化学机械式研磨装置的承载头及其隔膜的制作方法

本实用新型涉及化学机械式研磨装置的承载头及其隔膜，详细而言，涉及一种使得在化学机械式研磨工序中，在通过隔膜侧面准确地对晶片的边缘(edge)末端部加压的同时，能够分离控制对晶片加压的压力腔室控制和对边缘末端部加压的加压腔室控制的化学机械式研磨装置的承载头及使用于该承载头的隔膜。

背景技术：

化学机械式研磨(CMP)装置是，为了在半导体元件制造过程中，消除由于反复执行掩蔽、蚀刻及布线工序等而生成的晶片表面的凹凸而导致的cell区域与周边电路区域间发生高度差的广域平坦化，改善因电路形成用触点/布线膜分离及高集成元件化导致的晶片表面粗糙度等，而用于对晶片表面进行精密研磨加工的装置。

在这种CMP装置中，承载头在研磨工序前后，以晶片的研磨面与研磨垫相向的状态对所述晶片加压，使得进行研磨工序，同时，研磨工序结束后，以直接及间接地真空吸附晶片并以把持的状态，移送到下个工序。

图1是以往承载头1的概略图。如图1所示，承载头1包括：主体10；底座20，其与主体10一同旋转；卡环30，其以环绕底座20的环形态加装，与底座20一同旋转；弹性材质的隔膜40，其固定于底座20，在与底座20之间的空间形成压力腔室C1、C2、C3、C4、C5；压力控制部50，其在通过空压供应通道55向压力腔室C1、C2、C3、C4、C5供应或排出空气的同时调节压力。

弹性材质的隔膜40在对晶片W加压的平坦底板41的边缘末端折弯形成有侧面42。隔膜40的中央部末端40a固定于底座20，形成直接吸入晶片W的吸入孔77。在隔膜40的中央部，也可以不形成吸入孔，而是以对晶片W加压的面形成。在从隔膜40的中心至侧面42之间，形成有固定于底座20的环形态的多个隔壁43，以隔壁43为基准，多个压力腔C1、C2、C3、C4、C5以同心圆形态排列。

在隔膜40的侧面42上部，作为由从侧面42向内侧分歧延伸的第一膜瓣401和第二膜瓣402环绕的环形空间，形成有加压腔室Cx。加压腔室Cx的空压由压力控制部50所控制，如果向加压腔室Cx供应空压，则如图2所示，从加压腔室Cx的倾斜面Cs向环形环60的倾斜面倾斜地传递力Fcx，传递到环形环60的力Fcx中沿上下方向的竖直加压力Fv，通过侧面42传递并对晶片W的边缘末端部加压。

虽然图中未示出，根据本实用新型的另一实施形态，隔膜侧面142的末端也可以直接在底座20等固定地构成。在这种情况下，也可以不从隔膜侧面142的上端部延伸形成有第一膜瓣401。

因此，在借助于导入到加压腔室Cx的压力而对倾斜面Cs加压的力Fcx中，只有倾斜面Cs的倾斜角a的竖直方向成分沿着隔膜40的侧面42而作为竖直加压力Fv向下方传递。因此，为了将希望大小的竖直加压力Fv通过侧面42传递到晶片边缘，引起导入加压腔室Cx的压力过度升高的问题。不仅如此，在借助于导入加压腔室Cx的压力而对倾斜面Cs加压的力Fcx中，倾斜面Cs的倾斜角a的水平方向成分使隔膜140的侧面142向外侧凸起，还引起作为隔膜底板的边缘翘起的原因进行作用的问题。

更重要的是，在借助于加压腔室Cx的压力P6，通过侧面42而向晶片边缘传递竖直加压力Fv的过程中，加压腔室Cx的压力P6不只向隔膜侧面42传递，加压腔室Cx的压力P6影响到对晶片加压的最外侧压力腔室C5的压力P5。例如，如果加压腔室Cx的压力保持得比最外侧压力腔室C5更高，则加压腔室Cx的底面对其下侧的最外侧压力腔室C5进行加压，因而与导入到最外侧压力腔室C5的压力相比，最外侧压力腔室C5的压力P5成为更大的压力状态。

因此，引起即使要控制最外侧压力腔室C5的压力P5，也难以借助于其上侧的加压腔室Cx而精巧地控制最外侧压力腔室C5的压力P5的问题。

附图中未说明标记145是使环形环160位于侧面142的放置凸起。

另一方面，本申请人提出的大韩民国授权专利公报第10-1629161号的承载头100'为了提高施加于隔膜侧面42的竖直加压力Fv，如图3所示，包括在侧面42的上侧形成加压腔室Cx的构成。

为此，第一膜瓣401'从隔膜侧面42的上端朝向底座20延伸到内侧，借助于结合构件22'、22而固定，第二膜瓣402'从隔膜侧面42的上端朝向卡环30延伸到外侧，固定于卡环30，第三膜瓣403'从第一膜瓣401'的上方延伸并延伸到外侧，固定于卡环30。因此，第一膜瓣401'的下侧形成对晶片的最外侧区域加压的最外侧压力腔室C5的顶面，第二膜瓣402'与第三膜瓣403'的之间空间形成加压腔室Cx。

因此，隔膜侧面42的平坦的整个上表面42s形成加压腔室Cx的下表面，加压腔室Cx的加压力Fcx直接沿侧面42对晶片W的边缘末端部(边缘部)加压，因而与图2所示的构成相比，可以提高导入加压力的效率。

但是，图3所示的构成也一样，在隔膜底板41的上侧形成的压力腔室C1、C2、C3、C4、C5中，在最外侧压力腔室C5的上侧形成有加压腔室Cx，因而如果加压腔室Cx的压力升高，则随之将最外侧压力腔室C5向下方加压，要导入到最外侧压力腔室C5的压力P5发生畸变，存在无法以准确的加压力对晶片的最外侧区域加压的局限。

技术实现要素：

本实用新型正是在前述技术背景下研发的，本实用新型目的是在研磨工序中，准确地对晶片的最外侧区域和边缘末端部(边缘部)加压。

与此同时，本实用新型目的是独立于通过隔膜侧面而对晶片的边缘区域加压的加压区域的压力，控制通过隔膜底板而对晶片的最外侧区域加压的最外侧压力腔室的压力。

由此，本实用新型目的是在研磨工序中，更准确地控制施加于晶片的最外侧区域和边缘区域的压力。

为了达成所述目的，本实用新型提供一种承载头的隔膜及具备其的化学机械式研磨装置用承载头，包括：底板，其由可挠性弹性材质构成，用于对晶片的板面加压；侧面，其由可挠性弹性材质构成，在所述底板的边缘向上方折弯形成；第二膜瓣，其从所述侧面朝向外侧延伸；第三膜瓣，其从所述侧面的上端朝向上方延伸后朝向外侧延伸。通过隔膜侧面而对晶片的边缘部(边缘末端部)向下方加压。

所述第二膜瓣以不形成弯曲部的方式从所述侧面延伸。

所述第二膜瓣从所述侧面的上端延伸形成。

所述第二膜瓣的厚度薄于所述侧面的厚度。

所述第二膜瓣的剖面以所述侧面的剖面的1/2以下面积形成。

在所述侧面的内表面与所述第三膜瓣从所述侧面的上端部开始延伸的第三膜瓣内侧面之间形成有间隔。

所述侧面的上表面在所述第三膜瓣延伸位置的外侧形成有平坦面。

所述第三膜瓣的厚度厚于所述第二膜瓣的厚度。

还包括第一膜瓣，其从所述侧面朝向内侧延伸，在所述第一膜瓣的下侧，形成有与所述晶片贴紧的所述底板上侧的多个压力腔室中的最外侧压力腔室。

包括第四膜瓣，所述第四膜瓣在所述第二膜瓣的下侧从所述侧面向外侧延伸。

所述第四膜瓣以不形成弯曲部的方式从所述侧面延伸。

所述第四膜瓣的厚度薄于所述侧面的厚度。

另外，本实用新型提供一种化学机械式研磨装置的承载头，其包括：底座，其在研磨工序中旋转驱动；卡环，其以包围所述底座的四周的形态形成，与所述底座一同旋转驱动；以及上述隔膜，所述第二膜瓣和所述第三膜瓣延伸形成至所述卡环。

在所述第一膜瓣下侧形成的最外侧压力腔室的上侧，不重复配置所述第二膜瓣与所述第三膜瓣之间形成的加压腔室。

从所述隔膜的底板延伸形成有可挠性材质的多个隔壁并固定于所述底座，通过所述隔壁形成多个对位于所述底板下侧的晶片进行加压的压力腔室。

所述隔膜还包括位于所述第二膜瓣的下侧且从所述侧面延伸至所述卡环的第四膜瓣，在所述第四膜瓣与所述第二膜瓣之间，形成有对所述侧面加压的第二加压腔室。

所述第二膜瓣以不形成弯曲部的方式从所述侧面延伸。

所述第四膜瓣的厚度薄于所述侧面的厚度。

在所述隔膜的所述侧面，一同配置有硬度高于所述底板的环形加强材料。

本说明书及权利要求书中记载的“外侧”或与之类似的术语，定义为指称从晶片的中心起的半径外侧方向。与此类似，本说明书及权利要求书中记载的“内侧”或与此类似的术语，定义为从晶片的中心起的半径内侧方向。

根据本实用新型，可以获得在研磨工序中，根据意图而准确地对晶片的边缘区域施加加压力的效果。

另外，本实用新型可以获得能够将对晶片的最外侧区域加压的情形与对晶片的边缘(边缘部)区域加压的情形分离并独立控制的效果。

由此，本实用新型可以获得准确地调节通过隔膜侧面而施加于晶片的边缘区域的加压力、通过隔膜底板而施加于晶片的最外侧区域的加压力，精巧地控制晶片的研磨厚度的效果。

附图说明

图1是图示以往承载头的构成的半剖面图，

图2是用于说明晶片边缘的加压原理的图1的“A”部分的放大图，

图3是图示与用于说明晶片边缘的加压原理的图1的“A”部分对应的另一以往技术的构成的放大图，

图4是图示本实用新型第一实施例的承载头的隔膜的半剖面图，

图5是具备图4的隔膜的本实用新型第一实施例的承载头的边缘部分的放大图，

图6是图示本实用新型第二实施例的承载头的隔膜的半剖面图，

图7是具备图6的隔膜的本实用新型第二实施例的承载头的边缘部分的放大图。

[附图标记的说明]

W：晶片 C1、C2、C3、C4、C5：压力腔室

E：翘起区域 20：底座

30：卡环 140：隔膜

142：侧面 1401：第一膜瓣

1402：第二膜瓣 1403：第三膜瓣

1404：第四膜瓣 143：环形隔壁

具体实施方式

下面参照附图，详细说明本实用新型的优选实施例，但并非本实用新型由实施例所限制或限定。作为参考，在本说明中，相同的标记指称实质上相同的要素，在这种规则下，可以引用不同图中记载的内容进行说明，判断为从业人员不言而喻或重复的内容可以省略。

本实用新型第一实施例的化学机械式研磨装置用承载头100包括：主体，其与驱动轴(图上未示出)连接并进行旋转驱动；底座20，其与主体连接并一同旋转；环形态的卡环30，其固定于主体与底座20中某一者并一同旋转；隔膜140，其固定于底座20并在与底座20之间形成压力腔室C1、...、C4、C5，以可挠性弹性材料形成；压力控制部50，其向压力腔室C1、...、C4、C5供应空压并调节压力。

虽然在图中未图示全体形状，但具有如图3图示的半剖面图所示的结构。因此，本实用新型的承载头的隔膜140、140'是以图中图示的半剖面图的中心线88为基准进行旋转的形状。

所述隔膜140包括：底板141，其以使晶片W位于下侧的状态，与晶片W贴紧；侧面142，其从底板141的边缘末端折弯并向上延伸；环形态的多个隔壁143，其在底板141的中心与侧面142之间，从底板141向上延伸，结合于底座20。环形态的隔壁143形成有多个，末端与底座20固定，因而在底座20与隔膜140之间，形成有分割为多个的压力腔室C1、...、C4、C5。

优选图4所示的隔膜140整体以可挠性材质形成，按照压力腔室...、C4、C5的压力，底板141和侧面142及隔壁143自由地变形或膨胀/收缩形成。由此，可以根据各个压力腔室C1、C2、...、C5的压力，准确地对位于底板141下侧的晶片W进行加压。

在图中虽然图示了隔膜侧面142只以可挠性材质形成的构成，但也可以在内周面或外周面，高刚性的环形加强材料(图上未示出)结合于侧面142形成而一同配置。借助于此，提高通过侧面142传递竖直加压力Fv的效率。另外，即使最外侧压力腔室C5的压力P5提高，如果具有更高硬度的环形加强材料结合于侧面142的外侧面，则可以进一步降低隔膜侧面142向外侧凸出膨胀，从而使隔膜底板141的边缘末端翘起的现象，且即使长时间使用，也可以借助于加强材料而减小隔膜扭曲的变形。

另一方面，隔膜140的中央部140a结合于底座20，在中央部配备有直接吸入晶片W的吸入孔(图1的77)，根据本实用新型的另一实施形态，隔膜140的中央部也可以是被底板141阻塞的构成。

如图4及图5所示，第一膜瓣1401从隔膜侧面142的上部，向朝向底座20的内侧延伸，第二膜瓣1402从隔膜侧面142的上部向朝向卡环30的外侧延伸，第三膜瓣1403从隔膜侧面142的上端向上方伸展后向朝向卡环30的外侧延伸形成。

其中，第一膜瓣1401的末端固定于承载头100的底座20，形成对晶片W加压的最外侧压力腔室C5的顶面。在第一膜瓣1401形成有弯曲的弯曲部40x，易于使第一膜瓣1401固定于底座20，辅助提高最外侧压力腔室C5的压力P5并膨胀。

第二膜瓣1402的末端固定于承载头100的卡环30，第三膜瓣1403的末端也固定于承载头100的卡环30。因此，被第二膜瓣1402和第三膜瓣1403及卡环30的内周面一部分环绕的空间形成环形态的加压腔室Cx。

其中，卡环30以不沿上下方向移动的固定形态形成，既定地保持加压腔室Cx的位置。根据本实用新型的另一实施形态，卡环30可以能沿上下方向移动地形成，在这种情况下，优选形成加压腔室Cx的第二膜瓣1402和第三膜瓣1403以更高弹性的材质形成。

所述第三膜瓣1403可以在向外侧延伸的路径上形成有弯曲的弯曲部40x，但第二膜瓣1402不在向外侧延伸的路径上形成有弯曲的弯曲部40x，而是从隔膜侧面142的上端向外侧延伸形成。而且，在卡环30的内周面，形成有环形态的凹槽部，以环形态的插入环35为媒介，第二膜瓣1402与第三膜瓣1403的末端可以固定于卡环30的凹槽部。插入环35既可由可挠性弹性材料形成，也可由塑料或金属材料形成。而且，底座20具备依次结合的结合构件22、22'，以便分别固定隔膜140的隔壁143的末端和第一膜瓣1401。

所述弯曲部40x指称预先弯曲地形成的部分，以便在拉伸力作用于膜瓣的情况下，弯曲部在展开的同时允许膜瓣展开(拉伸)的变位，使得作用于膜瓣的拉伸应力不会变大。

如上所述，第二膜瓣1402和第三膜瓣1403的末端固定于卡环30，如果利用第二膜瓣1402和第三膜瓣1403的环形态之间空间形成加压腔室Cx，则在通过空压供应通道55x，从压力控制部50向加压腔室Cx供应经调节的空压的同时，控制加压腔室Cx的压力。

此时，如果加压腔室Cx的压力提高，则如图5所示，在加压腔室Cx膨胀的同时，加压力Fcx将形成加压腔室Cx下表面的第二膜瓣1402向下方加压。因此，第二膜瓣1402由于没有弯曲的弯曲部40x，因而如果向下方凸出的弯曲变位发生在第二膜瓣1402，则与第二膜瓣1402的末端一体地连接形成的隔膜侧面上端部也受到向下推的竖直加压力Fv的作用。而且，该竖直加压力Fv在传递到晶片W边缘末端部的同时，作为对晶片边缘末端部加压的力进行作用。

为了使这种作用更顺利地实现，优选第二膜瓣1402的厚度t21比侧面142的厚度t2更薄地形成。为此，第二膜瓣1402的剖面可以以隔膜侧面142的剖面的1/2以下面积形成。由此，第二膜瓣1402膨胀并向下方凸出的变形量更大，从而可以与变形量成比例地更大更精巧地调节通过隔膜侧面142而对晶片边缘末端部(边缘部)加压的加压力。

其中，第三膜瓣1403的厚度t23形成得小于侧面142的厚度t2，因而即使第三膜瓣1403的内侧面与侧面142的内表面形成间隔c，隔膜侧面142的上表面也可以在第三膜瓣1403开始延伸的位置的外侧形成平坦面Ds。在这种情况下，如果加压腔室Cx的压力升高，则借助于第二膜瓣1402，下方竖直加压力Fv在作用于侧面142的同时，在第三膜瓣1403外侧露出的隔膜侧面142的平坦的上表面被加压腔室Cx的加压力Fcx向下方加压，可以作为通过隔膜侧面142而对晶片边缘末端部(边缘部)加压的力进行作用。

另一方面，第三膜瓣1403以比侧面142的厚度t2更小的剖面厚度t23形成。借助于此，即使加压腔室Cx膨胀，也可以借助于第三膜瓣1403，抑制侧面142倾斜的现象。

而且，第二膜瓣1402的厚度t21也可以比第三膜瓣1403的厚度t23更小地形成。因此，如果加压腔室Cx的压力升高而膨胀，则与第三膜瓣1403向上方鼓起的情形相比，第二膜瓣1402更向下方鼓起膨胀，将侧面142拉向下方，可以通过侧面142，对晶片W的边缘末端部(边缘部)向下方加压。为了防止第二膜瓣1402因第三膜瓣1403的弯曲部40x而向下方凸出的变形减小，可以在第三膜瓣1403中也不形成弯曲部40x，借助于此，可以提高侧面142的下方竖直加压力Fv。

更重要的是，第三膜瓣1403开始延伸的位置不是第一膜瓣1401，而是侧面142的上端，因而加压腔室Cx在最外侧压力腔室C5的上侧不重复配置。即，如图4所示，侧面142的内表面与第三膜瓣1403开始位置处的第三膜瓣1402的内侧面之间间隔c，以0或大于0的尺寸形成，在以隔膜底板141为底面的压力腔室C1、C2、C3、C4、C5中，在最外侧压力腔室C5的上侧，不形成其他腔室。虽然图中未示出，但根据情况，第三膜瓣1403也可以从第二膜瓣1402起开始延伸形成。

如上所述，不使第三膜瓣1403开始延伸的位置位于比侧面的内壁更内侧，从而借助于第二膜瓣1402和第三膜瓣1403而形成的加压腔室Cx不配置于对晶片W加压的底板141上的最外侧压力腔室C5上侧。因此，加压腔室Cx的加压力Fcx不对最外侧压力腔室C5的压力P5造成影响，因而可以相互独立地进行加压腔室Cx与最外侧压力腔室C5的压力调节。

换言之，在以往的图2及图3的构成中，加压腔室Cx的底面形成最外侧压力腔室C5的顶面的一部分或全部，从而借助于加压腔室Cx的压力，如果加压腔室Cx的底面向下方凸出或向上方凸出，则最外侧压力腔室C5的压力P5因此而与从压力控制部50预定的压力值实际上具有偏差，因而存在难以精巧地调节压力的问题。

但是，本实用新型使加压腔室Cx的压力与最外侧压力腔室C5的压力可以相互不受影响地独立控制，因而使得可以更准确、精巧地调节各腔室Cx、C5的压力状态，可以获得精巧调节被最外侧压力腔室C5所加压的晶片W的最外侧区域和被隔膜侧面142所加压的晶片W的边缘末端部(边缘部)的单位时间的研磨量，精巧而准确地控制晶片的平坦度及研磨层的曲线的效果。

因此，本实用新型使得可以将竖直加压力Fv准确地导入晶片W的边缘末端部，即使在晶片W的边缘，也可以提高研磨品质，因而使得可以从晶片W的边缘区域可靠地制造半导体封装件。

附带地，优选形成最外侧压力腔室C5的底面的最外侧区域，比形成隔膜底板141的其他压力腔室C1、C2、C3、C4的底面的区域更薄地形成。

另一方面，如图3所示，隔膜140的底板141包括中心部在内，以平坦的下表面形成，但具备由倾斜部141e构成的翘起区域E，其中，所述倾斜部141e向上倾斜4mm至10mm的宽度，以便从平坦的下表面的半径方向末端，朝向隔膜侧面142，倾斜大致0.5度至5度。如上所述，通过具备以沿半径外侧方向向上倾斜的倾斜部141e形成的翘起区域E，从而配备了如果对晶片W的边缘区域加压的竖直加压力Fv沿着隔膜侧面142传递到侧面最下端，则底板141的半径末端部可借助于翘起区域E的倾斜部141e而向下方移动的变位，因此，底板边缘部分被推向水平方向内侧而不发生皱褶，倾斜部141e膨胀并贴紧晶片W的板面，使得晶片W的边缘区域可以被最外侧压力腔室C5的压力P5准确地加压。

另一方面，在配置于隔膜140的最外侧的隔壁与侧面142之间形成的最外侧压力腔室C5下侧的底板厚度t12，更薄地以最外侧环形隔壁和至底板中心的底板141的厚度t11的1/2至4/5左右形成，在侧面142的基底部，可以形成有向内侧凹入形成的环形槽。

如上所述，随着最外侧压力腔室C5的底板较薄地形成，借助于最外侧压力腔室C5而施加的压力P5可以更准确地传递给晶片W的边缘区域，借助于最外侧压力腔室C5的压力P5而变得更薄的隔膜底板容易膨胀，因而在CMP工序中贴紧晶片的表面，确实地向晶片W的边缘传递加压力。

下面详细叙述本实用新型第二实施例的化学机械式研磨装置的承载头100'。不过，对于与前述第一实施例相同或类似的构成及作用，赋予类似的附图标记，为了使第二实施例的要旨更明了而省略对其的说明。

如图7所示，就本实用新型第二实施例的承载头100'而言，在隔膜侧面142的中间部分，第四膜瓣1404朝向卡环30向外侧延伸形成。因此，被第二膜瓣1402、第四膜瓣1404和卡环30的内周面环绕的空间形成第二加压腔室Cx2。

为此，在卡环30的内周面形成有环形态的凹槽部，以环形态的插入环35、35'的媒介，第二膜瓣1402、第三膜瓣1403和第四膜瓣1404的末端可以分别固定于卡环30的凹槽部。插入环35、35'既可由可挠性弹性材料形成，也可由塑料或金属材料形成。

如上所述，调节在第二膜瓣1402与第三膜瓣1403之间形成的加压腔室Cx、在第二膜瓣1402与第四膜瓣1404之间形成的第二加压腔室Cx2的压力，可以根据加压腔室Cx与第二加压腔室Cx2的相互压力关系，更多样地调节通过隔膜侧面142而向下方加压的竖直加压力Fv。

作为第一方案，第四膜瓣1404与第二膜瓣1402一样，不形成弯曲部40x，如果第二加压腔室Cx2膨胀，则如图7所示，在发生向下方凸出的弯曲变形的同时，使将侧面142拉向下方的力Fcx'进行作用。由此，借助于第四膜瓣1404，可以更大地调节通过侧面142而对晶片边缘部向下方加压的竖直加压力Fv。其中，第四膜瓣1404可以以比侧面142的厚度t2更薄的厚度t21形成。

作为另一第二方案，虽然图中未示出，在第四膜瓣1404可以形成有弯曲部。在这种情况下，可以根据加压腔室Cx与第二加压腔室Cx2的相互压力关系，借助于第二膜瓣1402，调节通过侧面142而将边缘部向下方加压的力。即，在加压腔室Cx的压力为Pc1、第二加压腔室Cx2的压力为Pc2的情况下，作用于第二膜瓣1402的负载由Pc1与Pc2的差异确定，由此，在更大地保持位于上侧的加压腔室Cx的压力(例如，10～15)的同时，如果将位于下侧的第二加压腔室Cx2的压力调节为较小范围(例如，2～5)，则可以将通过侧面而向下方加压的力调节为与Pc1-Pc2对应的大小。

不仅如此，在晶片的边缘部的研磨量过度的情况下，在下侧将第二加压腔室Cx2的压力调节得比上侧的加压腔室Cx更大，借助于此，使隔膜侧面142稍稍翘起，从而可以获得能够将晶片边缘部的单位时间的研磨量调节至“0”的效果。

另一方面，如上所述的第二方案的控制方法不局限于在第四膜瓣1404形成有弯曲部的情形。即，作为又一第三方案，在第四膜瓣1404不形成弯曲部的情况下，借助于第二膜瓣1402和第四膜瓣1404，竖直加压力Fv通过隔膜侧面142导入到晶片边缘部，因而也可以以第一方案的控制方法和第二方案结合的控制方法进行使用。

如上所述，在形成2个以上加压腔室Cx、Cx2的同时，在与晶片W贴紧的隔膜底板141的最外侧压力腔室C5的上侧，不配置有加压腔室Cx、Cx2，因此，加压腔室Cx、Cx2与最外侧压力腔室C5的压力控制不相互影响，因而借助于2个加压腔室Cx、Cx2的压力调节，可以精巧而简单地调节通过隔膜侧面142而将晶片W的边缘末端部(边缘部)向下方加压的竖直加压力Fv，借助于最外侧压力腔室C5的压力调节，可以获得能够精巧而简单地调节晶片的最外侧区域的压力的效果。

进一步地，由于将隔膜侧面142推向下方并加压的加压腔室Cx、Cx2沿上下方向配置2个，因此，可以获得能够同时控制加压腔室Cx和第二加压腔室Cx2，将更高的竖直加压力Fv通过隔膜侧面142导入到晶片W的边缘末端部(边缘部)，或者相反，在研磨工序中，根据需要而在既定时间期间，有意地将隔膜侧面142调节为向上方翘起的效果。

以上通过优选实施例，示例性说明了本实用新型，但本实用新型并非只限定于这种特定实施例，在本实用新型提示的技术思想内，具体而言，在权利要求书记载的范畴内，可以修订、变更或改善为多样形态。