技术特征：
1.一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有：热固化性含硅的材料，包含下述通式(sx-1)所示的重复单元、下述通式(sx-2)所示的重复单元、及下述通式(sx-3)所示的部分结构中的任一种以上，及下述通式(p-0)所示的化合物；式中，r1为具有1个以上的硅醇基、羟基或羧基的有机基团，或因酸、热中的任一者或两者的作用而保护基会脱离并产生1个以上的硅醇基、羟基或羧基的有机基团；r2、r3分别独立地和r1相同，或为氢原子或碳数1～30的1价取代基；式(p-0)中，r
100
表示经1个以上的氟原子取代的2价有机基团，r
101
及r
102
分别独立地表示也可经杂原子取代或也可夹杂杂原子的碳数1～20的直链状或支链状或环状1价烃基；r
103
表示也可经杂原子取代或也可夹杂杂原子的碳数1～20的直链状或支链状或环状2价烃基；此外，r
101
与r
102
、或r
101
与r
103
也可互相键结并和式中的硫原子一起形成环；l
104
表示单键、或也可经杂原子取代或也可夹杂杂原子的碳数1～20的直链状或支链状或环状2价烃基。2.根据权利要求1所述的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，更含有交联催化剂。3.根据权利要求2所述的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述交联催化剂为锍盐、碘鎓盐、鏻盐、铵盐或具有它们作为结构的一部分的聚硅氧烷、或碱金属盐。4.根据权利要求1至3中任一项所述的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，更含有具有酸分解性取代基的含氮化合物。5.一种图案形成方法，其特征为：于被加工体上使用涂布型有机下层膜材料来形成有机下层膜，于所述有机下层膜之上使用根据权利要求1至4中任一项所述的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物来形成含硅的抗蚀剂下层膜，于所述含硅的抗蚀剂下层膜上使用化学增幅型抗蚀剂组合物来形成光致抗蚀剂膜，于加热处理后对所述光致抗蚀剂膜进行曝光，使用有机溶剂显影液使所述光致抗蚀剂膜的未曝光部溶解，从而形成负型图案，以所述形成有图案的光致抗蚀剂膜作为掩模并利用干蚀刻将图案转印于所述含硅的抗蚀剂下层膜，以所述转印有图案的含硅的抗蚀剂下层膜作为掩模并利用干蚀刻对所述有机下层膜进行图案转印，再以所述转印有图案的有机下层膜作为掩模并利用干蚀刻将图案转印于所述被加工体。6.一种图案形成方法，其特征为：于被加工体上利用cvd法形成以碳作为主成分的有机硬掩模，于所述有机硬掩模之上使用根据权利要求1至4中任一项所述的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物来形成含硅的
抗蚀剂下层膜，于所述含硅的抗蚀剂下层膜上使用化学增幅型抗蚀剂组合物来形成光致抗蚀剂膜，于加热处理后对所述光致抗蚀剂膜进行曝光，使用有机溶剂显影液使所述光致抗蚀剂膜的未曝光部溶解，从而形成负型图案，以所述形成有图案的光致抗蚀剂膜作为掩模并利用干蚀刻将图案转印于所述含硅的抗蚀剂下层膜，以所述转印有图案的含硅的抗蚀剂下层膜作为掩模并利用干蚀刻对所述有机硬掩模进行图案转印，再以所述转印有图案的有机硬掩模作为掩模并利用干蚀刻将图案转印于所述被加工体。7.根据权利要求5或6所述的图案形成方法，其中，所述光致抗蚀剂膜的图案形成是通过利用波长为10nm以上且300nm以下的光学光刻、电子束所为的直接刻写、纳米压印或它们的组合来进行的图案形成。8.根据权利要求5或6所述的图案形成方法，其中，所述被加工体为半导体装置基板、金属膜、合金膜、金属碳化膜、金属氧化膜、金属氮化膜、金属氧化碳化膜或金属氧化氮化膜。9.根据权利要求5或6所述的图案形成方法，其中，构成所述被加工体的金属为硅、镓、钛、钨、铪、锆、铬、锗、铜、银、金、铟、砷、钯、钽、铱、铝、铁、钼、钴或它们的合金。