技术特征：
1.一种半导体表面镀膜的方法，其特征在于，包括：在半导体上沉积第一dlc层；以惰性气体作为蚀刻气体，对沉积第一dlc层后的半导体进行离子束刻蚀，以使半导体的表面形成过渡层；在形成过渡层后的半导体上沉积第二dlc层。2.如权利要求1所述的半导体表面镀膜的方法，其特征在于，所述以惰性气体作为蚀刻气体，对沉积第一dlc层后的半导体进行离子束刻蚀，以使半导体的表面形成过渡层，具体包括：通过离子束刻蚀系统，以惰性气体作为蚀刻气体，蚀刻能量为150-500ev，蚀刻角为0-80deg，对沉积第一dlc层后的半导体进行离子束刻蚀，以使半导体的表面形成过渡层。3.如权利要求2所述的半导体表面镀膜的方法，其特征在于，所述以惰性气体作为蚀刻气体，对沉积第一dlc层后的半导体进行离子束刻蚀，以使半导体的表面形成过渡层，还包括：采用质谱法实时检测半导体的材料；当发现半导体的材料被溅射时，停止离子束刻蚀。4.如权利要求2所述的半导体表面镀膜的方法，其特征在于，对沉积第一dlc层后的半导体进行离子束刻蚀中采用的惰性气体为氖气、氩气、氪气或氙气。5.如权利要求1所述的半导体表面镀膜的方法，其特征在于，所述在半导体上沉积第一dlc层，具体包括：以石墨作为靶材，采用滤波阴极电弧工艺在半导体上沉积第一dlc层；或者，以甲烷或乙烯作为前驱体，采用化学气相沉积工艺或离子束沉积工艺在半导体上沉积第一dlc层。6.如权利要求1所述的半导体表面镀膜的方法，其特征在于，所述第一dlc层的厚度为1-2nm。7.如权利要求1所述的半导体表面镀膜的方法，其特征在于，所述在形成过渡层后的半导体上沉积第二dlc层，具体包括：以甲烷或乙烯作为前驱体，采用化学气相沉积工艺或离子束沉积工艺在形成过渡层后的半导体上沉积第二dlc层；或者，以石墨作为靶材，采用滤波阴极电弧工艺在形成过渡层后的半导体上沉积第二dlc层。8.如权利要求1所述的半导体表面镀膜的方法，其特征在于，所述第二dlc层的厚度为1-3nm。9.如权利要求1所述的半导体表面镀膜的方法，其特征在于，经过对沉积第一dlc层后的半导体进行离子束刻蚀，使沉积第一dlc层后的半导体总厚度减少0.5nm～5nm。10.如权利要求1所述的半导体表面镀膜的方法，其特征在于，在所述在半导体上沉积第一dlc层之前，还包括：将半导体放入真空室，并进行抽真空；采用等离子体刻蚀法或离子束刻蚀法对半导体的表面进行清洗。
技术总结
本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种半导体表面镀膜的方法，其包括：在半导体上沉积第一DLC层；以惰性气体作为蚀刻气体，对沉积第一DLC层后的半导体进行离子束刻蚀，以使半导体的表面形成过渡层；在形成过渡层后的半导体上沉积第二DLC层，本发明实施例采用的这三个步骤，由“沉积”、“蚀刻”和“沉积”组成，而不是一步涂层，由于存在混合边界，这三步沉积具有良好的附着力，可以通过刻蚀离子能量来调节，通过沉积和蚀刻反结合过程形成过渡层，过渡层实际上是碳亚植入到衬底上，以使涂层碳层在混合层上具有良好的附着力，从而获得良好的镀膜效果。镀膜效果。镀膜效果。
技术研发人员：宿志影
受保护的技术使用者：东莞新科技术研究开发有限公司
技术研发日：2021.03.24
技术公布日：2022/9/29