仍然可使背光源出射的光线无法透过光电转换单元，也即无法透过遮光区，因而可保证透光区正常显示，不会出现亮条纹等缺陷。
[0034]此外，在现有技术中，随着显示技术的发展，用于驱动透光区的线路逐渐变窄，但是由于用于遮盖线路的黑矩阵的材质无法精细构图，因而黑矩阵的面积无法减小，使得显示装置的开口率无法减小，而在本发明中，第一电极11、光电转换薄膜12和第二电极13均可精细构图，因而与现有技术中黑矩阵的面积相比，第一电极11、光电转换薄膜12和第二电极13构成的光电转换单元的面积较小，从而可减小遮光区I的面积，增大开口率。
[0035]在上述实施例中，透光区2上包括像素电极21和公共电极22，在一种情形中，像素电极21与第一电极11同层设置，和/或，公共电极22与第二电极13同层设置。具体地，“像素电极21与第一电极11同层设置，和/或，公共电极22与第二电极13同层设置”可为，像素电极21与第一电极11同层设置，此时，像素电极21和第一电极11可同时形成，因而可简化阵列基板的制作工艺，并且，公共电极22和第二电极13同层设置，此时公共电极22与第二电极13可同时形成，因而可进一步简化阵列基板的制作工艺；也可为，仅像素电极21与第一电极11同层设置；还可为，仅公共电极22与第二电极13同层设置。优选地，像素电极21与第一电极11同层设置，且公共电极22与第二电极13同层设置，此时可进一步简化阵列基板的制作工艺。需要说明的是，当公共电极22与第二电极13同层设置时，第二电极13为透明电极。
[0036]在另一种情形中，像素电极21与第二电极13同层设置，和/或，公共电极22与第一电极11同层设置。“像素电极21与第二电极13同层设置，和/或，公共电极22与第一电极11同层设置”可为，像素电极21与第二电极13同层设置，此时像素电极21和第二电极13可同时形成，因而可简化阵列基板的制作工艺，并且，公共电极22与第一电极11同层设置，此时公共电极22和第一电极11可同时形成，因而可进一步简化阵列基板的制作工艺；也可为，仅像素电极21与第二电极13同层设置；还可为，仅公共电极22与第一电极11同层设置。优选地，像素电极21与第二电极13同层设置，且公共电极22与第一电极11同层设置，此时可进一步简化阵列基板的制作工艺。需要说明的是，当像素电极21与第二电极13同层设置时，第二电极13为透明电极。
[0037]需要说明的是，如图2所示，像素电极21和公共电极22之间设置有绝缘层23，以使像素电极21和公共电极22之间绝缘。
[0038]在上述实施例中，如图2所示，透光区上还包括彩色滤光层24，彩色滤光层24、第一电极11和光电转换薄膜12依次层叠设置。示例性地，彩色滤光层24包括红色树脂层、绿色树脂层和蓝色树脂层，彩色滤光层24所包括的红色树脂层、绿色树脂层和蓝色树脂层分别与透光区2相对应。如此设计，使得在阵列基板与显示装置所包括的彩膜基板对盒过程中，不会因阵列基板和彩膜基板之间的对位误差而使得红色树脂层、绿色树脂层和蓝色树脂层与透光区2对位不准确；而现有技术中，彩色滤光层24设置在彩膜基板上，因而在阵列基板与彩膜基板对盒过程中，会因阵列基板和彩膜基板之间的对位误差而使得两种颜色的树脂层同时出现在一个透光区2，导致色彩串扰。因此，与现有技术中彩色滤光层24设置在彩膜基板上相比，在本发明中，彩色滤光层24设置在阵列基板的透光区2，使得在阵列基板和彩膜基板对盒过程中，不会因对位误差而导致彩色滤光层24与透光区2对位不准确，因而不会产生色彩串扰的问题。
[0039]在上述实施例中，遮光区I上还包括彩色滤色层24，作为平坦层；彩色滤色层24、第一电极和光电转换薄膜依次层叠设置。如此设计，可使阵列基板上的膜层更加平坦，使得阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层分布更加均匀。
[0040]此外，遮光区上还包括薄膜晶体管、栅线和数据线等，其中，薄膜晶体管包括源极和漏极，像素电极21与源极电连接。
[0041]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述技术方案所提供的阵列基板。由于该显示装置包括以上技术方案中的阵列基板，因此该显示装置与以上技术方案中的阵列基板具有相同的有益效果，在此不再赘述。
[0042]需要说明的是，本发明实施例所提供的显示装置可为:电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0043]实施例二
[0044]本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，该阵列基板包括多个透光区，以及围绕每个透光区的遮光区，如图3所示，该方法包括:
[0045]步骤S301、形成第一电极层，经过构图工艺在遮光区上形成包括第一电极的图形。示例性地，通过等离子增强化学气相沉积、溅射或者热蒸发等方法形成一层第一电极层，在第一电极层上涂覆光刻胶，使用具有第一电极的图形的掩膜板遮盖涂覆有光刻胶的第一电极层，经过曝光、显影、刻蚀等步骤后，在遮光区上形成包括第一电极的图形。
[0046]步骤S302、形成光电转换薄膜层，经过构图工艺在遮光区上形成包括光电转换薄膜的图形。示例性地，通过等离子体化学气相沉积等方法，在形成有包括第一电极的图形的衬底基板上形成光电转换薄膜层，在光电转换薄膜层上涂覆光刻胶，使用具有包括光电转换薄膜的图案的掩膜板遮盖涂覆有光刻胶的电转换薄膜层，经过曝光、显影等步骤后，在遮光区上形成包括光电转换薄膜的图形。
[0047]步骤S303、形成第二电极层，经过构图工艺在遮光区上形成包括第二电极的图形；其中，第一电极、光电转换薄膜和第二电极构成光电转换单元，且第一电极的材质为透明导电材质。示例性地，通过等离子增强化学气相沉积、溅射或者热蒸发等方法形成一层第二电极层，在第二电极层上涂覆光刻胶，使用具有第二电极的图形的掩膜板遮盖涂覆有光刻胶的第二电极层，经过曝光、显影、刻蚀等步骤后，在遮光区上形成包括第二电极的图形。
[0048]其中，第一电极、光电转换薄膜和第二电极构成光电转换单元，且第一电极为透明电极。
[0049]以下参照图2所示的阵列基板，对步骤S301、S302和S303的执行顺序进行说明，需要说明的是，图2中的阵列基板水平放置。当背光源设置在阵列基板的下方时，首先执行步骤S301形成第一电极11，然后执行步骤S302形成光电转换薄膜12，接着执行步骤S303形成第二电极13，使得背光源出射的光从第一电极11透过，射到光电转换薄膜12上；当背光源放置在阵列基板的上方时，可首先执行步骤S303形成第二电极13，然后执行步骤S302形成光电转换薄膜12，接着执行步骤S301形成第一电极11，使得背光源出射的光从第一电极11透过，射到光电转换薄膜12上。
[0050]在现有技术中，通常使用黑矩阵实现遮光区的遮光作用，而在本发明中，由于第一电极、光电转换薄膜和第二电极构成的光电转换单元可吸收从背光源出射的光，使光无法透过，因而第一电极、光电转换薄膜和第二电极构成的光电转换单元的作用与现有技术中黑矩阵的作用相同，此时可使光电转换单元替代黑矩阵。阵列基板工作时，在遮光区，从背光源出射的光线透过第一电极照射到光电转换薄膜上，光电转换薄膜将光能转换为电能，从而可供应给显示装置中需要电量的器件，与现有技术中黑矩阵只有遮光作用相比，本发明的光电转换单元将光能转换为电能，进而可将电能供应给显示装置，因而可有效利用遮光区。
[0051]在上述实施例中，第二电极的材质可为透明导电材质，还可为非透明导电材质。由于背光源出射的光有可能未被光电转换薄膜完全吸收，此时可能会有部分光线透过遮光区，因而优选地，第二电极的材质为非透明导电材质，此时第二电极可遮挡未被光电转换薄膜完全吸收的光，从而使背光源出射的光线无法透过光电转换单元，也即无法透过遮光区，因而可保证透光区正常显示，不会出现亮条纹等缺陷。
[0052]在上述实施例中，阵列基板的制作方法还可包括:在遮光区形成第三电极，其中，光电转换薄膜、第二电极和第三电极依次层叠设置，第三电极的材质为非透明导电