1.一种超低损耗大有效面积单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层有两层，最中心的为第一芯层，第一芯层半径r1为1～2.5μm，相对折射率差δn1为0.04％～0.12％，第一芯层外为第二芯层，第二芯层半径r2为3.5～6.5μm，相对折射率差δn2为0.08％～0.12％，且δn1≤δn2，所述的包层包括有内包层和外包层，所述的内包层为氟掺杂二氧化硅玻璃层，内包层半径r3为25～45μm，相对折射率差δn3为-0.32％～-0.20％，且δn2-δn3≥0.32，所述的外包层半径r4为62.5μm，相对折射率差为δn4为-0.18％～-0.10％，且δn4-δn3≥0。
2.按权利要求1所述的超低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于所述第一芯层为锗氯氟共掺二氧化硅玻璃层，第一芯层所含的氯浓度≥7000ppm，且第一芯层的含氯量低于第二芯层，第一芯层所含的锗浓度≤3000ppm，所述的第二芯层为高氯掺杂二氧化硅玻璃层，氯浓度≥10000ppm。
3.按权利要求1或2所述的超低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于在第一芯层中间、第一芯层与第二芯层之间、第二芯层与内包层之间掺杂有碱金属，碱金属浓度由内向外逐渐减少，含量为50～1500ppm。
4.按权利要求3所述的超低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于所述碱金属源化合物为碱金属卤化物。
5.按权利要求4所述的超低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于所述碱金属源化合物纯度为大于等于99.9％，优选为粉末状。
6.按权利要求1或2所述的超低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于所述的内包层相对折射率差随半径的增大而增大，呈逐渐递增状。
7.按权利要求1或2所述的超低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1550nm处的衰减等于或小于0.155db/km；所述光纤在波长1625nm处的衰减等于或小于0.175db/km。
8.按权利要求1或2所述的超低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1550nm处的有效面积为110～150μm2。
9.按权利要求1或2所述的超低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤的成缆截止波长等于或小于1530nm。
10.按权利要求1或2所述的超低损耗大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤以30mm半径弯曲100圈，在波长1550nm处的宏弯损耗等于或小于0.05db。
11.一种超低损耗大有效面积掺杂碱金属单模光纤的制备方法，其特征在于