污染减少系统的制作方法

本发明涉及一种污染减少系统。特别地，但不排他地，涉及一种用于等离子体环境(例如光刻环境)中的污染减少系统。

背景技术：

1、光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(ic)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如掩模或掩模版)处的图案投影到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

2、为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定可以形成于衬底上的特征的最小尺寸。相比于例如使用波长为193nm的辐射的光刻设备，使用波长在4-20nm的范围内(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。

3、euv辐射可能导致在光刻设备内产生污染。例如，euv辐射可以与光刻设备中存在的物质(例如少量气体)相互作用以形成等离子体。等离子体可以提供适当强度的静电力以从光刻设备内的表面释放污染物粒子。通常，增加euv辐射的功率会增加由于euv产生的等离子体而从表面释放的粒子的数量。

4、污染物粒子可能被运送到并入射到敏感光学表面上。例如，污染物粒子可以入射在图案形成装置上(即，入射在掩模或掩模版上)。这种污染物粒子可能被成像到衬底上并破坏期望的投影图案，导致光刻设备制造出缺陷产品。作为另一示例，污染物粒子可能损坏光刻设备的部件或光刻设备中存在的物体(例如，它们可能破坏保护掩模版的表膜)，从而增加维护活动的频率并降低光刻设备的产量。因此，可以期望减轻上述问题中的一个或多个。

技术实现思路

1、根据本发明的第一方面，提供了一种污染减少系统，该污染减少系统用于减少图案化系统的污染，包括：支撑件，所述支撑件被布置成将图案化系统保持在辐射束中；遮光件，所述遮光件被配置成为图案化系统遮挡辐射束的一部分；以及电极，所述电极定位在遮光件和支撑件之间，电极连接到电压源，并被配置成在电极和由支撑件保持的图案化系统之间产生电场。

2、电场使得电极和图案化系统之间的至少一个带电粒子被电极吸引。电场使得至少一个带电粒子被引导远离图案化系统。带电粒子可以是污染物。在一个实施例中，图案化系统可以包括衬底。在其他实施例中，衬底可以是掩模版，或具有表膜的掩模版。

3、这样的布置可以在等离子体环境中使用。等离子体环境可以至少部分地由于辐射束入射在图案形成装置的附近而引起。由于电机被遮挡辐射束，所以电极位于等离子体环境中的远离等离子体的主体的位置，因此可以可控制地被偏压。此外，由于电极位于遮光件和图案化系统之间，因此仅需相对小的电压来产生足够大的电场以引导粒子远离图案化系统。低电压会降低电弧的风险，尤其是在等离子体环境中。因此，本发明适用于减少位于等离子体环境中的图案化系统的污染。

4、当图案化系统由支撑件保持时，电极位于遮光件和图案化系统之间。即，当图案形成装置在使用中时，电极位于遮光件和图案化系统之间。在使用中，污染减少系统可以包括被辐射束照射的图案化系统。电极可以放置在遮光件和支撑件之间，但与遮光件和支撑件电绝缘。电极可以不与遮光件或支撑件直接接触。电场可以大致垂直于图案化系统的平面。图案化系统可以用作第二电极。

5、支撑件被布置成将图案化系统保持在辐射束中。因此，支撑件被配置成在辐射束被施加到图案化系统时保持图案化系统。

6、电极可以是单个电极。即，可以仅存在单个电极位于遮光件和图案化系统之间。电场可以在单个电极和图案化系统之间产生，其中单个电极用作第一电极，图案化系统用作第二电极。这样的布置使得能够在单个电极和图案化系统之间产生电场，从而在无需图案化系统附近的大量体积的情况下减少或防止污染。因此，这种布置可以在小体积中使用，而不会有太多体积损失。

7、电极可以相对于支撑件分开地安装。电极可以分开地移动到支撑件和图案化系统。电极可以机械地联接到遮光件。电极可以与遮光件一起移动，使得电极保持被遮挡辐射束。电极可以移动到图案化系统的期望减少污染的位置。

8、电场可以小于2v/mm。使用这样的低电场减少了产生电弧的机会，有利地提高了污染减少系统的安全性。另外地，电压可以小于1v/mm。

9、所产生的电场的幅值可以大于预定值，预定值表示与当没有电压被施加到电极时在图案化系统处的电场相对应的第二电场，其中所产生的电场和第二电场的极性相反。

10、相反的极性意味着所产生的电场的方向与第二电场的方向相反。以这种方式，所产生的电场可以克服第二电场。由此，当施加电压时，当没有施加电压时将被吸引到图案化系统的污染物可以被电极吸引，并被转移远离图案化系统。这样的电场可以通过根据预定值选择待由电压源施加的电压来产生。

11、图案化系统处的电场可以是由于辐射束的入射而产生。图案化系统处的电场可以是由于图案化系统处于等离子体环境中。在图案化系统处可以被认为是在图案化系统的附近，例如在图案化系统的接收来自辐射束的辐射的表面上或靠近所述表面。可以使用一个以上的预定值。

12、污染减少系统还可以包括用于测量图案化系统处的电场的装置。该预定值可以包括所测量的电场。例如，污染减少系统可以包括传感器。可以在图案化系统的表面处和/或在接近该表面的区域中测量电场。通过根据经验测量，可以通过施加基于此计算的电压来准确地克服在没有电压被施加到电极情况下的电场。

13、污染减少系统还可以包括用于存储预定值的存储器。例如，预定值可以根据理论分析和/或建模来计算。预定值可以对应于一个或多个根据经验测量的电场值。

14、预定值可以包括随时间变化的函数。由电压源施加的电压可以随时间变化，并且可以根据预定值来选择。即，所产生的电场可以随时间变化。所施加的电压可以是连续可变的。变化的电压可以使得能够施加较低的电压，同时仍然减少污染。

15、污染减少系统还可以包括控制装置，所述控制装置可操作以控制由电压源施加的电压。

16、污染减少系统还可以包括气体出口，所述气体出口被配置成向被布置成被辐射束照射的图案化系统的表面提供气体。气体出口可以产生气幕，所述气幕抑制中性污染物粒子和/或未带电的粒子到达图案化系统。

17、气体出口和电极可以是一体的。即，气体喷嘴可以包括电极。有利地，这允许在几乎没有体积损失的情况下将电极结合到图案化系统中，因为在图案化系统内的具有其他有益用途的表面可以被提供有双重功能。

18、污染减少系统还可以包括冷却系统，该冷却系统被配置成从电极移除热量。通过提供冷却系统，例如由于与等离子体环境的相互作用而产生的任何热量积聚都可以被移除。移除热量可以减少电极的损坏和/或减少使附着在电极上的污染物释放的风险。移除热量可以增加污染减少系统的寿命。

19、电极可以包括大致平行于图案化系统和/或遮光件的平面延伸的平坦表面。具有这种结构的电极可以经历可忽略不计的由于感应电场导致的机械损坏。电极可以具有垂直于图案化系统和/或遮光件的平面的毫米量级的厚度。平行于/垂直于图案化系统的平面应当关于当在正常使用中被支撑件保持时的图案化系统来解释。

20、电极可以包括第一部分和与第一部分电隔离的第二部分。可以向第一部分和第二部分中的每一个施加不同的电压。由此，例如因为可以产生具有不同的极性/方向的附加电场，因此可以执行附加的污染物引导。

21、根据本发明的第二方面，提供了一种包根据括本发明的第一方面的任何实施例的污染减少系统的掩模版台。

22、根据本发明的第三方面，提供了一种光刻设备，该光刻设备包括根据本发明的第二方面的掩模版台和/或根据本发明的第一方面的任何实施例的污染减少系统。

23、根据本发明的第四方面，提供了一种防止图案化系统污染的方法，图案化系统被保持在辐射束中，并且图案化系统的一部分被遮光件遮挡辐射束，所述方法包括向位于遮光件和图案化系统之间的电极施加电压，使得在电极和图案化系统之间产生电场。

24、支撑件被布置成将图案化系统保持在辐射束中。因此，支撑件被配置成在辐射束被施加到图案化系统时保持图案化系统。

25、电场使得电极和图案化系统之间的至少一个带电粒子被电极吸引。电场使得至少一个带电粒子被引导远离图案化系统。带电粒子可以是污染物。

26、这样的布置可以在等离子体环境中使用。等离子体环境可以至少部分地由于辐射束入射在图案形成装置的附近而引起。

27、所施加的电压可以使得所产生的电场的幅值大于预定值，该预定值表示与当没有电压被施加到电极时在图案化系统处的电场相对应的第二电场，其中所产生的电场和第二电场的极性相反。

28、相反的极性意味着所产生的电场的方向与第二电场的方向相反。以这种方式，所产生的电场可以克服第二电场。由此，当施加电压时，当没有施加电压时将被吸引到图案化系统的污染物可以被电极吸引，并被转移远离图案化系统。这样的电场可以通过根据预定值选择待由电压源施加的电压来产生。

29、图案化系统处的电场可以是由于辐射束的入射而产生。图案化系统处的电场可以是由于图案化系统处于等离子体环境中。在图案化系统处可以被认为是在图案化系统的附近，例如在图案化系统的接收来自辐射束的辐射的表面上或靠近所述表面。可以使用一个以上的预定值。

30、该方法还可以包括测量当没有电压被施加到电极时在图案化系统处的电场。替代地，可以从理论上计算当没有施加电压时在图案化系统处的电场。可选地，该方法还可以包括存储所测量的或所计算的电场。

31、施加电压可以包括在第一时间间隔期间施加第一电压和在第二时间间隔期间施加第二电压，其中第一电压和第二电压不同。

32、电压可以根据辐射束的特性变化，所述辐射束的特性本身可以随时间变化。例如，变化可以是辐射束的脉冲速率和/或功率的函数。通过施加变化的电压，所产生的电场可以被调整为变化的电场，所述电场由于辐射束的入射而产生。变化的电压可以使得能够施加较低的电压，同时仍然减少污染。电压可以根据在图案化系统附近经历的电场和/或图案化系统经历的偏压(例如由于入射辐射束)而变化。

33、第一电压可以具有第一极性，第二电压可以具有与第一极性相反的第二极性。使极性相反可以促使一个或多个污染物被从电极的表面释放。一个或多个污染物的释放可以有利于清洁和/或量测目的。

34、可以引入伪衬底，使得所释放的污染物可以附着到伪衬底。这样的伪衬底可以降低使所释放的污染物附着到其他部件(例如图案化系统)的风险。这样的伪衬底可以用于随后的量测过程，例如通过感测伪衬底的表面的污染物的一种或多种特性。

35、根据本发明的第五方面，提供了一种量测系统，所述量测系统用于确定等离子体环境中的污染特性，所述量测系统包括根据本发明的第一方面的污染减少系统的任何实施例和感测设备，该感测装置可操作以确定电极的表面上的一个或多个污染物粒子的一种或多种特性。

36、这样的量测系统可以用于更好地理解等离子体环境中(例如光刻设备中)的污染特性。

37、特性包括一个或多个污染物粒子的体积和/或密度和/或成分。

38、将理解的是，关于一个方面或实施例描述的特征可以与关于另一方面或实施例描述的任何特征相结合，并且本文中明确考虑并公开所有这些组合。