一种用于半导体外延片研磨的陶瓷托盘的制作方法

本实用新型涉及研磨技术领域，具体为一种用于半导体外延片研磨的陶瓷托盘。

背景技术：

在大多数的半导体晶体生长工艺中，主要为异质外延，生长用衬底和半导体晶体材料之间都存在一定的晶格常数的失配，所以外延生长中都要预置缓冲层来调节材料间的应力，生长过程中，因部分半导体材料因晶格常数小于生长用衬底的晶格常数，导致生长中衬底发生翘曲，生长衬底边缘会形成材料晶体堆积层。后续的半导体器件工艺中，因生长衬底较厚，一般都需要将外延生长有半导体晶体晶体层的外延片通过蜡粘倒扣在托盘上，对衬底进行减薄处理。但是由于以上外延工艺中衬底边缘的晶体堆积层因厚度较厚，高出器件高度，导致生长有半导体晶体材料层的外延片表面不平整，从而在研磨工艺中引起研磨的破片，导致正品率下降，也直接影响了生产成本，并且不能够应对不同直径的半导体。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种用于半导体外延片研磨的陶瓷托盘，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种用于半导体外延片研磨的陶瓷托盘，包括基座和托盘，所述基座顶部与所述托盘底部连接，且所述基座直径大于所述托盘直径，并且所述基座顶部还设置有至少一对结构完全一致的紧固机构，所述紧固机构顶部至所述基座底部之间的距离大于所述托盘顶部至所述基座底部之间的距离，且一对所述紧固机构分别设置在所述托盘直径的两侧，并且所述紧固机构至所述托盘边缘设置有间隙。

优选的，所述紧固机构包括支撑杆、调节螺杆和压头，所述支撑杆垂直设置在所述基座顶部，所述支撑杆上设置有螺栓孔，所述调节螺杆一端贯穿所述螺栓孔与所述压头连接。

优选的，所述压头靠近所述托盘一侧设置有保护层，且所述保护层上均匀设置有凸起点。

优选的，所述压头顶部至所述基座底部之间的距离小于所述托盘顶部至所述基座底部之间距离。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型结构简单，使用安全便捷，能够有效提高外延片衬底减薄研磨工艺的正品率，同时还能应对不同直径的半导体的减薄研磨，并且确保在研磨更加的稳定可靠。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型结构俯视示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型提供一种技术方案：一种用于半导体外延片研磨的陶瓷托盘，包括基座1和托盘2，所述基座1顶部与所述托盘2底部连接，且所述基座1直径大于所述托盘2直径，并且所述基座1顶部还设置有至少一对结构完全一致的紧固机构3，本实施例中，优选的采用了图2所示的两组紧固机构，且以托盘圆心成十字形排列；所述紧固机构3顶部至所述基座1底部之间的距离大于所述托盘2顶部至所述基座1底部之间的距离，且一对所述紧固机构3分别设置在所述托盘2直径的两侧，并且所述紧固机构3至所述托盘2边缘设置有间隙；通过此结构设置，能够确保对不同直径的半导体进行减薄研磨处理，同时安全性高。

本实用新型中，紧固机构3包括支撑杆4、调节螺杆5和压头6，所述支撑杆4垂直设置在所述基座1顶部，所述支撑杆4上设置有螺栓孔，所述调节螺杆5一端贯穿所述螺栓孔与所述压头6连接；采用此设计结构，是为了确保操作时更加的简单便利，提高作业效率。

本实用新型中，压头6靠近所述托盘2一侧设置有保护层，且所述保护层上均匀设置有凸起点；采用此设计结构，是为了确保在对半导体进行固定时不会刮伤其表面，确保使用时更加的稳定可靠。

此外，本实用新型中，压头6顶部至所述基座1底部之间的距离小于所述托盘2顶部至所述基座1底部之间距离；采用此设计结构，是为了确保在固定时不会影响半导体的研磨，同时又能对其进行固定，且需要说明的是，压头顶部与托盘顶部之间的高度差应该控制在10㎜-20㎜之间。

工作原理：

先在托盘顶部涂覆一层粘合层，然后将半导体倒扣于托盘，使外延片的半导体晶体层的外周位于托盘的外围，在其通过调节紧固机构，使压头能够将半导体与托盘固定，需要说明的是，本实用新型中，所述的托盘顶部为平面结构设置。

综上所述，本实用新型结构设计新颖，使用安全便捷，能够有效提高外延片衬底减薄研磨工艺的正品率，同时还能应对不同直径的半导体的减薄研磨，并且确保在研磨更加的稳定可靠。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的术语在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施方式，例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、产品或设备固有的其它步骤或单元。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

现在，将参照附图更详细地描述根据本申请的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员，在附图中，为了清楚起见，有可能扩大了层和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的器件，因而将省略对它们的描述。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。