掩膜安装装置及方法、成膜装置及方法、以及基板载置器与流程

1.本发明涉及掩膜安装装置、成膜装置、掩膜安装方法、成膜方法、电子器件制造方法、掩膜、基板载置器、以及基板载置器
‑
掩膜组。


背景技术：

2.作为制造有机el(有机发光二极管)显示器的方法，已知有通过经由以规定的图样形成开口的掩膜在基板上成膜来形成规定图样的膜的掩膜成膜法。在掩膜成膜法中，在将掩膜与基板的位置对准之后，使掩膜与基板贴紧，进行成膜。
3.在专利文献1中，记载了使基板保持在卡盘板(也称作“基板载置器”)上，由卡盘板输送基板。并且，在专利文献1中，记载了将被卡在卡盘板上的状态下的基板送入对准室，在对准室内与掩膜对准位置，将掩膜与基板贴合。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：韩国公开特许第10－2018－0067031号公报


技术实现要素：

7.发明所要解决的课题
8.近年来，为了增大有机el显示器的面积及提高生产效率，要求利用大尺寸的基板进行成膜。一般地，在有机el显示器的制造时，大多使用玻璃、树脂等的薄板作为基板，若基板的尺寸变大，则在水平地保持基板时的挠曲变大。
9.在掩膜成膜法中，利用与基板大致相同大小的掩膜进行成膜。因此，在对大面积的基板进行成膜时，使用大面积的掩膜，不仅基板挠曲，掩膜也容易挠曲。在专利文献1中，通过将基板卡到卡盘板上来消除基板的挠曲，但是，如上所述，在大面积的情况下，掩膜也产生挠曲。当在该状态下将基板靠近掩膜而使掩膜紧贴基板时，整个接合面的均匀贴紧变得困难，存在着会在形成于基板与掩膜箔之间的间隙中产生不能允许的大的间隙的情况。虽然考虑过在将基板靠近掩膜之后，使磁铁靠近基板的背面(基板的与掩膜相对向的面的相反一侧的面)而将掩膜箔向基板侧牵引，但是，当基板与掩膜箔之间的间隙过大时，存在着不能利用磁力对掩膜箔进行牵引来使其贴紧于基板的情况。
10.这样，过去，存在着在将掩膜安装到被保持于基板载置器的基板上时，在基板与掩膜箔之间产生大的间隙，基板与掩膜的贴紧不充分，成膜精度会降低的课题。
11.本发明是鉴于上述课题而做出的，其目的在于提供一种技术，在将掩膜安装到被保持于基板载置器来进行输送的基板上时，能够提高成膜精度。
12.解决课题的手段
13.为了解决上述课题，本发明的掩膜安装装置配备有：
14.支承基板载置器的基板载置器支承机构，所述基板载置器保持基板；
15.支承掩膜的掩膜支承机构；以及
16.移动机构，所述移动机构使所述基板载置器支承机构和所述掩膜支承机构中的至少一方移动，以便对所述基板载置器从所述掩膜隔离开的隔离状态与所述基板载置器载置于所述掩膜上的安装状态进行切换，其特征在于，
17.所述基板载置器支承机构具有：
18.支承所述基板载置器的沿着第一方向的第一边的周缘部的第一基板载置器支承部；以及
19.支承所述基板载置器的沿着所述第一方向的第二边的周缘部的第二基板载置器支承部，
20.所述掩膜支承机构具有：
21.支承所述掩膜的沿着所述第一方向的第一掩膜边的周缘部的第一掩膜支承部；以及
22.支承所述掩膜的沿着所述第一方向的第二掩膜边的周缘部的第二掩膜支承部，
23.在所述隔离状态下，所述第一基板载置器支承部及所述第二基板载置器支承部支承所述基板载置器，以使所述基板载置器的挠曲量dc 成为第一挠曲量，
24.在所述隔离状态下，所述第一掩膜支承部及所述第二掩膜支承部支承所述掩膜，以使所述掩膜的挠曲量dm成为比所述第一挠曲量小的第二挠曲量。
25.发明的效果
26.根据本发明，可以提供一种技术，当在蒸镀装置中将基板载置器与掩膜对准时，能够使基板与掩膜正确地对准位置，并且使基板与掩膜的间隙贴紧，降低成膜不匀。
附图说明
27.图1是表示实施方式的蒸镀装置的结构的示意剖视图。
28.图2是从实施方式的掩膜保持部及基板的下部观察的立体图。
29.图3是实施方式的基板及基板载置器的结构图。
30.图4是实施方式的基板及载置器保持部的放大图。
31.图5是实施方式的蒸镀装置的结构的立体图。
32.图6是利用辊输送基板及载置器的状态的图。
33.图7是在基板与基板载置器产生间隙的状态的图。
34.图8是表示在使载置器经由就位块接触时的就位块与载置器承接爪的接触面的状态的图。
35.图9是表示旋转平移机构的一个例子的立体图。
36.图10是表示基板及掩膜的保持的情况的平面图和掩膜的放大图。
37.图11是表示实施方式中的处理的各个工序的流程图。
38.图12是实施方式的有机el面板的串列制造系统的示意结构图。
39.图13是有机el显示装置的说明图。
具体实施方式
40.[实施方式1]
[0041]
下面，参照附图，基于实施例举例详细说明用于实施本发明的方式。但是，对于实
施例中记载的结构部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等，只要没有特别说明，则并不将本发明的范围限定与此。
[0042]
参照图1～图11，对于根据本发明的实施方式的掩膜安装装置、成膜装置、掩膜安装方法、成膜方法、以及电子器件的制造方法进行说明。在下面的说明中，以在用于制造电子器件的装置中配备的掩膜装置等为例进行说明。另外，作为用于制造电子器件的成膜方法，以采用真空蒸镀法的情况为例进行说明。但是，本发明也可以适用于采用溅射法作为成膜方法的情况。另外，本发明的掩膜安装装置等，除了用于成膜工序的装置以外，也可以应用于需要将掩膜安装到基板上的各种装置，特别是，优选可以应用于将大型基板作为处理对象的装置。另外，作为应用于本发明的基板的材料，除了玻璃之外，可以选择半导体(例如，硅)、高分子材料的膜、金属等任意材料。另外，作为基板，例如，也可以采用在硅片或者玻璃基板上层叠了聚酰亚胺等的膜的基板。另外，在基板上形成多个层的情况下，是将到前一个工序为止已经形成的层也包含在内而称作为“基板”。另外，在下面说明的各种装置等的同一附图内具有多个相同或者对应的部件的情况下，虽然存在着在附图中附加a、b等副标的情况，但是，在说明的文字中没有必要进行区别的情况下，有时会省略a、b等副标来进行描述。
[0043]
(装置结构)
[0044]
图1是用于表示本实施方式的串列蒸镀装置的对准机构部的整体结构的示意剖视图。图1(a)是说明蒸镀装置的对准机构具有的各个部位的配置、结构以及关系的图。图1(b)是将保持、输送玻璃基板用的载置器机构部和掩膜的搭载状态放大了的图。图2是从斜下方观察本实施方式的蒸镀装置中的掩膜保持部及基板的立体图。
[0045]
蒸镀装置大致配备有腔室4和对准装置1，所述对准装置1保持在作为掩膜安装装置的基板载置器部9被保持的基板5以及掩膜6，并进行相对位置对准。腔室4能够借助配备有真空泵、室压计的室压控制部(图中未示出)来调整室压，并且，在腔室4的内部能够配置收纳有蒸镀材料(成膜材料)的蒸发源(成膜源)，由此，在腔室内部形成被减压了的成膜空间2。在成膜空间2中，蒸镀材料从蒸发源7 飞向基板5，在基板上形成膜。另外，在本实施方式中，如图2所示，掩膜6具有在框状的掩膜框架6a上熔接固定有几μm～几十μm程度的厚度的掩膜箔6b的结构。掩膜框架6a以在掩膜箔6b的平面方向(后面描述的x方向以及y方向)上拉伸掩膜箔6b的状态支承掩膜箔6b，以使掩膜箔6b不会挠曲。在掩膜箔6b上，形成有与所希望的成膜图样相对应的开口。在使用玻璃基板或者在玻璃基板上形成有聚酰亚胺等树脂制的膜的基板来作为基板5的情况下，作为掩膜框架6a及掩膜箔6b的主要材料，可以使用铁合金，优选地，使用含有镍的铁合金。作为含有镍的铁合金的具体例子，可以列举出含有34质量％以上、38 质量％以下的镍的殷钢(因瓦合金)材料；除了30质量％以上、34 质量％以下的镍之外还含有钴的超殷钢材料；含有38质量％以上、54 质量％以下的镍的低热膨胀fe－ni系镀敷合金等。
[0046]
在图中所示的例子中，对于以在成膜时基板的成膜面朝向重力方向下方的状态进行成膜的向上沉积的结构进行说明。但是，也可以是以在成膜时基板的成膜面朝向重力方向上方的状态进行成膜的向下沉积的结构。另外，也可以是以基板垂直地竖立而成膜面与重力方向大致平行的状态进行成膜的侧向沉积的结构。即，优选地，在使被保持于载置器的基板与掩膜相对接近时，在该基板载置器与掩膜中的至少任一个构件发生了下垂或挠曲的
状态下，在要求高精度地进行位置对准时，可以利用本发明。
[0047]
腔室4具有上部间隔壁4a(顶板)、侧壁4b、底壁4c。腔室4内部，除了上述减压气氛之外，也可以保持为真空气氛、或氮气等不活泼气体气氛。另外，本说明书中的“真空”是指由压强比大气压低的气体充满的空间内的状态，典型地，是指以压强比1atm(1013hpa) 低的气体充满的空间内的状态。
[0048]
蒸发源7例如也可以是配备有收容蒸镀材料的坩埚等材料收容部和对蒸镀材料加热的封装加热器等加热机构的蒸发源。进而，也可以通过配备使材料收容部在与基板载置器部9以及掩膜6大致平行的平面内移动的机构、或者使整个蒸发源7移动的机构，使得喷出蒸镀材料的喷出口的位置在腔室4内相对于基板相对位移，将向基板上的成膜均匀化。
[0049]
对准装置1大致包括位置对准机构60(位置对准装置)，所述位置对准机构60被搭载于腔室4的上部间隔壁4a上，对基板载置器9 进行驱动，使被保持于基板载置器9的基板5与掩膜6的位置相对地对准。对准装置1具有保持基板载置器9的载置器支承部8(基板载置器支承机构)和保持掩膜6的掩膜承接台16(掩膜支承机构)。
[0050]
位置对准机构60设置在腔室4的外侧，使基板载置器支承部以及掩膜支承部中的至少一方移动，使基板载置器9与掩膜6的相对位置关系变化。在本实施方式中，位置对准机构60使作为基板载置器支承部的载置器支承部8移动。位置对准机构60大致包括旋转平移机构 11(平面内移动机构)、z升降基座13、z升降滑动器10。
[0051]
旋转平移机构11被连接于腔室4的上部间隔壁4a，将z升降基座13向x方向、y方向、以及θ方向(将它们统称为xyθ方向)驱动。 z升降基座13被连接于旋转平移机构11，成为基板载置器9向z方向移动时的基座。z升降滑动器10是能够沿着z导向件18在z方向上移动的构件。z升降滑动器10经由基板保持轴12被连接于基板载置器支承部8。
[0052]
在这样的结构中，在由旋转平移机构11进行的在与基板载置器9 以及掩膜6大致平行的面内的xyθ驱动(向xyθ方向的驱动)时，z 升降基座13、z升降滑动器10以及基板保持轴12成一体地移动，向载置器支承部8传递驱动力。并且，使被基板载置器9保持的基板5 在与基板5以及掩膜6大致平行的平面内移动。另外，掩膜6以及基板5，如后面将要描述的那样，因重力而挠曲，但是，这里所说的与基板5以及掩膜6大致平行的平面是指与没有产生挠曲的理想状态下的基板5以及掩膜6大致平行的平面。例如，在向上沉积或向下沉积等水平地配置基板5和掩膜6的结构中，旋转平移机构11使基板5 在水平面内移动。另外，在利用z导向件18使z升降滑动器10相对于z升降基座13在z方向上驱动时，驱动力经由基板保持轴12(在本实施例中，配备有四个基板保持轴12a、12b、12c、12d。另外，在图2中，轴12d被基板5及压模6挡住，图中未示出)被传递给载置器支承部8。并且，使基板5相对于掩膜6的距离发生变化(远离或者接近)。即，z升降基座13、z升降基座13以及z导向件18作为位置对准机构的距离变化机构起作用。
[0053]
如图中的例子所示，通过将包括多个可动部的位置对准机构60 配置在成膜空间之外，可以抑制在成膜空间内或者进行对准的空间内产生尘埃。由此，可以抑制因产生尘埃而使掩膜及基板被污染从而使得成膜精度降低。另外，在本实施方式中，对于位置对准机构60使基板5在xyθ方向以及z方向上移动的结构进行了说明，但是，并不局限于此，位置对准机构60也可以使掩膜6移动，还可以使基板5以及掩膜6两者移动。即，位置对准机构60是使基板5以及掩膜6中的至少一方移动的机构，由此，可以使基板5与掩膜6的相对位置对准。
[0054]
图1(b)是将基板载置器9以及掩膜框架6a放大了的图。另外，图3表示从背面观察基板载置器9以及基板5的图，利用这些图来说明载置器结构。
[0055]
基板载置器9具有载置器面板30(面板构件)、就位块31(就位构件)和卡紧构件32。
[0056]
载置器面板30是由金属等构成的板状构件，是构成保持基板5 的保持面的构件。载置器面板30具有一定程度的刚性(至少比基板5 的刚性高)，通过沿着保持面保持基板5，可以抑制基板5的挠曲。
[0057]
就位块31在载置器面板30的保持面的基板保持区域的外侧从保持面突出地配置为多个。就位块31被设置成在基板5被保持在基板载置器9上的状态下比基板5向掩膜6侧突出。基板载置器9通过就位块31经对准动作就位于掩膜框架6a的外周框架上。
[0058]
卡紧构件32是用于沿着由载置器面板30构成的保持面保持基板 5的构件。在本实施方式中，如图3所示，在设于载置器面板30的多个孔的内部配置多个卡紧构件32。在卡紧构件32的面对基板5的部分，配置有粘结性的构件，可以借助粘结力来保持基板5。卡紧构件 32也可以称作粘结垫。另外，优选地，与掩膜6的形状相对应地配置卡紧构件32，更优选地，与掩膜6的框条部分相对应地配置卡紧构件 32。由此，可以抑制因卡紧构件32与基板5接触而引起的对基板5 的成膜区域的温度分布的影响。另外，在本实施方式中，作为卡紧构件32，使用借助粘结力来保持基板5的构件，但是，本发明并不局限于此，作为卡紧构件32，也可以使用借助静电力来保持基板5的构件 (静电卡盘)。
[0059]
基板载置器9还具有用于隔着所保持的基板5对掩膜6进行磁性吸附的磁性吸附机构(图中未示出)。作为磁性吸附机构，可以使用永久磁铁、电磁铁、配备有永久磁铁的磁铁板。另外，磁性吸附机构也可以相对于载置器面板30能够相对移动地设置。更具体地，磁性吸附机构也可以能够改变与载置器面板30之间的距离地设置。
[0060]
图4是将掩膜以及载置器保持部放大表示的图，利用该图说明详细的部分。另外，图1、4、6、7的各剖视图是在与作为输送机构的输送辊15的输送方向垂直且通过构成框状的掩膜框架6a的一个边的部分的面上的剖视图。
[0061]
保持着基板5的基板载置器9和掩膜6分别被输送辊15沿着各自的输送路径输送，以不同的定时在配置有对准装置1的腔室(蒸镀装置)中合流。具体地，基板载置器9先被送入到腔室内，从输送辊15 转交给载置器支承部8，形成退避到输送路径的上方的状态。之后，掩膜6被送入到腔室内，从输送辊15转交给掩膜承接台16。由此，基板载置器9和掩膜6变成在上下方向上重叠配置，被分别支承的状态。并且，通过使载置器支承部8一边调整前后左右的位置一边下降，能够使基板载置器9相对于掩膜6进行位置对准。
[0062]
载置器支承部8具有载置器承接爪42。载置器承接爪42配置在基板载置器9的输送路径的两侧(载置器承接爪42a、42b)。通过将基板载置器9的一对周缘区域载置在作为各个载置器承接爪42的上表面的载置器承接面41(作为第一支承部的载置器承接面41a、作为第二支承部的载置器承接面41b)上，支承基板载置器9。
[0063]
掩膜框架6a经由掩膜承接面33被掩膜承接台16支承。掩膜承接面33配置在掩膜6的输送路径的两侧(作为第三支承部的掩膜承接面 33a、作为第四支承部的掩膜承接面33b)。如图5所示，掩膜承接台 16一边被载置于掩膜台基座19上的升降台导向件34导向一边被升降。掩膜承接台16的升降由配置在升降台导向件34的内部或者外部的图中未示出的掩膜承接台升降机构进行。另外，输送辊15配置在掩膜6 的长边的下部，通过掩膜承接台16
下降，掩膜6被转交给输送辊15。
[0064]
这样，在本实施方式中，矩形形状的基板载置器9和矩形形状的掩膜6分别被载置器支承部8和掩膜支承部(掩膜承接台16)沿着输送辊15的输送方向支承。即，基板载置器9的相对向的两组边中的一组边(这里，为长边)与输送辊15的输送方向大致平行地配置，与之相对向地配置的载置器支承部8支承与该一组边(这里，为长边)相对应的基板载置器9的周缘部。另外，掩膜6的相对向的两组边中的一组边(这里，为长边)与输送辊15的输送方向大致平行地配置，与之相对向地配置的掩膜支承部支承与该一组边(这里，为长边)相对应的掩膜6的周缘部。另外，这里，对于支承基板载置器9和掩膜6 的长边的结构进行了说明，但是，并不局限于此，也可以支承短边侧。另外，在基板载置器9和掩膜6为正方形的情况下，只要是支承两组边中的一组边的周缘部的结构即可。另外，这里所说的输送方向是指输送辊15输送掩膜6的单体或者搭载有基板载置器9的掩膜6的方向。
[0065]
图6是基板载置器9被搭载于对准完成之后的掩膜框架6a上且掩膜6被转交给输送辊15的状态。在向纸面内的方向上配置有多个输送辊15，通过将掩膜6在向纸面内的方向上输送，输送被搭载于掩膜6 上的基板载置器9。掩膜6、基板载置器9、基板5成一体被输送辊15 输送，并且在沿着向纸面内的方向配置的蒸发源7上通过，由此，对基板5的被掩膜箔6b遮挡的部分以外的区域进行有机材料的成膜。
[0066]
这里，对于由载置器支承部8支承的基板载置器9和由掩膜支承部支承的掩膜6的挠曲进行探讨。如上所述，由载置器支承部8支承的基板载置器9(保持基板5)成为在与输送辊15的输送方向垂直的截面中呈向着重力方向下方凸出的抛物线状地挠曲的形状。另外，由掩膜支承部支承的掩膜6也成为在与输送辊15的输送方向垂直的截面中呈向着重力方向下方凸出的抛物线状地挠曲的形状。在本说明书中，作为定量地处理该基板载置器9的挠曲程度和掩膜6的挠曲程度的量，如下所述地定义载置器自重挠曲量dc和掩膜自重挠曲量dm。
[0067]
在本说明书中，载置器自重挠曲量dc是指当要利用载置器支承部 8沿着某个平面(假想平面)支承基板载置器9时，以沿着该平面的高度(该假想平面的高度)为基准，基准高度与因自重而挠曲的部分的高度之差(绝对值)。例如，在要利用载置器支承部8水平地支承基板载置器9时，以载置器承接面41的高度为基准，基准高度与基板载置器9之中的最大挠曲部分(从假想平面的高度起的高度的变化最大的部分)的基板载置器9的下表面的高度(典型地，与彼此相对向地配置的载置器支承部8之间的中间部分相对应的基板载置器9的下表面的高度)之差(绝对值)成为载置器自重挠曲量dc。即，如图1(b) 所示，在被支承于载置器支承部8的基板载置器9的下表面中，将与载置器承接面41抵接的部分的高度作为上述假想平面的高度，将从该假想平面的高度起直到高度的变化最大的部分的高度为止的差(绝对值)作为载置器自重挠曲量dc。另外，也可以不是将基板载置器9的下表面作为基准，而将上表面作为基准来规定载置器自重挠曲量dc。在该情况下，也可以基于载置器承接面41的高度和基板载置器9的厚度(高度)来取得上述假想平面的高度。即，也可以着眼于与基板载置器9的载置器承接面41抵接的部分，将基板载置器9的厚度与载置器承接面41的高度相加得到的值作为上述假想平面的高度。
[0068]
另外，在本说明书中，掩膜自重挠曲量dm是指当要利用掩膜支承部沿着某个平面(假想平面)支承掩膜6时，以沿着该平面的高度 (该假想平面的高度)作为基准，基准高度与因自重而挠曲的部分的高度之差(绝对值)。例如，在要利用掩膜支承部水平地支承掩膜6
时，以掩膜6的与掩膜承接面33抵接的部分的上表面的高度作为基准，基准高度与掩膜6之中的最大挠曲部分(从假想平面的高度起的高度的变化最大的部分)的掩膜6的上表面的高度(典型地，与彼此相对向地配置的掩膜支承部之间的中间部分相对应的掩膜6的上表面的高度) 之差(绝对值)成为掩膜自重挠曲量dm。即，如图1(b)所示，在被支承于掩膜支承部的掩膜6的上表面中，将高度变化最小的端部的部分的高度作为上述假想平面的高度，将从该假想平面的高度起直到高度变化最大的部分的高度为止的差(绝对值)作为掩膜自重挠曲量 dm。另外，也可以基于掩膜承接面33的高度和掩膜6的厚度(高度) 来取得上述假想平面的高度。即，也可以着眼于掩膜6的与掩膜承接面33抵接的部分，将掩膜6的厚度(例如，掩膜框架6a的厚度与掩膜箔6b的厚度的合计)与掩膜承接面33的高度相加得到的值作为上述假想平面。另外，也可以不是将掩膜6的上表面作为基准，而将下表面作为基准来规定掩膜自重挠曲量dm，在该情况下，也可以将掩膜承接面33的高度作为基准高度。
[0069]
这里，由于基板载置器9是用于抑制基板5的挠曲以便容易地进行输送的装置，因此，若从该目的出发，则优选提高基板载置器9的刚性，以便尽可能不会挠曲。另一方面，由于掩膜6如上所述采用刚性高的掩膜框架6b以便掩膜箔6a不会挠曲，因此，与基板5相比较，掩膜6不易挠曲。过去，由于基板5以及掩膜6的一个边的长度最多为1.5m程度，因此，掩膜6的挠曲为可以忽略的程度。但是，在采用在第八代或第十代等一个边的长度大幅超过2m的基板5以及掩膜 6的情况下，掩膜6的挠曲变得不能忽视。另外，在如本实施方式那样，不是支承全部四个边而是只支承相对向的一对边这样部分地支承矩形形状的掩膜6以及基板载置器9的情况下，掩膜6的挠曲愈发变大。即，若按照过去的思路设计基板载置器9，则掩膜6比基板载置器9更容易挠曲。
[0070]
作为本发明人等深入研究的结果，发现在这样的情况下，若按照过去的思路尽可能地提高基板载置器9的刚性以便消除挠曲，则会产生一些问题。下面，对于在尽可能地提高基板载置器9的刚性，载置器自重挠曲量dc变得比掩膜自重挠曲量dm小的情况下(即，在dc<dm 的情况下)产生的问题进行说明。
[0071]
在dc<dm的情况下，首先，第一，在使基板载置器9与掩膜6 接触，将基板载置器9载置于掩膜6上，将掩膜6安装到基板5上时，若掩膜6的挠曲比基板载置器9的挠曲过于大，则在掩膜箔6a与基板 5之间会产生大的间隙。图7表示出在掩膜6与基板5之间产生了大的间隙的状态。若在掩膜箔6a与基板5之间产生大的间隙，则即使隔着基板5以及基板载置器9从背面侧利用磁铁等磁性吸附机构吸附掩膜6，使掩膜箔6a贴紧于基板5，也会存在残留有间隙的情况。这样，变成在被保持于基板载置器9的基板5与掩膜6之间空开间隙ds的状态，在以该状态进行输送并成膜的情况下，在成膜时，成膜材料通过掩膜箔6a与基板5之间的间隙而蔓延，变成产生膜的模糊的状态。其结果是，存在着发生成膜不匀，导致由显示器的辉度不匀造成的品质降低的风险。
[0072]
在dc<dm的情况下，第二，在使基板载置器9与掩膜6接触时，从沿着作为被各个支承部(载置器支承部、掩膜支承部)支承的部分的长边延伸的区域开始接触。由于基板载置器9的长边以全部成为相同高度的方式被载置器承接爪42支承，另外，掩膜6的长边以全部成为相同高度的方式被掩膜支承部支承，因此，接触的开始在边彼此间 (长边彼此之间或者沿着长边延伸的区域彼此之间)产生。在边彼此接触时，如果是接触的两个边为相同的形状且两个边保持平行不变地接近并接触的理想状态，则全部边一起接触，但是，实际上，由
于各种外部干扰的影响，接触会从边中的一部分开始。并且，在该情况下，该接触的开始部位受到各种外部干扰的影响，每一次都会变化，并不固定在一个部位，接触的开始部位会随机地确定。其结果是，基板载置器9和掩膜6的就位时的再现性降低。例如，对准时的z升降滑动器10被z导向件18引导而下降，但是，因z导向件的平直度或姿势的再现性，而使得基板载置器9下降过程的路径或姿势不同，因此，难以使接触开始部位恒定。因此，由于当接触开始部位变化时，基板载置器9从掩膜框架6a受到的反作用力变化，因此，存在着在基板载置器9(或者被保持于基板保持器9的基板5)与掩膜6的对准完成之后，当使基板载置器9就位于掩膜6时的偏移每次都有很大不同的波动的风险。另外，在dc＝dm的情况下，也与dc<dm的情况一样，由于就位时的行为不稳定，因此，是不理想的。
[0073]
因此，本发明人等并不强行将基板载置器9的刚性提得过高，而是通过调整基板载置器9的挠曲量和掩膜6的挠曲量来解决上述课题。在本实施方式中，调整基板载置器9的刚性和掩膜6的刚性，以使载置器自重挠曲量dc变得比掩膜自重挠曲量dm大(即，变成dc>dm)。通过使dc>dm，如图1(b)所示，利用掩膜支承部支承掩膜6，在利用载置器支承部支承基板载置器9时，与掩膜6相比，基板载置器9 挠曲得大。另外，由于基板5沿着基板载置器9的保持面被保持于基板载置器，因此，可以看作基板5的挠曲量也与载置器自重挠曲量dc 相等。
[0074]
当以该状态将基板载置器9载置于掩膜6时，由于基板载置器9 一边按照挠曲量更小的掩膜6变形一边被载置，因此，在载置后，如图6所示，基板载置器9和掩膜6的挠曲变得一致。因此，可以充分地减小掩膜箔6a与基板5之间的间隙，可以抑制成膜时的膜的模糊。
[0075]
另外，通过使dc>dm，在使被保持于基板载置器9的基板5与掩膜6接触时，接触从基板5的短边侧的最挠曲的部分开始。在本实施方式中，在基板载置器9的保持基板5的区域的外侧，配置多个就位块31，就位块31被设置成比基板5突出。另外，在本实施方式中，多个就位块31中的一部分被配置在基板载置器9的短边侧的中央，即，被配置在最挠曲的部分。更具体地，在本实施方式中，在基板载置器 9的两个短边各自的中央，分别配置有就位块31。因此，在本实施方式中，由于在使基板载置器9与掩膜6接触时，可以使接触从配置在基板载置器9的短边侧的中央的就位块31开始，因此，可以提高就位的再现性。另外，可以将最初接触的就位块31作为位置对准的基准，也可以提高就位的位置再现性。
[0076]
作为使载置器自重挠曲量dc和掩膜挠曲量dm成为dm<dc的方法，例如，考虑使载置器面板30的材料为铝或者铝合金，使掩膜框架 6a的材料为铁或者铁合金，以便形成刚性差。另外，在为了降低由热膨胀之差造成的处理上的影响，而存在着载置器面板30和掩膜框架 6a的材质需要相同这样的制约的情况下，也可以采用使掩膜框架6a 的截面惯性矩比载置器面板30的截面惯性矩大的方法。即，作为载置器自重挠曲量dc和掩膜挠曲量dm的关系而实现dm<dc的方法并不限于特定的方法，可以适当地采用已知的方法。
[0077]
另外，作为本实施方式的特征，对于就位块31与载置器承接面 41的摩擦进行说明。使基板载置器9因自重而引起的挠曲量为dc，使掩膜框架6a的自重挠曲量为dm，如果为dm<dc，则接触从中央的就位块31开始，但是，为了抑制接触开始后的位置偏移，以便稳定地就位，接触开始后在横向方向上产生的力的关系变得重要。即，在成为基板载置器9与掩膜6的接触开始的部位(接触开始部位)的中央的就位块31与掩膜框架6a接触的部分中在水平方向上产生的摩擦力f1，与在载置器承接面41与基板载置器9接触的部分中在水平方向上产生的摩擦力f2的关系，如果成为f1>f2，则在中央的就位块31的附近，基板载置器9相对于
掩膜6不相对移动，停留在载置器承接面41附近，设想基板载置器9会相对于掩膜6滑动移动。由此，最初接触的中央的就位块31成为就位的位置基准，由于在就位的过程中，该位置不变，因此，具有降低在就位的过程中的位置偏移的波动的效果。
[0078]
另外，利用图8说明基板载置器9与掩膜6接触时的状态。图8 用斜线部(a)表示使基板载置器9经由就位块31就位于掩膜框架6a 上时的中央的就位块31处的接触状态。另外，用斜线部(b)表示载置器承接面41处的基板载置器9的接触状态。基板载置器9以挠曲的状态载置于多个载置器承接面41。实际上，大型的基板载置器9因自重挠曲而使得中央部分被向重力方向下方牵引，相反地，基板载置器 9的外周变成翘起的状态。即，载置器承接面41的接触状态如图8所示的斜线部(b)那样变成线接触状态。另一方面，中心的就位块31 的接触状态，由于受到基板载置器9的垂直负荷，因此处于大致由就位块31的接触面(下表面)的整个面来承受的如斜线部(a)那样的接触状态。
[0079]
使作为这些接触部的斜线部(a)处的摩擦系数为μ1，斜线部(b) 处的摩擦系数为μ2。基板载置器9的负荷均衡地施加于各个接触部，如果考虑到在就位时的横向方向上的摩擦力，则通过使在水平方向上产生的就位块31的接触部处的摩擦系数μ1比载置器承接面41的摩擦系数μ2大，在就位块31与掩膜框架6a接触的部分产生的摩擦力f1 与在载置器承接面41与基板载置器9接触的部分产生的摩擦力f2之间的关系，在就位动作的过程中，从初期起被保持在f1>f2不变。由此，可以抑制将基板载置器9载置到掩膜6上时产生的基板载置器9 相对于掩膜6的位置偏移。
[0080]
中央的就位块31与掩膜框架6a的接触部，例如，为金属彼此的接触，也可以为进行了研削研磨加工的表面性状。接触的环境为真空环境，一般地在真空状态下，通过金属表面的水分子挥发，使得润滑效果降低，从而，摩擦系数有向1.0接近的倾向，通过灵活地利用该现象，可以使中央的就位块31与掩膜框架6的接触部的摩擦系数μ1 最大化。
[0081]
对于与载置器承接面41上的基板载置器9的接触部，例如，也可以通过用无机材料、氟、dlc、无机陶瓷等实施基材的涂敷(无机材料涂敷、氟涂敷、陶瓷类涂敷、dlc涂敷)来实施低摩擦处理。一般地，对于可以用于固体润滑的涂敷，在真空环境中的摩擦系数为0.1～ 0.4，也可以将载置器承接面41与基板载置器9的接触部的摩擦系数μ2最小化。由此，作为上述摩擦力的关系，能够成为f1>f2。
[0082]
另外，在基板载置器9和掩膜6之间的滑动容易度与基板载置器 9和基板载置器支承部8(载置器承接面41)之间的滑动容易度之间设有差值的方法，在技术上其内容复杂，并不限定于特定的方法，可以根据装置结构等采用各种方法。即，认为摩擦力(摩擦系数)的控制(设定)与接触面(摩擦面)的性状或材质的组合、负荷或力的施加、整个装置结构中的接触部的位置关系等各种因素有关。发明人等，作为经验上的见解得知，在本实施方式的装置结构中，如图8所示，增大就位块31与掩膜框架6a的接触面积，减小载置器承接面41与基板载置器9的接触面积，即，对各个接触部的接触面积设置差值，这对于使各个接触部的摩擦系数具有差值会有大的帮助。
[0083]
基板保持轴12穿过设置于腔室4的上部间隔壁4a的贯通孔，遍及腔室4的外部和内部地设置。在成膜空间内，载置器支承部8设置于基板保持轴12的下部，能够经由基板载置器9保持作为被成膜物的基板5。
[0084]
将贯通孔相对于基板保持轴12的外径设计得充分的大，以便基板保持轴12与上部
间隔壁4a不相互干扰。另外，在基板保持轴12 中的从上部间隔壁4的贯通孔到向z升降滑动器10固定的固定部分为止的区间(比贯通孔靠上方的部分)，被固定于z升降滑动器10和上部间隔壁4a上的波纹管40覆盖。从而，由于基板保持轴12被与卡盘4连通的闭合空间所覆盖，因此，可以将整个基板保持轴12保持在与成膜空间2相同的状态(例如，真空状态)。对于波纹管40，可以使用在z方向以及xy方向上具有柔软性的管。由此，可以充分减小当因对准装置1的动作而使波纹管40位移时产生的阻力，可以降低位置调整时的负荷。
[0085]
由对准装置1进行的各种动作(由旋转平移机构进行的对准、由距离变化机构进行的z升降滑动器10的升降、由载置器支承部8进行的基板保持、由蒸发源7进行的蒸镀等)由控制部70来控制。控制部70例如可以由具有处理器、存储器、储存器、i/o接口等的计算机构成。在该情况下，控制部70的功能通过处理器执行存储在存储器或者储存器中的程序来实现。作为计算机，可以使用通用的个人计算机，也可以使用内置型的计算机或者plc(programmable logiccontroller:可编程逻辑控制器)。或者，也可以用asic或fpga这样的电路构成控制部70的功能的一部分或者全部。另外，可以对每个蒸镀装置设置控制部70，也可以由一个控制部70控制多个蒸镀装置。
[0086]
其次，参照图5，对于对准装置1的位置对准机构60的详细情况进行说明。图5是表示对准机构的一种方式的立体图。沿铅垂方向z 引导z升降滑动器10的导向件包括多个(这里，为四个)z导向件 18a～18d，被固定于z升降基座13的侧面。在z升降滑动器的中央，配置有用于传递驱动力的滚珠丝杠27，从固定于z升降基座13的电动机26传递的动力经由滚珠丝杠27被传递给z升降滑动器10。
[0087]
电动机26内置于图中未示出的旋转编码器，利用编码器的转速间接地计测z升降滑动器10在z方向上的位置。通过利用外部控制器对电动机26的驱动进行控制，能够进行z升降滑动器10在z方向上的精密定位。另外，z升降滑动器10的升降机构并不局限于滚珠丝杠27和旋转编码器，也可以采用线性电动机与线性编码器的组合等任意的机构。
[0088]
在图9的结构中，旋转平移机构11在基座的四角具有多个驱动单元21a、21b、21c、21d。各个驱动单元21a～21d绕z轴各旋转90 度方向地配置，以便使产生驱动力的方向在四角处各相差90度。
[0089]
各个驱动单元21配备有产生驱动力的驱动单元电动机25。各个驱动单元21还配备有第一导向件22和第二导向件23，通过驱动单元电动机25的力经由驱动单元滚珠丝杠46被传递，第一导向件22在第一方向上滑动，第二导向件23在xy平面上在与第一方向正交的第二方向上滑动。进而，配备有能够绕z轴旋转的转动轴承24。例如，在驱动单元21d的情况下，具有在x方向上滑动的第一导向件22、在与 x方向正交的y方向上滑动的第二导向件23、转动轴承24，驱动单元电动机25的力经由驱动单元滚珠丝杠46被传递给第一导向件22。其它驱动单元21a、21b、21c除了配置朝向相互各差90度，也分别具有与驱动单元21d同样的结构。
[0090]
驱动单元电动机25内置有图中未示出的旋转编码器，能够计测第一导向件22的位移量。在各个驱动单元21中，通过利用控制部70 控制驱动单元电动机25的驱动，能够精密地控制z升降基座13的 xyθz方向上的位置。
[0091]
例如，在使z升降基座13向+x方向移动的情况下，在驱动单元21a和驱动单元21d各自中由驱动单元电动机25产生向+x方向滑动的力，将该力传递给z升降基座13即可。另外，
在使之向+y方向移动的情况下，可以在驱动单元21b和驱动单元21c各自中由驱动单元电动机25产生向+y方向滑动的力，将该力传递给z升降基座 13即可。
[0092]
在使z升降基座13绕着与z轴平行的旋转轴进行+θ旋转(顺时针θz旋转)的情况下，利用对角配置的驱动单元21a和驱动单元21d 产生绕z轴进行+θz旋转所需的力，将该力传递给z升降基座13即可。或者，也可以利用驱动单元21b和驱动单元21c将旋转所需的力传递给z升降基座13。
[0093]
其次，对于为了检测基板5和掩膜6的位置而同时计测各对准标记的位置用的摄影装置进行说明。如图1、图5所示，在上部间隔壁 4a的外侧的面，配置有作为取得掩膜6上的对准标记(掩膜标记)以及基板5上的对准标记(基板标记)的位置用的位置取得机构的摄影装置14(14a、14b、14c、14d)。在上部间隔壁4a，在照相机光轴上设置有摄影用贯通孔，以便能够利用摄影装置14计测配置在腔室4 的内部的对准标记的位置。在摄影用贯通孔中，为了保持腔室内部的气压，设置窗玻璃17(17a、17b、17c、17d)等。进而，在摄影装置 14的内部或者附近，设置图中未示出的照明，通过用光照射基板以及掩膜的对准标记附近，能够进行正确的标记像的计测。另外，在图1 中，摄影装置14d、窗玻璃17c、17d被其它构件挡住，图中未示出。
[0094]
下面，参照图10(a)～图10(c)，说明利用摄影装置14计测基板标记37和掩膜标记38的位置的方法。
[0095]
图10(a)是从上方观察被保持于载置器支承部8的状态下的载置器面板30上的基板5的图。在基板5上，在基板5的四角形成有能够用摄影装置14计测的基板标记37a、37b、37c、37d。利用四个摄影装置14a～14d同时计测该基板标记37a～37d，从各个基板标记 37a～37d各自的中心位置4点的位置关系来计算基板5的平移量、旋转量，由此，可以取得基板5的位置信息。另外，在载置器面板30 上开设有贯通孔，能够利用摄影装置14从上部计测基板标记37的位置。
[0096]
图10(b)是从上面观察掩膜框架6a的图。在四角形成有能够利用摄影装置进行计测的掩膜标记38a、38b、38c、38d。可以利用四个摄影装置14a、14b、14c、14d同时计测掩膜标记38a～38d，从各个掩膜标记38a～38d各自的中心位置4点的位置关系来计算掩膜6的平移量、旋转量等，取得掩膜6的位置信息。
[0097]
图10(c)是示意地表示利用摄影装置14计测掩膜标记38以及基板标记37的4个组中的1组时的摄影图像的视野44。在该例中，由于在摄影装置14的视野44内，基板标记37和掩膜标记38被同时计测，因此，能够测定标记中心彼此的相对位置。可以基于通过摄影装置14的计测而获得的图像，利用图中未示出的图像处理装置求出标记中心坐标。另外，作为掩膜标记38以及基板标记37，列举了四边形或圆形的标记，但是，标记的形状并不局限于此。例如，优选使用 x符号或十字形等容易计算出中心位置的具有对称性的形状。
[0098]
在要求精度高的对准的情况下，作为摄影装置14，采用具有几μm 数量级的高分辨率的高倍率ccd照相机。这种高倍率ccd照相机，由于视野直径窄到几mm，因此，当将基板载置器9载置于载置器承接爪42时的位置偏移大时，基板标记37会跑到视野以外，变得不能计测。因此，作为摄影装置14，优选地，与高倍率ccd照相机一起，还一并设置有具有宽视野的低倍率ccd照相机。在该情况下，在利用低倍率ccd照相机粗略地对准(粗对准)，以便使掩膜标记38和基板标记37同时落入高倍率ccd照相机的视野之后，利用高倍率 ccd照相机进行
掩膜标记38和基板标记37的位置计测，进行高精度的对准(精密对准)。
[0099]
通过采用高倍率ccd照相机作为摄影装置14，能够以误差在几μm以内的精度调整掩膜框架6a与基板5的相对位置。但是，摄影装置14并不局限于ccd照相机，例如，也可以是作为摄影元件配备有 cmos传感器的数码照相机。另外，也可以不同时单独设置高倍率照相机和低倍率照相机，而通过使用能够更换高倍率镜头和低倍率镜头的照相机、或变焦镜头，由单一的照相机进行高倍率和低倍率的计测。
[0100]
根据由摄影装置14取得的掩膜框架6a的位置信息及基板5的位置信息，可以取得掩膜框架6与基板5的相对位置信息。将该相对位置信息反馈给对准装置的控制部70，控制升降滑动器10、旋转平移机构11、载置器支承部8等各自的驱动部的驱动量。
[0101]
(基板载置方法)
[0102]
下面，说明将基板5设置于基板载置器9，将基板载置器9上的基板5与掩膜6对准，将基板载置器9(基板5)载置到掩膜6上为止的蒸镀装置的一系列的动作。
[0103]
图11是表示实施方式的蒸镀装置的动作顺序的流程图。
[0104]
首先，在步骤s101，搭载于图中未示出的辊式输送机构上的基板载置器9经由闸阀送入到腔室4内，被载置到载置器支承部8的两侧的载置器承接爪42上。一方的载置器承接爪42a沿着基板5(基板载置器9)的一个边隔开规定的间隔地配置为多个，在该基板5的一个边附近支承基板载置器9的周缘部。另一方的载置器承接爪42b沿着与基板5的上述一个边相对向的第二边隔开规定的间隔地配置为多个，在基板5的第二个边附近支承基板载置器9的周缘部。
[0105]
其次，在步骤s103，使基板载置器9下降，设置于由低倍率ccd 照相机摄影的高度。其次，在步骤s104，利用低倍率ccd照相机对设置在基板5上的基板标记37进行摄影。控制部70基于摄影得到的图像，取得基板5的位置信息，保存在存储器中。
[0106]
步骤s105存在以下情况：接在步骤s104之后实施的情况；以及在步骤s109或者步骤s113中的判定为“否”时，接着这些步骤s109 或者s113实施的情况。
[0107]
在接着步骤s104实施的步骤s105中，使基板载置器9下降，设置于对准动作高度，基于在步骤s104取得的位置信息，调整基板5 的位置。
[0108]
首先，说到基板载置器9的高度，使得将载置器承接面41(载置器承接爪42的上表面)与掩膜6隔开的距离变更比步骤s104时低的高度。但是，这时，载置器承接面41的位置设定在因自重而挠曲的基板载置器9上的基板5不与掩膜6接触的高度。另外，根据情况，也可以在相同的高度实施步骤s105和步骤s104。
[0109]
在接着步骤s104实施的步骤s105的对准动作中，控制部70基于在步骤s104取得的基板5的位置信息来驱动对准装置1配备的位置对准机构60。即，控制部70调整基板5的位置，以便使基板5的基板标记37进入高倍率ccd照相机的视野内。另外，对于掩膜6，预先调整好掩膜6与高倍率ccd照相机的相对位置，以便使掩膜标记 38进入高倍率ccd照相机的视野内(优选为视野中心)。因此，利用接着步骤s104实施的步骤s105中的对准动作，调整成使得基板标记 37和掩膜标记38两者进入高倍率ccd照相机的视野内。但是，在该时刻，由于景深的关系，存在着基板标记37不能被高倍率ccd照相机摄影的可能性。另外，在对准动作中，使基板5在xyθz方向上移动，但是，如前面所述，由于使因自重而挠曲的基板5在不与掩膜6 接触的高度移动，因此，基板5的表面或者已经形成于基板5表面的膜图样不会与掩膜6滑动而
破损。
[0110]
接着，在步骤s106，使基板载置器9下降，将基板5设置于利用高倍率ccd照相机摄影的高度。
[0111]
这里，为了使景深浅的高倍率ccd照相机聚焦于基板标记37和掩膜标记36两者来进行摄影，使基板5接近掩膜6，至少基板5的至少一部分(挠曲部分)接触掩膜6而产生基板掩膜抵接部为止。
[0112]
接着，在步骤s108，利用高倍率ccd照相机同时对基板5的基板标记37和掩膜6的掩膜标记38摄影。控制部70基于摄影的图像，取得基板5与掩膜6的相对位置信息。这里所说的相对位置信息，具体地说，是关于基板标记37与掩膜标记38的中心位置彼此的距离和位置偏移的方向的信息。步骤s108是取得基板5与掩膜6的相对位置信息(相对位置偏移量)，计测基板5与掩膜6的位置偏移量的计测工序(计测处理)。
[0113]
接着，在步骤s109，控制部70判定在步骤s108计测的基板5与掩膜6的位置偏移量是否在规定的阈值以下。规定的阈值是被预先设定成使得基板5与掩膜6的位置偏移量落入到即使进行成膜也没有妨碍的范围内的值。阈值被设定成能够达到被求出的基板5与掩膜6的位置对准精度。阈值例如为误差几μm以内的数量级。
[0114]
在步骤s109，在判定为基板5与掩膜6的位置偏移量超过规定的阈值的情况下(步骤s109：否)，返回步骤s105，实施对准动作，进而继续进行步骤s106以后的处理。
[0115]
在步骤s109的判定为否的情况下实施的步骤s105中，使基板载置器9上升，设置于对准动作高度，基于在步骤s108取得的相对位置信息，调整基板5的位置。
[0116]
在步骤s109的判定为否的情况下实施的对准动作中，控制部70 基于在步骤s108取得的基板5与掩膜6的相对位置信息，驱动对准装置1配备的位置对准机构。即，控制部70使基板5在xyθz方向上移动来调整位置，以便使基板5的基板标记37与掩膜6的掩膜标记38 变成更接近的位置关系。
[0117]
在对准动作中，使基板5在xyθz方向上移动，但是，如前面所述，由于是在因自重而挠曲的基板5不与掩膜6接触的高度上的移动，因此，基板5的表面或者已经形成于基板5表面的膜图样不会与掩膜 6滑动而破损。
[0118]
步骤s105是使基板5移动以减小基板5与掩膜6的位置偏移量的对准工序(对准处理)，在步骤s109的判定为否的情况下，进行精密对准。
[0119]
在步骤s109的判定为是的情况下，在步骤s110，将基板载置器9 进一步下降，形成整个基板载置器9被载置在掩膜框架6a上的状态。即，解除由载置器支承部8对基板载置器9的支承，变成基板载置器 9(基板5)与搭载它的掩膜框架6a(掩膜6)一起被掩膜承接台16 (掩膜支承部)支承的状态。并且，在步骤s112，利用高倍率ccd照相机对基板标记37和掩膜标记36摄影，取得基板5和掩膜6的相对位置信息。
[0120]
接着，在步骤s113，控制部70基于在步骤112取得的基板5与掩膜6的相对位置信息，判定基板5与掩膜6的位置偏移量是否在规定的阈值以下。规定的阈值是作为如果在该给阈值内，则即使进行成膜也没有妨碍的范围内的条件而预先设定的。
[0121]
在步骤s113中判定为基板5与掩膜6的位置偏移量超过预定的阈值的情况下(步骤s113：否)，使载置器承接爪42上升到基板5的高度，支承基板载置器9。另外，这样的否定的判定，例如，在步骤s109～步骤s114之间，在因外部振动而发生了位置偏移等情况下产生。
[0122]
并且，返回步骤s105，实施对准动作。之后，继续进行步骤s106 以后的处理。
[0123]
另一方面，在步骤s113中判定为基板5与掩膜6a的位置偏移量在规定的阈值以下的情况下(步骤s113：是)，转到步骤s114，使掩膜升降台16下降，转交给输送辊15。由此，对准工序完毕(结束)。
[0124]
在本实施方式中，作为支承工序，作为在基板载置器9的周缘部的一对周缘区域，利用基板载置器支承部8对与构成基板5的周缘部的四个边中的一对相对的边相对应的基板载置器9的对向周缘部以使该对向周缘部沿着规定的方向的方式进行支承。另外，作为掩膜6的周缘部的一对周缘区域，利用掩膜支承部(掩膜承接台16)对与构成掩膜6的周缘部的四个边中的一个相对的边相对应的掩膜6(掩膜框架6a)的对向周缘部以使该对向周缘部沿着规定的方向的方式进行支承。另外，在本实施方式中，将规定的方向(第一方向)作为y轴方向，将第二方向作为x轴方向(从作为第一支承部的载置承接面41a 朝向作为第二支承部的载置承接面41b的方向、或者从被它们支承的基板载置器9的一对周缘区域的一个区域朝向另一个区域的方向)，将第三方向作为z轴方向，但是，并不局限于此。另外，在本实施方式中，分别举例为矩形的基板5和矩形的掩膜6，但是，基板、掩膜的形状并不局限于矩形，可以形成支承沿着与构成基板或掩膜的周缘部的多个边中的规定的方向配置的一对对向边相对应的一对周缘区域的结构。
[0125]
并且，作为安装工序，为了使基板载置器9和掩膜6从基板载置器9从掩膜6向上方分离开的隔离位置向基板载置器9被载置到掩膜 6上的安装位置移动(从隔离状态向安装状态转换)，使基板载置器支承部8下降。在本实施例中，使之沿着作为第三方向的z轴方向下降，但是，也可以是在能够实现本发明的所希望的载置动作的范围内相对于z轴方向成一定角度的方向。另外，也可以不使基板载置器支承部 8移动，而使掩膜支承部移动，还可以使两者移动。
[0126]
这时，只由基板载置器支承部8支承的基板载置器9和只由掩膜支承部支承的掩膜6，如上所述，以满足dc>dm(公式(1))的方式被分别支承。从而，在基板载置器9和掩膜6从上述隔离位置向上述安装位置移动时，接触从基板载置器9中向上述第三方向挠曲最大的部分和掩膜6中向上述第三方向挠曲最大的部分开始。
[0127]
如上所述，当基板载置器9在从上述隔离位置向上述安装位置的移动中与掩膜6接触时，在与上述第三方向正交的方向上，被基板载置器支承部8支承，以使得相对于基板载置器支承部8(载置器承接面41)的滑动容易度变得比相对于掩膜6的滑动容易度大。即，伴随着挠曲状态的消除，基板载置器9产生在上述第二方向上的两端部的位置向第二方向位移这样的变形，但是，该两端部的位移不是被与掩膜6的滑动，而是被与基板载置器支承部8(载置器承接面41)的滑动吸收、消除。由此，基板载置器9被载置到掩膜6上时的平面方向上的位置偏移被有效地抑制。
[0128]
对于上述滑动容易度的大小的控制，可以采用各种方法。例如，利用与掩膜6(掩膜框架6a)同样的铁等金属构件构成基板载置器9 的就位构件31，并且，至少由研磨加工面或者研削加工面构成两者的接触部，适当地设定接触部的接触面积。另一方面，可以在载置器承接面41上施加各种涂敷被膜，以便确保在单独支承时基板载置器9 不会滑落的程度的摩擦力，并且，与就位构件31与掩膜6之间相比，相对于基板载置器9更容易滑动。另外，也可以应用在本实施方式中说明的方法以外的方法。
[0129]
根据本实施方式，在蒸镀装置中，将基板载置器与掩膜对准时，能够将基板正确地与掩膜对准位置，能够使基板与掩膜之间的间隙充分地小，使掩膜安装到基板上。从而，能够降低成膜不匀，能够谋求成膜精度的提高。
[0130]
[实施方式2]
[0131]
接着，对于根据本发明的另外的实施方式进行说明。在实施方式 1中，对于在一个腔室内进行基板与掩膜的对准和成膜这两者的蒸镀装置进行了说明。在本实施方式中，至少使用两个腔室，在作为掩膜安装室的第一腔室中，进行基板与掩膜的对准，将掩膜安装到基板上，将安装了掩膜的基板输送到作为成膜室的第二腔室中，在第二腔室中经由掩膜在基板上进行成膜。即，根据本实施方式的成膜装置，具有进行基板与掩膜的对准的对准室和对基板进行成膜的成膜室。另外，在实施方式2的说明中，对于与实施方式1共同的结构使用相同的附图标记，对于在实施方式2中与实施方式1共同的内容，省略重复的说明。在实施方式2中，没有特别说明的事项，与实施方式1同样。
[0132]
接着，对于实施本发明的制造系统(成膜系统)进行说明。图12 是实施本发明的制造系统的示意结构图，举例为串列制造有机el面板的制造系统300。附图标记90为用于将载置器基板和掩膜投入到生产线上的投入室。对准室100搭载有本发明的对准装置1，对载置于基板载置器9的基板5与掩膜6高精度地进行对准，之后，转交给输送辊15，开始下一工序。成膜室110使被搬入的基板载置器9上的基板5在蒸发源7上通过，由此，对基板5的被掩膜6遮挡的部位以外的面成膜。
[0133]
[实施方式3]
[0134]
<电子器件的制造方法>
[0135]
下面，对于使用上述基板处理装置制造电子器件的方法进行说明。这里，作为电子器件的一个例子，以用于像有机el显示装置这样的显示器装置等的有机el元件的情况为例进行说明。另外，根据本发明的电子器件并不局限于与此，也可以是薄膜太阳电池或有机cmos 图像传感器。在本实施例中，具有利用上述成膜方法在基板5上形成有机膜的工序。另外，在使有机膜形成于基板5上之后，具有形成金属膜或者金属氧化物膜的工序。下面，对于利用这样的工序得到的有机el显示装置600的结构进行说明。
[0136]
图13(a)是有机el显示装置600的整体图，图13(b)表示一个象素的截面结构。如图13(a)所示，在有机el显示装置600的显示区域61中，呈矩阵状配置多个象素62，所述象素62配备有多个发光元件。每个发光元件具有配备有夹着一对电极的有机层的结构。另外，这里所说的象素，是指在显示区域61中能够显示所希望的颜色的最小单位。在本图的有机el显示装置的情况下，象素62由表示相互不同的发光的第一发光元件62r、第二发光元件62g、第三发光元件62b的组合构成。象素62大多由红色发光元件、绿色发光元件和青色发光元件的组合构成，但是也可以是黄色发光元件、蓝绿色发光元件和白色发光元件的组合，只要是至少一个颜色以上，则没有特定的限制。另外，各个发光元件也可以是将多个发光层层叠构成的。
[0137]
另外，也可以用表示相同的发光的多个发光元件构成象素62，使用与这些发光元件相对应地将多个不同颜色转换元件配置成图案状的彩色滤光片，一个象素能够在显示区域61中进行所希望的颜色的显示。例如，也可以使用由至少三个白色发光元件构成象素62，与各个发光元件相对应地配列红色、绿色、青色各颜色转换元件的彩色滤光片。或者，也可
以使用由至少3个青色发光元件构成象素62，与各个发光元件相对应地配列红色、绿色、无色各颜色转换元件的彩色滤光片。在后者的情况下，作为构成彩色滤光片的材料，通过使用量子点 (quantum dot：qd)材料的量子点彩色滤光片(qd－cf)，与不使用量子点彩色滤光片的通常的有机el显示装置相比，可以扩大显示色域。
[0138]
图13(b)是图13(a)的a－b线处的局部剖视示意图。象素 62在基板5上具有有机el元件，所述有机el元件配备有：第一电极(阳极)64、空穴迁移层65、发光层66r、66g、66b中的任一个、电子迁移层67、以及第二电极(阴极)68。其中，空穴迁移层65、发光层66r、66g、66b、电子迁移层67相当于有机层。另外，在本实施方式中，发光层66r是发红色光的有机el层，发光层66g是发绿色光的有机el层，发光层66b是发青色光的有机el层。另外，如上所述，在使用彩色滤光片或者量子点彩色滤光片的情况下，在各个发光层的光出射侧、即图13(b)的上部或者下部，配置彩色滤光片或者量子点彩色滤光片，但是，省略了图示。
[0139]
发光层66r、66g、66b分别形成于与发出红色、绿色、青色的光的发光元件(在有的情况下，也称作有机el元件)相对应的图样。另外，第一电极64对于各发光元件分离开地形成。空穴迁移层65、电子迁移层67和第二电极68可以对于多个发光元件62r、62g、62b 共同地形成，也可以对每个发光元件分别形成。另外，为了防止第一电极64和第二电极68被异物短路，在第一电极64之间设置绝缘层 69。进而，由于有机el层会因水分或氧气而劣化，因此，设有用于保护有机el元件不受水分或氧气影响的保护层p。
[0140]
接着，具体地说明作为电子器件的有机el显示装置的制造方法的例子。首先，准备用于驱动有机el显示装置的电路(图中未示出) 以及形成有第一电极64的基板5。
[0141]
接着，通过旋转涂敷在形成有第一电极64的基板5上形成丙烯酸树脂或聚酰亚胺等树脂层，利用光刻法，以将树脂层在形成有第一电极64的部分中形成开口的方式形成图样，形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
[0142]
接着，将绝缘层69被形成为图样的基板5送入第一成膜装置，利用基板保持单元保持基板，在显示区域的第一电极64上将空穴迁移层 65作为共同的层进行成膜。通过真空蒸镀将空穴迁移层65成膜。实际上，由于将空穴迁移层65形成为比显示区域61大的尺寸，因此，不需要高度精细的掩膜。这里，在本步骤中的成膜或者以下的各层的成膜中使用的成膜装置为上述各个实施方式中的任一实施方式所记载的成膜装置。
[0143]
接着，将形成了空穴迁移层65的基板5送入第二成膜装置，由基板保持单元进行保持，进行基板与掩膜的对准，将基板载置到掩膜上，在基板5的配置发红色光的元件的部分，对发红色光的发光层66r成膜。根据本例，可以良好地使掩膜与基板重叠，可以进行高精度的成膜。
[0144]
与发光层66r的成膜一样，利用第三成膜装置对发绿色光的发光层66g成膜，进而，利用第四成膜装置对发青色光的发光层66b成膜。发光层66r、66g、66b的成膜完成之后，利用第五成膜装置在整个显示区域61对电子迁移层67进行成膜。发光层66r、66g、66b各自可以为单层，也可以是多个不同的层层叠而成的层。电子迁移层65 在三个颜色的发光层66r、66g、66b上作为共同的层被形成。在本实施方式中，电子迁移层67、发光层66r、66g、66b通过真空蒸镀而成膜。
[0145]
接着，将第二电极68在电子迁移层67上成膜。第二电极可以通过真空蒸镀形成，也可以通过溅射形成。之后，将形成有第二电极68 的基板移动到封装装置，利用等离子体cvd
对保护层p成膜(封装工序)，完成有机el显示装置600完成。另外，这里，利用cvd(化学气相沉积)法形成保护层p，但是，并不局限于此，也可以利用ald (原子层沉积)法或喷射法来形成。
[0146]
若从将绝缘层69形成了图样的基板5送入到成膜装置中起，直到保护层p成膜完成为止，暴露在含有水分或氧的气氛中，则存在着由有机el材料构成的发光层因水分或氧而劣化的风险。从而，在本例中，基板在成膜装置之间的送入送出在真空气氛或者不活泼气氛下进行。
[0147]
附图标记说明
[0148]
100：对准室，1：对准装置，8：基板载置器支承部，9：基板载置器，60：位置对准机构，11：旋转平移机构，10：z升降滑动器， 13：z升降基座，18：z导向件，70：控制部，5：基板，6：掩膜， 6a：掩膜框架，31：就位块。