环状件及晶片夹持组件的制作方法

本发明系关于环状件及晶圆夹持组件，更具体而言，系关于具有外环部、内环部、及凸出部的环状件及晶圆夹持组件。

背景技术：

在晶片的处理过程中(例如在等离子清洗或表面预处理时)，因为晶片中含有不同的材料(例如半导体材料(例如硅)、塑料材料、金属材料等)，而不同材料的比例在各个方向上不同，当晶片受热时，边缘容易向上或向下翘曲(warpage)，导致晶片处理时使用化学物质可能流动到边缘，造成直流偏压(vdc)参数异常，使晶片处理结果不佳(例如残留不均匀的金属材料)或造成产品短路或开路，影响晶片的产出率。

技术实现要素：

本揭露的实施例涉及一种晶片夹持组件，其包含底座及环状件。所述底座具有底部表面及侧壁，所述侧壁环绕所述底部表面，所述底部表面及所述侧壁定义空间以容置晶片。所述环状件具有外环部、内环部及多个凸出部，所述外环部具有与所述侧壁接触的第一表面，所述内环部与所述外环部连接，并位于所述底座的所述底部表面上方，所述多个凸出部与所述内环部连接，并位于所述底座的所述底部表面上方。

本揭露的实施例涉及一种环状件。所述环状件包含外环部、与所述外环部连接的内环部、及与所述内环部连接的多个凸出部。其中当所述环状件设置于底座上时，所述外环部具有与所述底座的侧壁接触的第一表面，所述内环部及所述多个凸出部位于所述底座的底部表面上方。

附图说明

在下文中参考随附图式讨论至少一项实施例的各种方面，所述图式并不意在按比例绘制。在图、实施方式或任何权利要求中的技术特征伴随元件符号之处，已出于增大图、实施方式或权利要求书中的可理解性的唯一目的而包括所述元件符号。因此，元件符号的存在与否皆不意在具有对任何权利要求书元素的范围的限制效应。在图中，在各种图中绘示的各相同或几乎相同的组件通过相同数字表示。为清晰起见，并非每一组件皆在每一图中标记。所述图出于绘示及解释的目的提供且不视为本发明的限制的定义。在图中：

图1所示为根据本案的某些实施例的环状件的俯视图；

图2所示为根据本案的某些实施例的晶片夹持组件的侧视图；

图3所示为根据本案的某些实施例的晶片夹持组件的侧视图；及

图4所示为根据本案的某些实施例的晶片夹持组件的侧视图。

具体实施方式

参照图1，图1所示为根据本案的某些实施例的环状件1的俯视图。环状件1包含外环部11、内环部12及多个凸出部13(在本说明书中统称为凸出部13)。环状件1的大小可经设计，使得环状件1的外环部11可围绕被夹持物(未绘示于图1中)，内环部12及凸出部13可位于被夹持物上方用以避免被夹持物翘曲，且环状件1可与被夹持物一同放置于机台(例如，等离子清洗机台)中进行处理。

在本发明中，被夹持物可为，例如(但不限于)晶片、散出型晶片级封装(fan-outwaferlevelpackage)、散入型晶片级封装(fan-inwaferlevelpackage)、重新构建晶片(reconstitutedwafer)等。上述晶片的尺寸可为例如(但不限于)8英寸晶片、12英寸晶片等。

如图1所示，外环部11包含外侧表面11a及与外侧表面11a相对的内侧表面11b。内环部12包含外侧表面12a及与外侧表面12a相对的内侧表面12b。外侧表面11a围绕所形成的面积大于内侧表面11b围绕所形成的面积。外侧表面12a围绕所形成的面积大于内侧表面12b围绕所形成的面积。内侧表面11b围绕所形成的面积大体上等于外侧表面12a围绕所形成的面积。

外环部11与内环部12连接，内环部12与凸出部13连接。例如，如图1所示，内环部12的外侧表面12a与外环部11的内侧表面11b接触，凸出部13与内环部12的内侧表面12b接触。在一些实施例中，内环部12的外侧表面12a与外环部11的内侧表面11b直接接触，凸出部13与内环部12的内侧表面12b直接接触。在一些实施例中，内环部12的外侧表面12a与外环部11的内侧表面11b相邻，凸出部13与内环部12的内侧表面12b相邻。在一些实施例中，内环部12的外侧表面12a与外环部11的内侧表面11b之间形成接合面，凸出部13与内环部12的内侧表面12b之间形成接合面。

内环部12位于外环部11的内侧，凸出部13位于内环部12的内侧。外环部11位于内环部12的外侧，内环部12位于凸出部13的外侧。例如，如图1所示，外环部11包围内环部12，内环部12包围凸出部13。外环部11环绕内环部12，内环部12环绕凸出部13。

在一些实施例中，外环部11、内环部12、与凸出部13可为一体成型。例如，内环部12的外侧表面12a与外环部11的内侧表面11b之间形成连续接合面，凸出部13与内环部12的内侧表面12b之间形成连续接合面。在一些实施例中，环状件1可为由若干个部件所组合或集成而形成的元件。例如，环状件1可为由外环部11、内环部12、与凸出部13彼此组合或集成而形成。

在一些实施例中，外环部11、内环部12与凸出部13可包含例如(但不限于)高分子材料、陶瓷材料或其他电绝缘材料。在一些实施例中，外环部11、内环部12与凸出部13可耐热至少70度(℃)，视晶片处理的温度而定。

虽然图1中绘示的外环部11及内环部12为环状，但本发明并不限于此。在一些实施例中，外环部11及内环部12可经设计为其他任意的几何形状，以符合机台规格或晶片处理的需求。应注意的是，凸出部13不像外环部11及内环部12般为一个整体的环状，而是多个凸出部13排列成环状。

虽然图1中绘示环状件1具有13个凸出部13，但本发明并不限于此。凸出部13的数量可经设计成够多以防止晶片翘曲，但应够少以避免影响晶片处理的化学物质的流动性。在一些实施例中，环状件1具有至少15个凸出部13，例如20个凸出部13或24个凸出部13。在一些实施例中，凸出部13彼此之间的间隔可相等或不相等。例如，在一些实施例中，凸出部13等间隔地设置在内环部12的内侧表面12b上。部分的内侧表面12b从凸出部13之间的间隔暴露出来。

虽然图1中绘示凸出部13具有圆弧状的侧表面，但本发明并不限于此。在一些实施例中，凸出部13可经设计为其他任意的几何形状，以符合机台规格或晶片处理的需求。

参照图2，图2所示为根据本案的某些实施例的晶片夹持组件3的侧视图。晶片夹持组件3包含环状件1及底座2。根据本揭露部分实施例，环状件1可包含如图1所示的环状件，也可为其他任意适合的环状件。当使用时，晶片4放置于底座2上方，环状件1放置于底座2及晶片4上方并且压住晶片4的外围或边缘，以防止晶片4翘曲，使晶片4维持大体上平面，并阻挡晶片处理的化学物质或微粒等污染物往晶片4的边缘移动。

如图2所示，底座2包含底座主体21及环绕或包围底座主体21的侧壁22。底座主体21具有底部表面21s，侧壁22具有侧壁表面22s。底部表面21s与侧壁22定义空间以容纳晶片4。例如，侧壁22位于底部表面21s的外围或边缘，侧壁22形成所述空间的侧壁，底部表面21s形成所述空间的底部表面。当晶片4容纳于所述空间时，侧壁22环绕或包围晶片4。在一些实施例中，侧壁22可接触或可不接触晶片4，例如所述空间可经设计成等于或大于晶片4的尺寸。

如图2所示，外环部11具有表面11s，内环部12具有表面12s，凸出部13具有表面13s。表面11s与侧壁22的侧壁表面22s接触，表面12s及表面13s面向底部表面21s。当晶片4放置于底部表面21s上时，表面12s及表面13s与晶片4接触。

在一些实施例中，表面11s、表面12s及表面13s共面。例如，如图2所示，表面11s、表面12s及表面13s大体上位于同一水平面。表面11s、表面12s及表面13s三者之间无高低落差。表面11s、表面12s及表面13s三者邻接。

在一些实施例中，在方向d1上，表面11s、表面12s及表面13s与底部表面21s的距离大体上相等。

在一些实施例中，晶片4可包含有效裸片区域(gooddiearea)以及无效裸片区域(baddiearea)。在一些实施例中，无效裸片区域相较于有效裸片区域位于晶片4的外围。

在一些实施例中，内环部12的表面12s可位于无效裸片区域上方。由于内环部12的表面12s位于无效裸片区域上方，因此即使内环部12为环状而完全挡住化学物质接触无效裸片区域，使无效裸片区域未经处理或处理不足，对于晶片处理的产出率无太大的影响。

在一些实施例中，凸出部13的表面13s可位于无效裸片区域上方，且也可位于有效裸片区域上方。由于凸出部13不像外环部11及内环部12般为一个整体的环状，而是多个凸出部13排列成环状，因此即使位于有效裸片区域上方，也不会阻挡晶片处理的化学物质流向晶片4的外围或边缘，使得晶片4的外围或边缘未经处理或处理不足。

在一些实施例中，表面11s、表面12s及表面13s在方向d2上的宽度可经设计，以符合机台规格或晶片处理的需求。例如，表面12s在方向d2上的宽度不应过长，以免遮盖晶片4的外围或边缘，使得晶片4的外围或边缘未经处理或处理不足。

参照图3，图3所示为根据本案的某些实施例的晶片夹持组件5的侧视图。图3的晶片夹持组件5与图2的晶片夹持组件3相似，其中相异之处在于晶片夹持组件5的内环部12及凸出部13在使用时未接触晶片4。

如图3所示，晶片夹持组件5的内环部12及凸出部13未接触晶片4。在一些实施例中，表面11s、表面12s及表面13s不共面。例如，如图3所示，表面11s、表面12s及表面13s大体上均位于不同的水平面。表面11s、表面12s及表面13s之间具有高低落差。

在一些实施例中，在方向d1上，表面11s、表面12s及表面13s与底部表面21s的距离大体上均不相等。例如，在方向d1上，表面11s与底部表面21s的距离d1小于表面12s与底部表面21s的距离d2，表面12s与底部表面21s的距离d2小于表面13s与底部表面21s的距离d3。

图2的晶片夹持组件3虽然可以完全地接触并且压制晶片4的外围或边缘，以防止晶片4翘曲并阻挡污染物往晶片4的外围或边缘移动，但由于图2的晶片夹持组件3的内环部12及凸出部13挡住晶片处理的化学物质流向晶片4的外围或边缘，使得晶片4的外围或边缘未经处理或处理不足。根据本揭露的图3的实施例，由于晶片夹持组件5的内环部12及凸出部13在使用情境中时未接触晶片4，可以在不影响化学物质的流动性的情况下，发挥避免晶片翘曲的功能。

距离d2及距离d3可经设计成够近以避免晶片翘曲，但应够远以避免影响晶片处理的化学物质的流动性。在一些实施例中，距离d2可介于约0.2毫米到约0.5毫米之间。在一些实施例中，距离d3可介于约0.5毫米到约0.7毫米之间。

参照图4，图4所示为根据本案的某些实施例的晶片夹持组件6的侧视图。图4的晶片夹持组件6与图3的晶片夹持组件5相似，其中相异处在于晶片夹持组件6的内环部12及凸出部13共面。例如，如图4所示，表面12s及表面13s大体上位于同一水平面。表面12s及表面13s邻接。表面12s及表面13s之间无高低落差。在一些实施例中，在方向d1上，表面12s及表面13s与底部表面21s的距离大体上相等。例如，在方向d1上，表面12s与底部表面21s的距离d4等于表面13s与底部表面21s的距离d4。表面11s与底部表面21s的距离d1小于距离d4。

将了解，本文讨论的方法及装置的实施例在应用中不限于在下列描述中提出或在随附图式中绘示的组件的构造及配置的细节。方法及装置能够实现于其他实施例中且可以各种方式实践或执行。特定实施方案的实例在本文中仅用于绘示的目的而提供且不意在限制。特定来说，结合任何一或多项实施例讨论的动作、元件及特征不意在从任何其他实施例中的类似角色排除。

而且，在本文中使用的措辞及术语出于描述的目的且不应视为限制。对以单数形式指涉的本文的系统及方法的实施例或元件或动作的任何参考也可包含包括多个此等元件的实施例，且以复数形式对本文的任何实施例或元件或动作的任何参考也可包含仅包括单一元件的实施例。单数形式或复数形式的参考不意在限制当前所揭示的系统或方法、其等组件、动作或元件。本文中“包括”、“包含”、“具有”、“含有”、“涉及”及其等的变形的使用想要涵盖在其后列出的项目及其等的等效物以及额外项目。对“或”的参考可视为包括性的使得使用“或”的任何项可指示所描述的项的单一、一个以上及所有的任一者。对前部及后部、左侧及右侧、顶部及底部、上部及下部及垂直及水平的任何参考意在为方便描述，而不将本系统及方法或其等组件限于任何一个位置或空间定向。

因此，在已描述至少一项实施例的若干方面的情况下，应了解，所属领域的技术人员容易想到各种更改、修改及改良。此等更改、修改及改良意在是本发明的部分且意在处于本发明的范围内。因此，以上描述及图式仅是通过实例，且应从随附权利要求书及其等的等效物的正确构建来确定本发明的范围。

符号说明

1环状件

2底座

3晶片夹持组件

4晶片

5晶片夹持组件

6晶片夹持组件

11外环部

11a外侧表面

11b内侧表面

11s表面

12内环部

12a外侧表面

12b内侧表面

12s表面

13凸出部

13s表面

21底座主体

21s底部表面

22侧壁

22s侧壁表面

d1方向

d2方向

d1距离

d2距离

d3距离

d4距离