SiC晶体切片设备及切片方法与流程

技术特征：

1.一种SiC晶体切片设备，其特征在于，包括一激光源与一支撑台，所述激光源用于发出多束激光，所述支撑台用于支撑待切片的SiC锭；每束所述激光分别聚焦到所述SiC锭内的不同深度的位置处。

2.如权利要求1所述的SiC晶体切片设备，其特征在于，还包括多个凸透镜与多个平面镜，位于每束激光的光路上，用于调节所述激光的方向以及焦点。

3.如权利要求2所述的SiC晶体切片设备，其特征在于，不同的所述深度呈倍数增加，并且最小的所述深度为期望的SiC切片的厚度。

4.如权利要求3所述的SiC晶体切片设备，其特征在于，所述激光源发出三束激光。

5.如权利要求1所述的SiC晶体切片设备，其特征在于，所述激光为绿激光。

6.如权利要求5所述的SiC晶体切片设备，其特征在于，所述激光的波长为430nm。

7.一种SiC晶体切片方法，其特征在于，采用权利要求1～6中任一项所述的SiC晶体切片设备对SiC锭进行切片。

8.如权利要求7所述的SiC晶体切片方法，其特征在于，通过凸透镜以及平面镜调节激光的方向以及激光的焦点，使得每束激光聚焦到SiC锭内的不同深度位置处。

9.如权利要求8所述的SiC晶体切片方法，其特征在于，不同的所述深度呈倍数增加，并且最小的所述深度为期望的SiC切片的厚度。

10.如权利要求8所述的SiC晶体切片方法，其特征在于，通过支撑台的旋转或移动使每束激光在焦点所在的SiC锭的平面内移动，使得所述平面内的SiC分解为Si与C。