一种半导体高精度引线框架蚀刻加工设备的制作方法

文档序号:24040061发布日期:2021-02-23 16:32阅读:149来源:国知局
一种半导体高精度引线框架蚀刻加工设备的制作方法

[0001]
本实用新型涉及半导体加工技术领域,具体为一种半导体高精度引线框架蚀刻加工设备。


背景技术:

[0002]
引线框架是集成电路的芯片载体,是一种借助键合材料实现芯心内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,在使用引线框架时,需要进行蚀刻去除引线框架表面不需要的部位,最后去除保护膜,但现有的蚀刻方法还存在一些问题:
[0003]
其一,传统的化学蚀刻法主要采用强酸或者强碱直接对工件未保护的部位进行化学腐蚀,但是腐蚀液在生产过程中对操作工人身体健康有害,而且生产时间较慢;
[0004]
其二,电化学蚀刻,是通过工件做阳极,使用电解质通电,阳极溶解,但是蚀刻的深度较小,电流分布不均匀,深度不易控制。


技术实现要素:

[0005]
本实用新型的目的在于提供一种半导体高精度引线框架蚀刻加工设备,以解决上述背景技术中提出蚀刻过程中对操作工人身体健康有害、生产速度较慢和深浅不易控制的问题。
[0006]
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种半导体高精度引线框架蚀刻加工设备,包括固定架、工作台和主气管,所述固定架的内表面设置有气泵,且气泵的上表面与支气管的下端相连接,并且支气管的上端分别与主气缸和副气缸的末端相连接,所述主气缸的前端安装有主推块,且主推块的下端固定有滑块,并且滑块的外表面与滑槽的内侧相连接,所述工作台左右两端与固定架的内壁相连接,且工作台的上表面平行开设有2条滑槽,所述工作台前后对称设置有副推块,且副推块的外侧与副气缸相连接,所述主气管的下端与气泵的上表面相连接,且主气管的另一端穿过固定架的内壁与伸缩缸相连接,并且伸缩缸的下端安装有激光头,所述伸缩缸的上表面与活动块的下表面相连接,且活动块的内部设置有第一电动机,并且第一电动机的输出端安装有滚轮,所述滚轮的外表面与轨道的内表面相连接,且轨道位于横梁的内部,并且横梁的左端安装有第二电动机,所述第二电动机内部设置有传动轴,且传动轴的两端安装有滑轮,并且滑轮的下表面设置有滑道,所述滑道对称设置在固定架的内壁上,且固定架的上端设置有激光发生器。
[0007]
优选的,所述支气管设置有4个分支,且支气管连通主气缸和副气缸。
[0008]
优选的,所述主气缸和副气缸均设置有2个,且主气缸对称设置在工作台的左右两侧,并且副气缸对称设置在工作台的前后两侧。
[0009]
优选的,所述主推块的中心线与滑槽相互垂直,且滑槽与滑块构成滑动结构。
[0010]
优选的,所述活动块通过滚轮与轨道构成滚动结构。
[0011]
优选的,所述滑轮设置有2个,且滑轮与滑道为滚动连接。
[0012]
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该半导体高精度引线框架蚀刻加工
设备,
[0013]
1.该装置垂直设置有主推块和副推块,通过支气管同时控制主气缸和副气缸的伸出和收回,便于主推块和副推块将引线框架进行加紧,使得引线框架能够稳定的固定在工作台上;
[0014]
2.该装置采用激光蚀刻,通过激光发射器产生高能激光将引线框架表面不要的部分去除,同时激光具有良好的稳定性,通过控制激光的能量强度可以调整蚀刻深浅,且激光加工的速度更快,激光蚀刻没有化学蚀刻产生的有害气体,对操作人员健康没有害;
[0015]
3.横梁通过第二电动机控制滑轮沿着滑道进行左右移动,活动块通过第一电动机控制滚轮沿着轨道进行移动,通过两个相互垂直的轨道和滑道控制激光头在工作台内部移动。
附图说明
[0016]
图1为本实用新型整体正剖视结构示意图;
[0017]
图2为本实用新型整体左剖视结构示意图;
[0018]
图3为本实用新型整体俯剖视结构示意图;
[0019]
图4为本实用新型主推块和副推块组合结构示意图。
[0020]
图中:1、固定架;2、气泵;3、支气管;4、主气缸;5、主推块;6、滑块;7、滑槽;8、工作台;9、副推块;10、副气缸;11、主气管;12、伸缩缸;13、激光头;14、活动块;15、第一电动机;16、滚轮;17、轨道;18、横梁;19、第二电动机;20、传动轴;21、滑轮;22、滑道;23、激光发生器。
具体实施方式
[0021]
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
[0022]
请参阅图1-4,本实用新型提供一种技术方案:一种半导体高精度引线框架蚀刻加工设备,包括固定架1、气泵2、支气管3、主气缸4、主推块5、滑块6、滑槽7、工作台8、副推块9、副气缸10、主气管11、伸缩缸12、激光头13、活动块14、第一电动机15、滚轮16、轨道17、横梁18、第二电动机19、传动轴20、滑轮21、滑道22和激光发生器23,固定架1的内表面设置有气泵2,且气泵2的上表面与支气管3的下端相连接,并且支气管3的上端分别与主气缸4和副气缸10的末端相连接,主气缸4的前端安装有主推块5,且主推块5的下端固定有滑块6,并且滑块6的外表面与滑槽7的内侧相连接,工作台8左右两端与固定架1的内壁相连接,且工作台8的上表面平行开设有2条滑槽7,工作台8前后对称设置有副推块9,且副推块9的外侧与副气缸10相连接,主气管11的下端与气泵2的上表面相连接,且主气管11的另一端穿过固定架1的内壁与伸缩缸12相连接,并且伸缩缸12的下端安装有激光头13,伸缩缸12的上表面与活动块14的下表面相连接,且活动块14的内部设置有第一电动机15,并且第一电动机15的输出端安装有滚轮16,滚轮16的外表面与轨道17的内表面相连接,且轨道17位于横梁18的内部,并且横梁18的左端安装有第二电动机19,第二电动机19内部设置有传动轴20,且传动轴
20的两端安装有滑轮21,并且滑轮21的下表面设置有滑道22,滑道22对称设置在固定架1的内壁上,且固定架1的上端设置有激光发生器23。
[0023]
支气管3设置有4个分支,且支气管3连通主气缸4和副气缸10,支气管3同时连接主气缸4和副气缸10,保证主推块5和副推块9同时将引线框架夹紧。
[0024]
主气缸4和副气缸10均设置有2个,且主气缸4对称设置在工作台8的左右两侧,并且副气缸10对称设置在工作台8的前后两侧,将引线框架夹紧的同时,使得引线框架中心与工作台8的中心重合。
[0025]
主推块5的中心线与滑槽7相互垂直,且滑槽7与滑块6构成滑动结构,主推块5沿着滑槽7平行移动,保证夹具的中心不变。
[0026]
活动块14通过滚轮16与轨道17构成滚动结构,第一电动机15通过带动滚轮16控制活动块14沿着横梁18移动。
[0027]
滑轮21设置有2个,且滑轮21与滑道22为滚动连接,滑轮21在沿着滑道22移动的同时,增加横梁18移动的稳定性。
[0028]
工作原理:在使用该半导体高精度引线框架蚀刻加工设备时,首先将该装置的固定架1水平安装在地面,接着连接电源;
[0029]
然后将要加工的引线框架工件放置在工作台8,同时启动气泵2,气泵2产生的高压空气通过支气管3传递给主气缸4,主气缸4推动主推块5,主推块5通过滑块6沿着滑槽7移动,滑块6和滑槽7保证主推块5始终保持平行,当主推块5将引线框架夹紧时,气体通过支气管3向副气缸10移动,副气缸10将副推块9推向引线框架,最后引线框架的四周被主推块5和副推块9夹持在工作台8的中间,同时设置主推块5和副推块9便于夹持不同大小的引线框架,引线框架的中心与工作台8的中心重合,便于激光蚀刻的找零点,提供加工统一工件的速度,接着主气管11为伸缩缸12提供动力,将激光头13调节到合适的位置,激光发生器23为激光头13提供光能;
[0030]
最后当进行蚀刻的时候,第一电动机15带动滚轮16沿着轨道17进行移动,控制活动块14进行前后移动,同时第二电动机19通过传动轴20转动滑轮21,滑轮21沿着滑道22带动横梁18进行左右移动,通过伸缩缸12、第一电动机15和第二电动机19控制激光头13进行活动,便于对引线框架表面进行加工,增加了整体的实用性。
[0031]
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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