技术特征：
1.一种半导体高精度引线框架蚀刻加工设备，包括固定架（1）、工作台（8）和主气管（11），其特征在于：所述固定架（1）的内表面设置有气泵（2），且气泵（2）的上表面与支气管（3）的下端相连接，并且支气管（3）的上端分别与主气缸（4）和副气缸（10）的末端相连接，所述主气缸（4）的前端安装有主推块（5），且主推块（5）的下端固定有滑块（6），并且滑块（6）的外表面与滑槽（7）的内侧相连接，所述工作台（8）左右两端与固定架（1）的内壁相连接，且工作台（8）的上表面平行开设有2条滑槽（7），所述工作台（8）前后对称设置有副推块（9），且副推块（9）的外侧与副气缸（10）相连接，所述主气管（11）的下端与气泵（2）的上表面相连接，且主气管（11）的另一端穿过固定架（1）的内壁与伸缩缸（12）相连接，并且伸缩缸（12）的下端安装有激光头（13），所述伸缩缸（12）的上表面与活动块（14）的下表面相连接，且活动块（14）的内部设置有第一电动机（15），并且第一电动机（15）的输出端安装有滚轮（16），所述滚轮（16）的外表面与轨道（17）的内表面相连接，且轨道（17）位于横梁（18）的内部，并且横梁（18）的左端安装有第二电动机（19），所述第二电动机（19）内部设置有传动轴（20），且传动轴（20）的两端安装有滑轮（21），并且滑轮（21）的下表面设置有滑道（22），所述滑道（22）对称设置在固定架（1）的内壁上，且固定架（1）的上端设置有激光发生器（23）。2.根据权利要求1所述的一种半导体高精度引线框架蚀刻加工设备，其特征在于：所述支气管（3）设置有4个分支，且支气管（3）连通主气缸（4）和副气缸（10）。3.根据权利要求1所述的一种半导体高精度引线框架蚀刻加工设备，其特征在于：所述主气缸（4）和副气缸（10）均设置有2个，且主气缸（4）对称设置在工作台（8）的左右两侧，并且副气缸（10）对称设置在工作台（8）的前后两侧。4.根据权利要求1所述的一种半导体高精度引线框架蚀刻加工设备，其特征在于：所述主推块（5）的中心线与滑槽（7）相互垂直，且滑槽（7）与滑块（6）构成滑动结构。5.根据权利要求1所述的一种半导体高精度引线框架蚀刻加工设备，其特征在于：所述活动块（14）通过滚轮（16）与轨道（17）构成滚动结构。6.根据权利要求1所述的一种半导体高精度引线框架蚀刻加工设备，其特征在于：所述滑轮（21）设置有2个，且滑轮（21）与滑道（22）为滚动连接。