一种提高大杯蕈子实体铁含量的方法与流程

文档序号:15427638发布日期:2018-09-14 21:12阅读:354来源:国知局

本发明属于食用菌领域,具体涉及一种提高大杯蕈子实体铁含量的方法。



背景技术:

大杯蕈,又名大杯伞,属真菌门,层菌纲,伞菌目,口蘑科,杯伞属,是近年来栽培面积较广的珍稀食用菌之一。“莆蕈1号”由福建省莆田市农科所科研人员采自莆田市天然林内的野生大杯蕈驯化选育而成,是目前国内唯一认定的大杯蕈新品种,其子实体朵型较大,似漏斗状,成熟后菌盖紫褐色边缘呈波浪状,菌盖肉白色,有鳞片,菌柄白色-浅褐色,鳞毛,菌柄肉白色致密海绵状,子实体成熟后有明显的海鲜味。

铁是人体必需的、含量最多的微量营养素,是合成血红蛋白、肌红蛋白、脑红蛋白的主要物质,影响人体免疫功能、细胞能量代谢等重要生理过程,是维持生命的主要物质。铁缺乏可使血红蛋白含量和生理活性降低,影响大脑中营养素和氧的供应;长期缺乏则可发生缺铁性贫血,导致记忆力减退、免疫功能下降、心悸头晕等。铁的缺乏是一个全球性的问题,通过饮食补铁是最安全的方法。

申请号为201711178882.0公开了一种提高大杯蕈子实体硒含量的方法,其是在培养料中施加硒肥栽培大杯蕈,获得产量较高的高硒子实体。然而铁在食用菌体内转移性差,在培养料中添加铁肥,大杯蕈子实体铁含量几乎没有提高。



技术实现要素:

本发明的目的在于针对现有技术的不足,提供一种提高大杯蕈子实体铁含量的方法。本发明的栽培方法在保证大杯蕈产量的同时,提高了子实体的铁含量。

为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:

一种提高大杯蕈子实体铁含量的方法,包括如下步骤:

1)培养料预湿:将棉籽壳浸泡1d,然后捞出,与喷淋后的木屑混合并堆制2d;

2)拌料装袋:将步骤1)的堆制料铲入搅拌机中,加入麸皮、石灰和caco3,混合拌匀,得到培养料,调节含水量为65wt%;装袋机打包;

3)灭菌:将步骤2)装袋后的培养料于126℃、0.15mpa下灭菌2h;

4)接种:将步骤3)灭菌后的培养料冷却至28℃,接大杯蕈菌种,每袋接种量为2wt%;

5)培养:将接种后菌袋置于23-25℃培养室,满袋后继续培养3-5d;

6)开袋覆土:覆土材料为稻田土,厚度2-3cm,含水量20wt%;

7)喷施铁肥溶液:在菇蕾期、菌盖形成期、菇体生长期分别喷施2500-10000mg/l的铁肥溶液,每个时期喷施2次,每次喷施量为1l/m2

8)出菇采收:出菇条件为温度23-25℃,湿度85-90wt%,co2浓度500-1000ppm;待菌盖内卷时采收。

步骤2)所述的培养料中的干物质组成按质量分数计为:木屑40%,棉籽壳38%,麸皮18%,石灰2%,caco32%。

步骤4)所述的大杯蕈菌种为莆蕈1号。

步骤7)中所述的铁肥溶液是edta铁钠水溶液。

本发明的有益效果在于:

本发明利用edta铁钠溶液作为铁肥,在菇蕾期、菌盖形成期、菇体生长期分别以浓度2500-10000mg/l的铁肥溶液喷施“莆蕈1号”,在保证大杯蕈产率的同时,可获显著提高子实体中铁的含量;经本发明种植的大杯蕈子实体铁含量为37.6-110.0mg/kg,与未施铁肥相比,提高了72.5%-404.6%;此外,本发明配料易得,生产成本低。

具体实施方式

以下结合具体实施例对本发明做进一步说明,但本发明不仅仅限于这些实施例。

对比例1(未施铁肥溶液)

栽培“莆蕈1号”的培养料配方为:木屑40%,棉籽壳38%,麸皮18%,石灰2%,caco32%,以上均为干物质的质量;其中棉籽壳在使用前先浸泡1d,然后捞出,与喷淋后的木屑混合并堆制2d;培养料含水量65wt%。

先混合培养料并拌匀,装入17cm×33cm聚丙烯平底塑料袋内,每袋平均装干料400g,于126℃、0.15mpa灭菌2h,待培养料温度冷却到28℃,接种“莆蕈1号”菌株,接种量2wt%,接种后的培养袋置于24℃培养室培养,待菌丝满袋后继续培养3d,覆土,移入栽培室;覆土材料为稻田土,厚度3cm,含水量20wt%;覆土后室内空气湿度控制在85wt%,温度23℃,二氧化碳浓度500ppm;待菇盖内卷时采收。将采集的鲜菇样品置于45℃烘箱中烘干至衡重,测定子实体铁含量。以此法栽培“莆蕈1号”,其子实体铁含量为21.8mg/kg。

对比例2(在栽培料中添加铁肥)

栽培“莆蕈1号”的培养料配方为:木屑40%,棉籽壳38%,麸皮18%,石灰2%,caco32%,以上均为干物质的质量;其中棉籽壳在使用前先浸泡1d,然后捞出,与喷淋后的木屑混合并堆制2d;按培养料干重500、1000、1500mg/kg加入铁肥,然后调节培养料含水量65wt%;先混合培养料并拌匀,装入17cm×33cm聚丙烯平底塑料袋内,每袋平均装干料400g,于126℃、0.15mpa灭菌2h,待培养料温度冷却到28℃,接种“莆蕈1号”菌株,接种量2wt%,接种后的培养袋置于24℃培养室培养,待菌丝满袋后继续培养3d,覆土,移入栽培室;覆土材料为稻田土,厚度3cm,含水量20wt%;覆土后室内空气湿度控制在85wt%,温度23℃,二氧化碳浓度500ppm;待菇盖内卷时采收。将采集的鲜菇样品置于45℃烘箱中烘干至衡重,测定子实体铁含量。以此法栽培“莆蕈1号”,其子实体铁分别含量为22.7、22.6、19.6mg/kg。

实施例1

栽培“莆蕈1号”具体的培养料配方为:木屑40%,棉籽壳38%,麸皮18%,石灰2%,caco32%,以上均为干物质的质量;其中棉籽壳在使用前先浸泡1d,然后捞出,与喷淋后的木屑混合并堆制2d;培养料含水量65wt%。

先混合培养料并拌匀;装入17cm×33cm聚丙烯平底塑料袋内,每袋平均装干料400g,于126℃、0.15mpa灭菌2h,待培养料温度冷却到28℃,接种“莆蕈1号”菌株,接种量2wt%,接种后的培养袋置于24℃培养室培养,待菌丝满袋后继续培养3d,覆土,移入栽培室。覆土材料为稻田土,厚度3cm,含水量20wt%。覆土后室内空气湿度控制在85wt%,温度23℃,二氧化碳浓度500ppm。在菇蕾期、菌盖形成期、菇体生长期分别喷施2500mg/l的铁肥溶液,每个时期喷施2次,每次喷施量为1l/m2,待菇盖内卷时采收。将采集的鲜菇样品置于45℃烘箱中烘干至衡重,测定子实体铁含量。以此法栽培“莆蕈1号”,其子实体铁含量达37.6mg/kg,比对照组提高72.5%。

实施例2

栽培“莆蕈1号”具体的培养料配方为:木屑40%,棉籽壳38%,麸皮18%,石灰2%,caco32%,以上均为干物质的质量;其中棉籽壳在使用前先浸泡1d,然后捞出,与喷淋后的木屑混合并堆制2d;培养料含水量65wt%。

先混合培养料并拌匀;装入17cm×33cm聚丙烯平底塑料袋内,每袋平均装干料400g,于126℃、0.15mpa灭菌2h,待培养料温度冷却到28℃,接种“莆蕈1号”菌株,接种量2wt%,接种后的培养袋置于24℃培养室培养,待菌丝满袋后继续培养3d,覆土,移入栽培室。覆土材料为稻田土,厚度3cm,含水量20wt%。覆土后室内空气湿度控制在85wt%,温度23℃,二氧化碳浓度500ppm。在菇蕾期、菌盖形成期、菇体生长期分别喷施5000mg/l的铁肥溶液,每个时期喷施2次,每次喷施量为1l/m2,待菇盖内卷时采收。将采集的鲜菇样品置于45℃烘箱中烘干至衡重,测定子实体铁含量。以此法栽培“莆蕈1号”,其子实体铁含量达62.7mg/kg,比对照组提高187.6%。

实施例3

栽培“莆蕈1号”具体的培养料配方为:木屑40%,棉籽壳38%,麸皮18%,石灰2%,caco32%,以上均为干物质的质量;其中棉籽壳在使用前先浸泡1d,然后捞出,与喷淋后的木屑混合并堆制2d;培养料含水量65wt%。

先混合培养料并拌匀;装入17cm×33cm聚丙烯平底塑料袋内,每袋平均装干料400g,于126℃、0.15mpa灭菌2h,待培养料温度冷却到28℃,接种“莆蕈1号”菌株,接种量2wt%,接种后的培养袋置于24℃培养室培养,待菌丝满袋后继续培养3d,覆土,移入栽培室。覆土材料为稻田土,厚度3cm,含水量20wt%。覆土后室内空气湿度控制在85wt%,温度23℃,二氧化碳浓度500ppm。在菇蕾期、菌盖形成期、菇体生长期分别喷施7500mg/l的铁肥溶液,每个时期喷施2次,每次喷施量为1l/m2,待菇盖内卷时采收。将采集的鲜菇样品置于45℃烘箱中烘干至衡重,测定子实体铁含量。以此法栽培“莆蕈1号”,其子实体铁含量达78.8mg/kg,比对照组提高261.5%。

实施例4

栽培“莆蕈1号”具体的培养料配方为:木屑40%,棉籽壳38%,麸皮18%,石灰2%,caco32%,以上均为干物质的质量;其中棉籽壳在使用前先浸泡1d,然后捞出,与喷淋后的木屑混合并堆制2d;培养料含水量65wt%。

先混合培养料并拌匀;装入17cm×33cm聚丙烯平底塑料袋内,每袋平均装干料400g,于126℃、0.15mpa灭菌2h,待培养料温度冷却到28℃,接种“莆蕈1号”菌株,接种量2wt%,接种后的培养袋置于24℃培养室培养,待菌丝满袋后继续培养3d,覆土,移入栽培室。覆土材料为稻田土,厚度3cm,含水量20wt%。覆土后室内空气湿度控制在85wt%,温度23℃,二氧化碳浓度500ppm。在菇蕾期、菌盖形成期、菇体生长期分别喷施10000mg/l的铁肥溶液,每个时期喷施2次,每次喷施量为1l/m2,待菇盖内卷时采收。将采集的鲜菇样品置于45℃烘箱中烘干至衡重,测定子实体铁含量。以此法栽培“莆蕈1号”,其子实体铁含量达110.0mg/kg,比对照组提高404.6%。

以上所述仅为本发明的较佳实施例,凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修士,皆应属本发明的涵盖范围。

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