技术总结
本发明公开了一种制备晶圆级积单层二硫化钼薄膜的方法。该方法基于化学气相沉积技术，采用“面对面”提供钼源的方式，可以在蓝宝石晶圆衬底上生长连续、均匀的单层二硫化钼薄膜。该方法使用硅胶板或氧化铝板作为钼源载体，钼源前驱体以溶液的形式分散在硅胶板或氧化铝板上。在双温区化学气相沉积系统中，硫粉放置于左侧温区，蓝宝石衬底和钼源载体“面对面”放置于右侧温区。在高温下，硫蒸气与钼源发生化学反应，在蓝宝石衬底均匀沉积，得到大面积的单层二硫化钼薄膜。该方法操作简单，实验结果重复性好，对大面积单层二硫化钼薄膜的连续化生产和电子器件应用具有重要意义。续化生产和电子器件应用具有重要意义。
技术研发人员：王志永 王东升 周中浩 郑孔嘉
受保护的技术使用者：中国人民大学
技术研发日：2019.12.30
技术公布日：2021/7/15