, 1451s, 1413m, 1219s, 1151s, 1118s, 1086s, 1071s, 989m, 848s, 823s, 783s, 736s, 709s, 673m, 627s, 606s, 527s, 503s. 实施例3: 含有1，2，4-三唑的多吡啶桥联有机配体(L)的制备及结果讨论 1.合成实验及后处理： 将N-(4-吡啶基）-2-吡啶-硫代酰胺（21.5 g，0.1 mol)和4-吡啶甲酰肼（20.6 g， 0.15 mol)用200 mL正丁醇溶解，加热回流40小时后停止加热，冷却至室温，减压抽滤，用乙 醇洗涤三次后得到浅黄色固体。用乙醇重结晶，得到白色粉末产品。用分析天平准确称量， 计算产率为42%。
[0024] 2.结果及讨论： 分析测试仪器： 元素分析，C、H、N含量测定使用CE-440 (Leemanlabs)型元素分析仪 红外光谱，AVATAR-370 (Nicolet)傅立叶红外光谱仪 元素分析：理论值（CnHuNhMr = 300.3): C，67.99; H，4.03; N，27.98%;实际 值：C, 67.98; H, 4.04; N, 27.98%. 红外光谱：IR (溴化钾压片，cm_1): 1589m, 1567m, 1508m, 1451s, 1413m, 1218s, 1151s, 1118s, 1086s, 1070s, 989m, 848s, 823s, 782s, 736s, 709s, 673m, 627s, 606s，528s，503s. 实施例4: 配位聚合物材料[Ag (L) (N03) ] (CH30H) (H20) 2的制备及结果讨论 1 · [Ag(L) (N03) ] (CH30H) (H20)2的制备 在常温常压避光的条件下，将0.1 mmol的AgN03溶于水置于试管底部，加入缓冲层，然 后将0.1 mmol配体L用甲醇溶解，并缓慢地滴加到AgN03水溶液的上层，静置挥发3~5天得 到无色块状单晶产物。产率:67%。
[0025] 2.结果及讨论： 分析测试仪器： 元素分析，C、H、N含量测定使用CE-440 (Leemanlabs)型元素分析仪 红外光谱，AVATAR-370 (Nicolet)傅立叶红外光谱仪 粉末X-射线衍射仪，Bruker D8 Advance衍射仪 元素分析:理论值：C，40.16; H，3.75; N，18.22%;实验值：C，40.17; H，3.76; N, 18.20%. 红外光谱：IR (溴化钾压片，cm_1): 1642s, 1595m, 1451s, 1380w, 1112m, 983s, 850s， 783s， 709s， 612s， 624 m. 实施例5: 配位聚合物材料[Ag (L) (N03) ] (CH30H) (H20) 2的制备及结果讨论 1 · [Ag(L) (N03) ] (CH30H) (H20)2的制备 在常温常压避光的条件下，将0.2 mmol的AgN03溶于水置于试管底部，加入缓冲层，然 后将0.2 mmol配体L用甲醇溶解，并缓慢地滴加到AgN03水溶液的上层，静置挥发3~5天得 到无色块状单晶产物。产率:65%。
[0026] 2.结果及讨论： 分析测试仪器： 元素分析，C、H、N含量测定使用CE-440 (Leemanlabs)型元素分析仪 红外光谱，AVATAR-370 (Nicolet)傅立叶红外光谱仪 粉末X-射线衍射仪，Bruker D8 Advance衍射仪 元素分析:理论值:C，40.16; H，3.75; N，18.22%;实验值：C，40.15; H，3.75; N, 18.23%. 红外光谱：IR (溴化钾压片，cm_1): 1643s, 1595m, 1450s, 1380w, 1114m, 983s, 850s， 783s， 709s， 612s， 624 m. 实施例6: 配位聚合物材料[Ag (L) (N03) ] (CH30H) (H20) 2的制备及结果讨论 1 · [Ag(L) (N03) ] (CH30H) (H20)2的制备 在常温常压避光的条件下，将0.5 mmol的AgN03溶于水置于试管底部，加入缓冲层，然 后将0.5 mmol配体L用甲醇溶解，并缓慢地滴加到AgN03水溶液的上层，静置挥发3~5天得 到无色块状单晶产物。产率:62%。
[0027] 2.结果及讨论： 分析测试仪器： 元素分析，C、H、N含量测定使用CE-440 (Leemanlabs)型元素分析仪 红外光谱，AVATAR-370 (Nicolet)傅立叶红外光谱仪 粉末X-射线衍射仪，Bruker D8 Advance衍射仪 元素分析:理论值：C，40.16; H，3.75; N，18.22%;实验值：C，40.14; H，3.76; N, 18.21%. 红外光谱：IR (溴化钾压片，cm_1): 1643s, 1595m, 1450s, 1380w, 1113m, 984s, 851s, 783s, 709s, 610s, 624 m. 晶体数据：1: Ci8H2〇AgN7〇6，M = 538.28，monoclinic，space group P2m，a = 10.015(2) A, b = 14.505(3) A, c = 15.454(3) A, α = γ = 90 。， β= 104.390(3)， V = 2174.5(8) Α3， Ζ = 4， μ= 0.977 mm_1， GOF = 1.121， Rint = 0.0368， final R indices [I > 20(I)]心=0.0561 and wR2 =0.1457。
[0028] 应用实施例1: 配位聚合物材料[Ag(L) (N03) ] (CH30H) (H20)2对于Re〇4-离子的富集性能： (1)将实施例4中所得到的晶体样品（0.1 mmol)浸泡在含高铼酸钾（0.2 mmol)的 水溶液中，室温搅拌。10小时后将所得产物过滤、洗涤、真空干燥后待鉴定。鉴定手段为红外 光谱。
[0029] (2)将实施例4中所得到的晶体样品（0.1 mmol)浸泡在含高铼酸钾（0.4 mmol) 的水溶液中，室温搅拌8小时后将所得产物过滤、洗涤、真空干燥后待鉴定。鉴定手段为红外 光谱。
[0030] 红外光谱结果:交换产物和原配合物的红外光谱有明显不同，在910 cm 1出现了高 铼酸根的特征峰，而硝酸根1380cm1的特征峰消失。
[0031] ICP测试结果:该材料吸附高铼酸根的能力是0.98 mol/mol。
[0032] 以上结果证明本材料可作为高铼酸根阴离子的富集材料，并且在相同条件下无法 发生可逆交换。
[0033] 应用实施例2: 配位聚合物材料[Ag(L) (N03) ] (CH30H) (H20)2对Re〇4_阴离子富集性能的选择性： (1)将实施例4中所得到的晶体样品（0.1 mmol)浸泡在含四氟硼酸根(0.2 mmol)和 高铼酸根（0.2 mmol)的水溶液中，室温搅拌。10小时后将所得产物过滤、洗涤、真空干燥 后待鉴定。鉴定手段为红外光谱。
[0034]红外光谱结果:交换反应后所得产物的红外光谱出现高铼酸根的特征峰但是没有 出现四氟硼酸根的特征峰。
[0035] (1)将实施例4中所得到的晶体样品（0.1 mmol)浸泡在含高氯酸根(0.2 mmol) 和高铼酸根（0.2 mmol)的水溶液中，室温搅拌。10小时后将所得产物过滤、洗涤、真空干 燥后待鉴定。鉴定手段为红外光谱。
[0036]红外光谱结果:交换反应后所得产物的红外光谱出现高铼酸根的特征峰，但是没 有出现高氯酸根的特征峰。
[0037]以上结果证明本材料对于ReOf的离子交换具有较好的选择性。
【主权项】
1. 具有开放骨架的配位聚合物： [Ag(L) ] (BF4) (DMF)2，其中L的结构式如下：2. 权利要求1所述配位聚合物的制备方法，其特征在于在常溫常压下，将0.1~0.5 mmol的AgBF4的DMF溶液置于试管底部，然后在底层溶液上方添加乙酸乙醋缓冲层，之后将 0.1~0.5 mmol配体L用甲醇溶解，并缓慢地置于上述乙酸乙醋缓冲层的上层，静置挥发5~ 7天得到无色块状单晶产物。 3.3-(4-化晚基)-4,5-双(3-化晚基)-l，2,4-S挫有机配体，具有如下的结构式：4. 权利要求3所述3-(4-化晚基）-4,5-双（3-化晚基）-l，2,4-S挫有机配体的制备方 法，其特征在于按如下的具体步骤进行： 将N-(3-化晚基)-4-化晚-硫代酷胺和3-化晚甲酯阱用正下醇溶解，加热回流24~36小 时后停止加热，冷却至室溫，减压抽滤得到粗产品，用乙醇洗涂两到=次，得到黄色固体，然 后用乙醇进行重结晶，最后得到白色固体产物。5. 如权利要求4所述的制备方法，其中N-(3-化晚基)-4-化晚-硫代酷胺:4-化晚甲酯阱 的摩尔比为1: 1~1: 2.5。6. 具有二维结构的配位聚合物晶体，其特征在于所述配合物晶体属于单斜晶系，其所 具有的晶体结构参数如下：7. 权利要求1所述二维开放骨架配位聚合物对阴离子具有超高吸附效能方面的应用。8. 权利要求7所述应用，其中所述的对阴离子的富集效能指的是对重铭酸根阴离子的 高吸附效能。
【专利摘要】本发明涉及一种配位聚合物的制备及其应用。配合物的化学式为：[Ag(L)(NO3)](CH3OH)(H2O)2，其中L？=？4,5-双(4-吡啶基)-3-(2-吡啶基)-1,2,4-三唑。它是在常温常压避光的条件下，将AgNO3配制成水溶液滴加到试管底部，加入缓冲层后，将溶于甲醇的配体L缓慢滴加至试管上层，然后静置挥发，约3～4天试管中部长出了无色的块状晶体。实验证明，该材料空腔中的硝酸根离子不仅可以选择性地与高铼酸根离子发生阴离子交换，还对金属铼的富集吸收表现出了较强的能力。该材料克服了现有阴离子交换材料的局限性，有交换过程简单易行、交换速度快等优点，因而有望在离子交换材料领域得到实际应用。
【IPC分类】B01J45/00, C08G83/00, C30B29/58
【公开号】CN105646897
【申请号】
【发明人】李程鹏, 王思, 杜淼
【申请人】天津师范大学
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2016年1月15日