还可以包括在线偏振片104的出光侧的保护层120，构造为保护减反射结构101，例如，保护层120可以由透光绝缘材料形成。
[0086]示例性地，线偏振片104可以包括二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂，延迟膜102可以包括可聚合液晶和光引发剂。其中，二向色性染料可为Xll(BASF)或S-428;可聚合液晶可为LC242(merck)等普通向列相液晶，光引发剂可为184。
[0087]示例性地，线偏振片104可以包括质量百分比为1%_20%的二向色性染料、质量百分比为75 % -95 %的可聚合液晶和质量百分比为0.1 %-5 %的光引发剂。备选地，二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂的百分含量分别为10%、87.5%和2.5%。
[0088]示例性地，延迟膜102可以包括重量百分比为75%_99.5%的可聚合液晶和重量百分比为0.5 % -25 %的光引发剂。
[0089]示例性地，为了使得包括液晶材料的线偏振片104能够使得一个方向的偏振光透过而使得与之垂直方向的偏振光被吸收，在形成过程中需要被取向，且包括液晶材料的延迟膜102在形成过程中也需要被取向。备选地，线偏振片104和延迟膜102可以共用位于二者之间的第一取向层103而配向；或者，线偏振片104和延迟膜102可以分别利用不同的取向层而配向。
[0090]示例性地，第一取向层103可以构造为对延迟膜102进行取向，此时减反射结构还可以包括第二取向层109，该第二取向层109设置在线偏振片104的出光侧，且该第二取向层109构造为对线偏振片104进行取向。如图4c所示，对应于图4a所示的显示器的结构，第二取向层109可以设置在对置基板107与线偏振片104之间；备选地，如图4d所不，与图4b所不的显示器相对应，第二取向层109可以设置在保护层120与线偏振片104之间。
[0091]备选地，第一取向层103也可构造为对线偏振片104进行取向，此时减反射结构101可以包括第三取向层130，第三取向层130设置在延迟膜102的入光侧且构造为对延迟膜102进行取向。例如，对应于减反射结构101形成在对置基板和阵列基板之间的实施方式，第三取向层130设置在形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板上的平坦层110与延迟膜102之间，如图4e所示。备选地，对应于减反射结构101设置在对置基板与阵列基板相反的一侧的实施方式，第三取向层形成在对置基板与延迟膜102之间。
[0092]在本实施例中，减反射结构的线偏振片和延迟膜都采用液晶材料，例如采用涂敷方法而形成，这样与传统的用于显示器的减反射结构相比，根据本发明实施例的减反射结构的厚度可以被显著减小，例如，厚度可以减小到约ΙΟμ??，甚至远小于ΙΟμ??，例如，下面的示例中给出的5.27μπι。然而，对于以上减反射结构，其偏光度可能较低，例如，为60%。
[0093]备选地，为了提高以上显示器的偏光度，根据本发明实施例的减反射结构还可以包括光截止层，该光截止层设置在线偏振片的出光侧且构造为截止特定波长范围的光。例如，如图5所示，对应于图4a所示的显示器，在平坦化层110上顺次设置延迟膜102、第一取向层103和线偏振片104，在线偏振片104的出光侧形成光截止层108。备选地，对应于图4c和图4d所示的显示器结构，光截止层108可以设置在第二取向层109的出光侧。
[0094]示例性地，第一取向层103、第二取向层109、第三取向层130的厚度可分别在0.05μm?0.15μηι的厚度范围内，例如，可以都为0.Ιμπι。
[0095]示例性地，线偏振片104的厚度可为2.5μηι?3.5μηι，例如，为3μηι。
[0096]示例性地，延迟膜102的厚度可为1.5μηι?2.5μηι，例如，为2μηι。
[0097]示例性地，光截止层108的厚度可为0.06μπι?0.08μπι，例如，为0.07μπι。
[0098]示例性地，对于根据本发明实施例的减反射结构的一个示例，例如，该减反射结构顺次包括延迟膜、第一取向层、线偏振片、第二取向层以及光截止层，当光截止层108的厚度例如为0.07μπι，两个取向层的厚度例如都为0.lμm，线偏振片104的厚度例如为3μm，延迟膜103的厚度例如为2μπι时，减反射结构的总厚度为5.27μπι，小于ΙΟμπι，而与厚度大约为120-250μπι的现有减反射结构相比，厚度显著减小，而且具有该结构的减反射结构，其偏光度能够提升到99.7%，而利于实现超薄显不。
[0099]下面结合图6对光截止层108的光截止特性进行示例性描述。
[0?00]图6所不，不出了减反射结构的偏光度与入射光波长之间的关系，其中横坐标表不入射光波长，纵坐标表示偏光度(DOP)，线Line I示出了通过测试得到的现有的贴附到显示面板外部的量产减反射结构的偏光度与入射光波长之间的关系，而线Line 2示出了通过测试得到的根据本发明实施例的未包括光截止层的减反射结构的偏光度与入射光波长之间的关系。从图6可以看出，对于根据本发明实施例的未包括光截止层的减反射结构，当入射光的波长范围为380nm?780nm时，平均偏光度仅为60%，其中在380nm?650nm时，平均偏光度接近I，大约为99.75%，而入射光的波长大于650nm时，偏光度急剧下降，由此可知，波长为650nm?780nm的光严重地影响了减反射结构的偏光度，因此，根据本发明实施例的光截止层108可以构造为截止650nm?780nm范围内的光，从而提高偏光度。
[0101]示例性地，光截止层108可构造为截止特定波长范围的光，例如，截止波长范围为650nm?780nm的光，优选地，截止波长范围为700nm?780nm的光，这样可以仅截止部分的红外光，而并非截止全部红外光，从而可以大大提高偏光度，又不会影响显示。
[0102]这样，通过提供光截止层108，其滤光作用使得偏光度得到很大的提升，从而可以在厚度减薄的同时，实现具有高偏光度的减反射结构，从而能很好的应用于显示器，实现超薄柔性显示。
[0103]示例性地，根据本发明实施例的光截止层108可以包括交替设置的多个高折射率层和多个低折射率层，该多个高折射率层的每层的厚度可以相等或不相等，该多个低折射率层的每层的厚度也可以相等或不相等，高折射率层的厚度也可以等于或不等于低折射率层的厚度，本发明的实施例并不对此进行限定。
[0104]例如，该高折射率层可以为氮化硅层，该低折射率层可以为氧化硅层，也就是，光截止层108可以包括交替设置的多层氮化硅层和多层氧化硅层。例如，可以采用等离子体气相沉积(PECVD)的方法交替沉积氮化硅层和氧化硅层，其中沉积氮化硅层的反应气体可为SiH4、NH3和N2的混合气体，例如，该混合气体中，SiH4、NH3和N2的流量比可为16:4:1;沉积氧化硅层的反应气体可为SiH4、N02和他的混合气体，例如，该混合气体中，SiH4、NH3和N2的流量比可为40:4:1。在实际中，可通过控制反应时间来控制膜层的厚度，通过反应气体气路的打开和关闭来实现多层膜交替沉积。
[0105]下面给出光截止层的具体示例。这里，交替沉积氮化硅层和氧化硅层而形成光截止层，例如，所形成的光截止层形成为具有0.66H| (ILlH)4I IL的结构，其中，H表示氮化硅层，L表不氧化娃层，而系数0.66和I表不每层的厚度，这里对于氮化娃层，系数I代表36nm，贝Ij0.66H表示厚度为36 X 0.66nm = 23.76nm的氮化硅层，而对于氧化硅层，系数I代表52nm，则IL表示厚度为52nm的氧化硅层。例如，(ILlH)4表示氧化硅以52nm的厚度和氮化硅以36nm的厚度依次交替沉积4次，例如，交替层级的次数还可为8次、16次、32次等。
[0106]图7给出了通过模拟得到的示例性光截止层的透过率曲线图，如图7所示，该光截止层具有16层膜层，氮化硅层和氧化硅层交替层叠8次，具体结构为:1.15Η,1.07?,1.10Η,1.14L，0.99H，1.09L，1.11H，1.11L，1.17H，0.58L，1.26H，1.15L，0.99H，1.14L，0.98H，0.46L，构成总厚度为717nm的光截止层，由图可见，对于波长为380nm?700nm，例如，380nm?650nm的光，具有这种结构的光截止层的透过率大于95%。
[0107]这里应该注意的是，根据本发明实施例的延迟膜可以为λ/4波片，λ可以取可见光波长的平均值，或者本领域的技术人员可以根据实际需要而设定，本发明的实施例对此不进行限定。
[0108]对于根据本发明实施例的减反射结构，线偏振片和延迟膜都采用液晶材料形成，例如可以采用涂敷方法而形成，这样与传统的用于显示器的减反射结构相比，减反射结构的厚度可以被显著减小，而且进一步包括截止波长范围为650nm?780nm的光的光截止层，使得对减反射结构的偏光度具有不利影响的光全部或者部分被截止，从而能够显著提升减反射结构的偏光度，例如，减反射结构的偏光度可以从60 %提升到99.7 %，由此实现厚度显著减薄而偏光度显著提升的减反射结构，适用于实现超薄柔性显示。
[0109]实施例四
[0110]本实施例提供一种显示器的制造方法。该制造方法包括:提供显示面板以及制造减反射结构，其中该显示面板包括彼此对盒的阵列基板以及对置基板，该阵列基板包括:衬底基板以及多个像素单元，形成在该衬底基板上且多个像素单元的每个中形成有有机发光二极管和薄膜晶体管，该对置基板设置在该多个像素单元的出光侧;其中制造减反射结构包括:在其上形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板或者对置基板上形成延迟膜、第一取向层和线偏振片，第一取向层位于延迟膜与线偏振片之间。
[0111]示例性地，制造减反射结构可以包括:
[0112]在其上形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板或对置基板上形成延迟膜；
[0113]在延迟膜上形成第一取向层；以及
[0114]在第一取向层上形成线偏振片。
[0115]进一步地，制造减反射结构还可以包括:在线偏振片上形成光截止层。
[0116]示例性地，在其上形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板或对置基板上形成延迟膜之前，根据本发明实施例的显示器的制造方法中，制造减反射结构还可以包括:
[0117]在其上形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板或对置基板上形成第二取向层；以及
[0118]对第二取向层进行摩擦取向。
[0119]可选地，在其上形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板上或对置基板上形成延迟膜包括:
[0120]在第二取向层上涂敷包括可聚合液晶和光引发剂的第二材料层；
[0121]对第二材料层进行取向固化。
[0122]可选地，在制造减反射结构的过程中，在延迟膜上形成第一取向层之后，还可以包括:对第一取向层进行摩擦取向。
[012