电路，电压比较电路将编程电压或擦除电压与固定测试点上的参考电压进行比较以产生检测结果；所述检测结果适于传输至微调电路。本发明可大大缩短编程电压或擦除电压的检测时间。
【IPC分类】G11C29/50
【公开号】CN105609142
【申请号】CN201610135967
【发明人】李鸣
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2016年3月10日