1.一种低制耳低硬度电容器外壳，其特征在于，其原料组成成分及质量百分比为：si≤0.1％，fe0.18～0.28％，cu≤0.03％，mn≤0.01％，zn≤0.03％，ti≤0.03％，余量为al。
2.一种低制耳低硬度电容器外壳其制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将权利要求1所述的原料充分搅拌均匀进行熔炼，熔炼后铸轧，铸轧后的铝卷成品厚度为6.2±0.3mm；将铸轧成品卷粗轧冷轧至0.7mm厚度，进行纵剪切边，切边后进行精轧轧制至成品厚度0.48mm；260℃退火4h，继续高温380℃保温18-26h。
3.根据权利要求2所述的一种低制耳低硬度电容器外壳制备方法，其特征在于，铸轧速度为800～1000mm/min，铸轧区为50～65mm。
4.根据权利要求2所述的一种低制耳低硬度电容器外壳制备方法，其特征在于，熔炼温度为730～750℃，倒炉温度为735～750℃。
5.根据权利要求2所述的一种低制耳低硬度电容器外壳制备方法，其特征在于，铸轧生产前箱温度为693～697℃。
6.根据权利要求2所述的一种低制耳低硬度电容器外壳制备方法，其特征在于，熔炼时采用精炼剂730℃精炼20min，740℃精炼20min。
7.根据权利要求2所述的一种低制耳低硬度电容器外壳制备方法，其特征在于，除气箱箱温度控制725℃，氩气压力控制0.2mpa，气流量控制2.0m3/h，转子速度控制550rpm。
8.根据权利要求2所述的一种低制耳低硬度电容器外壳制备方法，其特征在于，过滤箱温度控制715℃，使用30目+40目过滤板过滤。
9.根据权利要求2所述的一种低制耳低硬度电容器外壳制备方法，其特征在于，铸嘴开口度控制7.5mm，铸轧线速度控制900mm/min。
10.根据权利要求2所述的一种低制耳低硬度电容器外壳制备方法，其特征在于，纵剪切边成1480mm宽。