1.一种污染减少系统，用于减少图案化系统的污染，所述污染减少系统包括：
2.根据权利要求1所述的污染减少系统，其中所述电极为单个电极。
3.根据权利要求1或2所述的污染减少系统，其中所述电极相对于所述支撑件分开地安装。
4.根据前述权利要求中任一项所述的污染减少系统，其中所述电场小于2v/mm。
5.根据前述权利要求中任一项所述的污染减少系统，其中所产生的电场的幅值大于预定值，所述预定值表示与当没有电压被施加到所述电极时在所述图案化系统处的电场相对应的第二电场，其中所产生的电场和所述第二电场的极性相反。
6.根据权利要求5所述的污染减少系统，还包括用于测量在所述图案化系统处的电场的装置，其中所述预定值包括所测量的电场。
7.根据权利要求5或6所述的污染减少系统，还包括存储器，所述存储器用于存储所述预定值。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的污染减少系统，其中所述预定值包括随时间变化的函数，其中由电压源施加的电压随时间变化，并且根据所述预定值来选择。
9.根据前述权利要求中任一项所述的污染减少系统，还包括气体出口，所述气体出口被配置成向被布置成被所述辐射束照射的所述图案化系统的表面提供气体。
10.根据权利要求9所述的污染减少系统，其中所述气体出口和所述电极是一体的。
11.根据前述权利要求中任一项所述的污染减少系统，还包括冷却系统，所述冷却系统被配置成从所述电极移除热量。
12.根据前述权利要求中任一项所述的污染减少系统，其中所述电极包括大致平行于所述图案化系统和/或所述遮光件的平面延伸的平坦表面。
13.根据前述权利要求中任一项所述的污染减少系统，其中所述电极包括第一部分和与所述第一部分电隔离的第二部分。
14.一种掩模版台，所述掩模版台包括根据前述权利要求中任一项所述的污染减少系统。
15.一种光刻设备，所述光刻设备包括根据权利要求14所述的掩模版台和/或根据权利要求1至13所述的污染减少系统。
16.一种防止图案化系统的污染的方法，所述图案化系统被保持在辐射束中，并且所述图案化系统的一部分被遮光件遮挡所述辐射束，所述方法包括：向位于所述遮光件和所述图案化系统之间的电极施加电压，使得在所述电极和所述图案化系统之间产生电场。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所施加的电压使得所产生的电场的幅值大于预定值，所述预定值表示与当没有电压被施加到所述电极时在所述图案化系统处的电场相对应的第二电场，其中所产生的电场和所述第二电场的极性相反。
18.根据权利要求17所述的方法，还包括测量当没有电压被施加到所述电极时在所述图案化系统处的电场。
19.根据权利要求16至18中任一项所述的方法，其中施加电压包括：在第一时间间隔期间施加第一电压和在第二时间间隔期间施加第二电压，其中所述第一电压和所述第二电压不同。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一电压具有第一极性，并且所述第二电压具有与所述第一极性相反的第二极性。
21.一种量测系统，所述量测系统用于确定等离子体环境中的污染特性，所述量测系统包括根据权利要求1至13中任一项所述的污染减少系统和感测设备，所述感测设备能够操作以确定所述电极的表面上的一个或多个污染物粒子的一种或多种特性。
22.根据权利要求21所述的量测系统，其中所述特性包括所述一个或多个污染物粒子的体积和/或密度和/或成分。