一种阵列基板及其制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]显示装置包括多个透光区，以及围绕每个透光区的遮光区，其中，遮光区上包括黑矩阵，该黑矩阵可防止从背光源出射的光从遮光区泄漏，以保证透光区正常显示画面。
[0003]然而，本申请发明人在实际应用中发现，黑矩阵仅可用于防止从背光源出射的光从遮光区泄漏，而没有其他作用，这就使得遮光区无法得到有效利用。并且，随着显示装置分辨率逐渐增加，遮光区的面积也在逐渐增加，因而亟需寻求方法以有效利用遮光区。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，以有效利用遮光区。
[0005]为达到上述目的，本发明采用如下技术方案:
[0006]一种阵列基板，包括多个透光区，以及围绕每个所述透光区的遮光区，所述遮光区上包括依次层叠设置的第一电极、光电转换薄膜和第二电极，所述第一电极、所述光电转换薄膜和所述第二电极构成光电转换单元，所述第一电极为透明电极。
[0007]本发明提供的阵列基板具有如上结构，由于遮光区上包括依次层叠设置的第一电极、光电转换薄膜和第二电极，并且第一电极为透明电极，因而背光源出射的光可透过第一电极到达光电转换薄膜，光电转换薄膜可将光能转换为电能，也即，第一电极、光电转换薄膜和第二电极构成的光电转换单元可吸收从背光源出射的光，使光无法透过，因而第一电极、光电转换薄膜和第二电极构成的光电转换单元可与现有技术中的黑矩阵一样起到遮光作用；并且，光电转换薄膜产生的电能可供应给显示装置，与现有技术中黑矩阵仅能用于遮光相比，本发明中，光电转换单元除用于遮光外，还能产生可供给显示装置的电能，因而可有效利用遮光区。
[0008]此外，本发明还提供了一种显示装置，该显示装置包括如上所述的阵列基板。由于该显示装置包括以上所述的阵列基板，因而显示装置与阵列基板相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。
[0009]此外，本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括多个透光区，以及围绕每个所述透光区的遮光区，所述方法包括:
[0010]形成第一电极层，经过构图工艺在所述遮光区上形成包括第一电极的图形；
[0011]形成光电转换薄膜层，经过构图工艺在所述遮光区上形成包括光电转换薄膜的图形；
[0012]形成第二电极层，经过构图工艺在所述遮光区上形成包括第二电极的图形；
[0013]其中，所述第一电极、所述光电转换薄膜和所述第二电极构成光电转换单元，且所述第一电极为透明电极。
[0014]由于上述阵列基板的制作方法与阵列基板相对于现有技术所具有的优势相同，因而在此不再赘述。
【附图说明】
[0015]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本发明实施例提供的阵列基板的平面结构图；
[0017]图2为图1中沿A-A’方向的剖面图；
[0018]图3为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法流程图。
[0019]附图标记说明:
[0020]I 一遮光区；11 一第一电极；12—光电转换薄膜；
[0021]13一第二电极；14一第二电极；2—透光区；
[0022]21—像素电极；22—公共电极；23—绝缘层；
[0023]24—彩色滤光层。
【具体实施方式】
[0024]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0025]实施例一
[0026]本发明实施例提出了一种阵列基板，如图1和图2所示，该阵列基板包括多个透光区2，以及围绕每个透光区2的遮光区1，遮光区I上包括依次层叠设置的第一电极11、光电转换薄膜12和第二电极13，第一电极11、光电转换薄膜12和第二电极13构成光电转换单元，其中，第一电极11为透明电极。
[0027]需要说明的是，光电转换薄膜12包括N型半导体薄膜和P型半导体薄膜，N型半导体薄膜和P型半导体薄膜构成PN结；此外，光电转换薄膜12还可包括位于N型半导体薄膜和P型半导体薄膜之间的I型半导体薄膜，N型半导体薄膜、I型半导体薄膜和P型半导体薄膜构成PIN结。优选地，光电转换薄膜12包括N型半导体薄膜、I型半导体薄膜和P型半导体薄膜，以构成PIN结。与PN结相比，PIN结因具有I型半导体薄膜而使其势皇较大，此时PIN结能够吸收大量的光子，并将其转换为电流，因此PIN结对光线的转换效率较高。
[0028]以下以光电转换薄膜12为PIN结为例，对光电转换薄膜12的材质进行说明。光电转换薄膜12的材质可为非晶硅材质或微晶硅材质，当光电转换薄膜12的材质为非晶硅材质时，示例性地，如图2所示，光电转换薄膜12从下向上可依次包括掺磷氢化非晶硅层、本征氢化非晶硅层和掺硼氢化非晶硅层，其中掺磷氢化非晶硅层作为N型半导体薄膜，本征氢化非晶硅层作为I型半导体薄膜，掺硼氢化非晶硅层作为P型半导体薄膜，掺磷氢化非晶硅层、本征氢化非晶硅层和掺硼氢化非晶硅层构成PIN结。当光电转换薄膜12的材质为微晶硅材质时，示例性地，如图2所示，光电装换薄膜22从下到上可依次包括掺磷氢化微晶硅层、本征氢化微晶硅层和掺硼氢化微晶硅层，其中掺磷氢化微晶硅层作为N型半导体薄膜，本征氢化微晶硅层作为I型半导体薄膜，掺硼氢化微晶硅层作为P型半导体薄膜，掺磷氢化微晶硅层、本征氢化微晶硅层和掺硼氢化微晶硅层构成PIN结。
[0029]在以上所述阵列基板中，第一电极11为透明电极，示例性地，第一电极11可为氧化铟锡材质第一电极，如此设计，可使背光源出射的光线透过第一电极11到达光电转换薄膜12，从而利用光电转换薄膜12将光能转换为电能。
[0030]在现有技术中，通常使用黑矩阵实现遮光区的遮光作用，而在本发明中，由于第一电极11、光电转换薄膜12和第二电极13构成的光电转换单元可吸收从背光源出射的光，使光无法透过，因而第一电极11、光电转换薄膜12和第二电极13构成的光电转换单元的作用与现有技术中黑矩阵的作用相同，此时可使光电转换单元替代黑矩阵。
[0031]阵列基板工作时，在遮光区1，从背光源出射的光线透过第一电极11照射到光电转换薄膜12上，光电转换薄膜12将光能转换为电能，从而可供应给显示装置中需要电量的器件，与现有技术中黑矩阵只有遮光作用相比，本发明的光电转换单元不仅能起到遮光作用，还能将光能转换为电能，进而可将电能供应给显示装置，因而可有效利用遮光区I。
[0032]在上述实施例中，第二电极13不做特殊限定，可为透明电极，示例性地，为氧化铟锡材质第二电极；也可为非透明电极，示例性地，为金属材质第二电极。由于背光源出射的光有可能未被光电转换薄膜12完全吸收，此时可能会有部分光线透过遮光区，因而优选地，第二电极13为非透明电极，此时第二电极13可遮挡未被光电转换薄膜12完全吸收的光，从而使背光源出射的光线无法透过光电转换单元，也即无法透过遮光区，因而可保证透光区正常显示，不会出现亮条纹等缺陷。
[0033]此外，如图2所示，遮光区上还可包括第三电极14，光电转换薄膜12、第二电极13和第三电极14依次层叠设置，该第三电极14为非透明电极。示例性地，第三电极14为金属材质第三电极。如此设计，使得当第二电极13为透明电极时，第三电极14可遮挡未被光电转换薄膜12完全吸收的光，从而