技术特征：
1.一种euv级衬底的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底为热膨胀系数小于或等于1ppm/℃的石英基板；在所述基底上形成具有负热膨胀系数的有机聚合物材料层，所述有机聚合物材料层的热膨胀系数为-10ppm/℃至0ppm/℃，所述有机聚合物材料层的弹性模量小于所述基底的弹性模量；对所述有机聚合物材料层进行诱导裂纹处理，以形成相应的裂纹；在所述有机聚合物材料层的表面上旋涂具有正热膨胀系数的碳材料，以形成填充相应的所述裂纹且具有平坦表面的旋涂碳层，进而形成euv级衬底，且所述旋涂碳层和所述有机聚合物材料层的热膨胀系数相互补偿，使得euv级衬底表面的热膨胀系数小于或等于0.1ppm/℃。2.如权利要求1所述的euv级衬底的制造方法，其特征在于，所述有机聚合物材料层与所述基底的弹性模量之比为0.1-0.9。3.如权利要求1所述的euv级衬底的制造方法，其特征在于，所述有机聚合物材料层包括含酰胺结构的聚酰亚胺材料。4.如权利要求1所述的euv级衬底的制造方法，其特征在于，在所述基底上形成具有负热膨胀系数的有机聚合物材料层包括：在所述基底的表面上旋涂或者沉积有机聚合材料直至所需厚度；对所述有机聚合物材料进行固化，以形成所述有机聚合物材料层。5.如权利要求4所述的euv级衬底的制造方法，其特征在于，对所述有机聚合物材料进行固化的步骤包括：在真空或者氮气或者惰性气体的氛围中，按照温度递减的方式，在不同温度下对所述有机聚合物材料进行多次烘烤固化，以形成所述有机聚合物材料层。6.如权利要求1所述的euv级衬底的制造方法，其特征在于，所述对所述有机聚合物材料层进行诱导裂纹处理的步骤包括：对所述有机聚合物材料层进行多次烘烤，使有机聚合物材料层内部形成相应的裂纹。7.如权利要求6所述的euv级衬底的制造方法，其特征在于，所述诱导裂纹处理中的每次烘烤的温度范围为100℃~250℃，烘烤时间为1小时~3小时。8.如权利要求1~7中任一项所述的euv级衬底的制造方法，其特征在于，所述有机聚合物材料层的厚度为20nm~100nm；和/或，所述裂纹的尺寸为2nm ~50nm。9.一种euv掩模基版的制造方法，其特征在于，包括：采用如权利要求1~8中任一项所述的euv级衬底的制造方法，形成euv级衬底；在所述euv级衬底的旋涂碳层上依次形成反射膜堆栈层和吸收层，以形成euv掩模基版。10.如权利要求9所述的euv掩模基版的制造方法，其特征在于，在所述旋涂碳层上形成所述反射膜堆栈层之后且在形成所述吸收层之前，还包括：在所述反射膜堆栈层上形成覆盖层；以及，在形成所述吸收层之后，还包括：在所述衬底背向所述旋涂碳层的表面上形成背面导电层。11.一种euv掩模版的制造方法，其特征在于，包括：采用权利要求9或10所述的euv掩模基版的制造方法，形成euv掩模基版；蚀刻所述euv掩模基版的吸收层，以所述吸收层中形成第一图案；
蚀刻所述第一图案外围的所述euv掩模基版的吸收层和反射膜堆栈层，且蚀刻停止在所述euv掩模基版的旋涂碳层的表面上，以形成第二图案。12.一种euv级衬底，其特征在于，包括：基底，所述基底为热膨胀系数小于或等于1ppm/℃的石英基板；具有负热膨胀系数的有机聚合物材料层，形成在所述基底上，且所述有机聚合物材料层的热膨胀系数为-10ppm/℃至0ppm/℃，所述有机聚合物材料层的弹性模量小于所述基底的弹性模量，所述有机聚合物材料层中形成有相应的裂纹；可移除的旋涂碳层，形成在所述有机聚合物材料层的表面上并填充相应的所述裂纹，所述旋涂碳层具有正热膨胀系数，并和所述有机聚合物材料层的热膨胀系数相互补偿，使得euv级衬底表面的热膨胀系数小于或等于0.1ppm/℃。13.如权利要求12所述的euv级衬底，其特征在于，所述有机聚合物材料层与所述基底的弹性模量之比为0.1-0.9。14.如权利要求12所述的euv级衬底，其特征在于，所述有机聚合物材料层的材料包括含酰胺结构的聚酰亚胺材料。15.如权利要求12所述的euv级衬底，其特征在于，所述有机聚合物材料层的厚度为20nm~100nm；和/或，所述裂纹的尺寸为2nm ~50nm。16.一种euv掩模基版，其特征在于，包括：如权利要求12~15中任一项所述的euv级衬底；反射膜堆栈层，形成在所述euv级衬底的旋涂碳层上；吸收层，形成在所述反射膜堆栈层上。17.如权利要求16所述的euv掩模基版，其特征在于，还包括：覆盖层，形成在所述反射膜堆栈层的顶层反射膜和所述吸收层之间；以及，背面导电层，形成在所述euv级衬底背向所述反射膜堆栈层的表面上。18.一种euv掩模版，其特征在于，所述euv掩模版具有如权利要求16或17中任一项所述的euv掩模基版，且所述euv掩模版还具有第一图案和第二图案，所述第一图案形成在所述euv掩模基版的吸收层中，所述第二图案贯穿所述euv掩模基版的吸收层和反射膜堆栈层并暴露出所述euv掩模基版的旋涂碳层的表面。
技术总结
本发明提供了一种EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法，在基底上覆盖具有负热膨胀系数的有机聚合物材料层，并对有机聚合物材料层进行诱导裂纹处理，形成相应的裂纹，进一步在有机聚合物材料层的裂纹中以及表面上覆盖旋涂碳层（Spin-on Carbon，SOC），使得所述EUV级衬底表面的热膨胀系数小于或等于0.1ppm/℃，进而可以获得低成本、高性能、低缺陷的EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩摸版。EUV掩摸版。EUV掩摸版。
技术研发人员：季明华 董于虎 黄早红
受保护的技术使用者：上海传芯半导体有限公司
技术研发日：2022.09.05
技术公布日：2022/10/3