技术特征：
1.一种掩膜安装装置，配备有：基板载置器支承机构，所述基板载置器支承机构支承基板载置器，所述基板载置器保持基板；掩膜支承机构，所述掩膜支承机构支承掩膜；以及移动机构，所述移动机构使所述基板载置器支承机构和所述掩膜支承机构中的至少一方移动，以便对所述基板载置器从所述掩膜隔离开的隔离状态和所述基板载置器载置于所述掩膜上的安装状态进行切换，其特征在于，所述基板载置器支承机构具有：第一基板载置器支承部，所述第一基板载置器支承部支承所述基板载置器的沿着第一方向的第一边的周缘部；以及第二基板载置器支承部，所述第二基板载置器支承部支承所述基板载置器的沿着所述第一方向的第二边的周缘部，所述掩膜支承机构具有：第一掩膜支承部，所述第一掩膜支承部支承所述掩膜的沿着所述第一方向的第一掩膜边的周缘部；以及第二掩膜支承部，所述第二掩膜支承部支承所述掩膜的沿着所述第一方向的第二掩膜边的周缘部，在所述隔离状态下，所述第一基板载置器支承部以及所述第二基板载置器支承部支承所述基板载置器，以便使所述基板载置器的挠曲量dc成为第一挠曲量，在所述隔离状态下，所述第一掩膜支承部以及所述第二掩膜支承部支承所述掩膜，以便使所述掩膜的挠曲量dm成为比所述第一挠曲量小的第二挠曲量。2.如权利要求1所述的掩膜安装装置，其特征在于，所述基板载置器的挠曲量dc是所述第一边的高度与所述第一边和所述第二边之间的中央部的高度之差，所述掩膜的挠曲量dm是所述第一掩膜边的高度与所述第一掩膜边和所述第二掩膜边之间的中央部的高度之差。3.如权利要求1所述的掩膜安装装置，其特征在于，所述基板载置器的挠曲量dc是所述第一边或者所述第二边的高度与所述基板载置器的位于最低位置的低部的高度之差，所述掩膜的挠曲量dm是所述第一掩膜边或者所述第二掩膜边的高度与所述掩膜的位于最低位置的低部的高度之差。4.如权利要求1所述的掩膜安装装置，其特征在于，在从所述隔离状态向所述安装状态切换时，所述基板载置器之中的在所述隔离状态下位于最低位置的部分最先与所述掩膜接触。5.如权利要求4所述的掩膜安装装置，其特征在于，在从所述隔离状态向所述安装状态切换时，所述基板载置器的所述位于最低位置的部分与所述掩膜中的在所述隔离状态下位于最低位置的部分接触。6.如权利要求4所述的掩膜安装装置，其特征在于，所述基板载置器具有就位构件，所述就位构件被设置在保持所述基板的保持面的外
侧，比所述基板向所述掩膜突出，所述就位构件被设置在所述基板载置器的所述位于最低位置的部分中。7.如权利要求1所述的掩膜安装装置，其特征在于，所述基板载置器具有多个就位构件，所述多个就位构件被设置在保持所述基板的保持面的外侧，比所述基板向所述掩膜突出。8.如权利要求7所述的掩膜安装装置，其特征在于，在从所述多个就位构件中的任一个与所述掩膜接触起直到所述多个就位构件全部与所述掩膜接触为止的期间，在所述就位构件与所述掩膜之间产生的摩擦力变得比在所述基板载置器与所述第一基板载置器支承部以及所述第二基板载置器支承部之间产生的摩擦力大。9.如权利要求7所述的掩膜安装装置，其特征在于，所述多个就位构件与所述掩膜接触的接触面积比所述基板载置器与所述第一基板载置器支承部以及所述第二基板载置器支承部接触的接触面积大。10.如权利要求7所述的掩膜安装装置，其特征在于，所述多个就位构件与所述掩膜之间的摩擦系数比所述基板载置器与所述第一基板载置器支承部以及所述第二基板载置器支承部之间的摩擦系数大。11.如权利要求7所述的掩膜安装装置，其特征在于，所述多个就位构件的与所述掩膜的接触部由金属制的构件构成。12.如权利要求7所述的掩膜安装装置，其特征在于，所述多个就位构件的与所述掩膜的接触部由研磨加工面或者研削加工面构成。13.如权利要求1所述的掩膜安装装置，其特征在于，所述基板以及所述掩膜分别为矩形形状。14.如权利要求1所述的掩膜安装装置，其特征在于，所述掩膜具有框状的掩膜框架和被支承于所述掩膜框架的掩膜箔，在从所述隔离状态向所述安装状态切换时，所述基板载置器最先与所述掩膜框架接触。15.如权利要求14所述的掩膜安装装置，其特征在于，所述基板载置器包括铝或者铝合金制的面板构件，所述掩膜框架由铁或者铁合金构成。16.如权利要求1所述的掩膜安装装置，其特征在于，所述第一基板载置器支承部以及所述第二基板载置器支承部利用无机材料、氟系涂敷、陶瓷系涂敷、dlc涂敷中的任一种进行被膜。17.一种成膜装置，其特征在于，配备有：掩膜安装室，所述掩膜安装室具有如权利要求1～16中任一项所述的掩膜安装装置，用于将所述掩膜安装于所述基板载置器；成膜室，所述成膜室具有成膜机构，所述成膜机构用于经由所述掩膜对被保持在安装了所述掩膜的所述基板载置器上的基板的成膜面进行成膜；以及输送机构，所述输送机构将在所述掩膜安装室中安装了所述掩膜的所述基板载置器在所述成膜室内沿着所述第一方向进行输送。
18.一种掩膜安装方法，将掩膜安装到保持基板的基板载置器上，其特征在于，具有：基板载置器支承工序，在所述基板载置器支承工序，在所述基板载置器从所述掩膜隔离开的隔离状态下支承所述基板载置器的沿着第一方向的第一边的周缘部和所述基板载置器的沿着所述第一方向的第二边的周缘部，以便使所述基板载置器的挠曲量dc成为第一挠曲量；掩膜支承工序，在所述掩膜支承工序，在所述隔离状态下支承所述掩膜的沿着所述第一方向的第一掩膜边的周缘部和所述掩膜的沿着所述第一方向的第二掩膜边的周缘部，以便使所述掩膜的挠曲量dm成为比所述第一挠曲量小的第二挠曲量；以及载置工序，在所述载置工序，将通过所述基板载置器支承工序支承的所述基板载置器载置到通过所述掩膜支承工序支承的所述掩膜上。19.如权利要求18所述的掩膜安装方法，其特征在于，所述基板载置器的挠曲量dc是所述第一边的高度与所述第一边和所述第二边之间的中央部的高度之差，所述掩膜的挠曲量dm是所述第一掩膜边的高度与所述第一掩膜边和所述第二掩膜边之间的中央部的高度之差。20.如权利要求18所述的掩膜安装方法，其特征在于，所述基板载置器的挠曲量dc是所述第一边或者所述第二边的高度与所述基板载置器的位于最低位置的低部的高度之差，所述掩膜的挠曲量dm是所述第一掩膜边或者所述第二掩膜边的高度与所述掩膜的位于最低位置的低部的高度之差。21.如权利要求18所述的掩膜安装方法，其特征在于，在所述载置工序中，所述基板载置器中的在所述隔离状态下位于最低位置的部分最先与所述掩膜接触。22.如权利要求21所述的掩膜安装方法，其特征在于，在所述载置工序中，所述基板载置器的位于所述最低位置的部分与所述掩膜中的在所述隔离状态下位于最低位置的部分接触。23.如权利要求21所述的掩膜安装方法，其特征在于，所述基板载置器具有就位构件，所述就位构件在保持所述基板的保持面的外侧被设置于所述基板载置器的所述位于最低位置的部分中，比所述基板向所述掩膜突出，在所述载置工序中，所述就位构件最先与所述掩膜接触。24.如权利要求18所述的掩膜安装方法，其特征在于，所述基板载置器具有多个就位构件，所述多个就位构件被设置在保持所述基板的保持面的外侧，比所述基板向所述掩膜突出，在所述载置工序中，在从多个就位构件中的任一个与所述掩膜接触起直到所述多个就位构件全部与所述掩膜接触为止的期间，从在所述就位构件与所述掩膜之间产生的摩擦力比在所述基板载置器与支承所述第一边的周缘部的第一基板载置器支承部以及支承所述第二边的周缘部的第二基板载置器支承部之间产生的摩擦力小的状态，变化到在所述就位构件与所述掩膜之间产生的摩擦力比在所述基板载置器与所述第一基板载置器支承部以及所述第二基板载置器支承部之间产生的摩擦力大的状态。
25.一种成膜方法，其特征在于，对基板进行成膜，所述基板被保持在利用权利要求18～24中任一项所述的掩膜安装方法安装了所述掩膜的所述基板载置器上。26.一种电子器件的制造方法，其特征在于，具有利用权利要求25所述的成膜方法在基板上形成有机膜的工序。27.一种成膜用的掩膜，所述成膜用的掩膜被支承于掩膜安装装置，所述掩膜安装装置用于将掩膜安装到保持基板的基板载置器上，其特征在于，当在所述基板载置器从所述掩膜隔离开的隔离状态下支承所述基板载置器的沿着第一方向的第一边的周缘部和所述基板载置器的沿着所述第一方向的第二边的周缘部，以便使所述基板载置器的挠曲量dc成为第一挠曲量时，所述掩膜的挠曲量dm是比所述第一挠曲量小的第二挠曲量。28.一种基板载置器，被支承于掩膜安装装置，所述掩膜安装装置用于将掩膜安装到保持基板的基板载置器上，其特征在于，当在所述基板载置器从所述掩膜隔离开的隔离状态下支承所述掩膜的沿着第一方向的第一掩膜边的周缘部和所述掩膜的沿着所述第一方向的第二掩膜边的周缘部，以便使所述掩膜的挠曲量dm成为第二挠曲量时，所述基板载置器的挠曲量dc是比所述第二挠曲量大的第一挠曲量。29.一种基板载置器
‑
掩膜组，是保持基板的基板载置器和安装于所述基板载置器的掩膜的组，其特征在于，当在所述基板载置器从所述掩膜隔离开的隔离状态下支承所述基板载置器的沿着第一方向的第一边的周缘部和所述基板载置器的沿着所述第一方向的第二边的周缘部时，所述基板载置器的挠曲量dc是第一挠曲量，当在所述隔离状态下支承所述掩膜的沿着所述第一方向的第一掩膜边的周缘部和所述掩膜的沿着所述第一方向的第二掩膜边的周缘部时，所述掩膜的挠曲量dm是比所述第一挠曲量小的第二挠曲量。
技术总结
本发明提供一种在将掩膜安装到被保持于基板载置器并被输送的基板上时，可以提高成膜精度的技术。根据本发明，在只由基板载置器支承机构(8)支承与构成基板(5)的周缘部的多个边中的沿着规定方向配置的一对相对的边相对应的基板载置器(9)的一对周缘区域时的基板载置器(9)的挠曲量dc，比只由掩膜支承机构(16)支承与构成掩膜(6)的周缘部的多个边中沿着规定方向配置的一对相对的边相对应的掩膜(6)的一对周缘区域时的掩膜(6)的挠曲量dm大。一对周缘区域时的掩膜(6)的挠曲量dm大。一对周缘区域时的掩膜(6)的挠曲量dm大。
技术研发人员：铃木健太郎
受保护的技术使用者：佳能特机株式会社
技术研发日：2021.03.12
技术公布日：2021/9/13