技术总结
本发明涉及一种钽硅合金溅射靶材及其制备方法。所述制备方法包括：(1)将钽粉和硅粉混合；(2)装入模具并封口；(3)对封口后的模具进行冷等静压处理，得到钽硅坯料；(4)将得到的钽硅坯料进行脱气处理；(5)在1050‑1350℃下对脱气后的包套进行热等静压处理，得到钽硅合金溅射靶材粗品；(6)经机加工得到钽硅合金溅射靶材。所述制备方法不仅有效防止了硅粉氧化，保证了产品纯度，还可使制备得到的钽硅合金溅射靶材达到99％以上的致密度，满足了钽硅合金溅射靶材致密度和内部组织结构均匀的要求，为后续溅射使用提供更优良的性能保障，而且具有工艺简单、操作方便、生产周期短的特点。
技术研发人员：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;马国成
受保护的技术使用者：宁波江丰电子材料股份有限公司
技术研发日：2019.11.25
技术公布日：2020.04.03