技术总结
本发明提供了一种SiC晶体切片设备及切片方法，所述SiC晶体切片设备包括一激光源与一支撑台，所述激光源用于发出多束激光，所述支撑台用于支撑待切片的SiC锭；每束所述激光分别聚焦到所述SiC锭内的不同深度的位置处，激光照射的地方SiC分解为Si与C，从而易于将SiC切片从SiC锭上分离，提高切片的速率；并且由于激光源同时提供多束激光，能够同时照射同一SiC锭内不同深度的不同位置，从而实现多片SiC切片的照射，达到节约照射时间的目的，在一定程度上提高了切片的效率。
技术研发人员：三重野文健
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
技术研发日：2016.12.14
技术公布日：2018.06.29