技术特征：
1.一种自催化金浴，其能够将金从溶液沉积到表面上，所述自催化金浴包含：a.螯合剂；b.金盐；和c.还原剂，其中所述还原剂包含有机分子，所述有机分子在所述有机分子上具有多于一个碳原子。2.根据权利要求1所述的自催化金浴，其中所述螯合剂选自乙二胺四乙酸、罗谢尔盐、羧酸以及前述物质中一种或多种的组合。3.根据权利要求1所述的自催化金浴，其中所述金盐选自氰化金钾、亚硫酸金、碘化金、氯化金、溴化金以及前述物质中一种或多种的组合。4.根据权利要求1所述的自催化金浴，其中所述还原剂包括附加的醇、羧酸和/或氮基团。5.根据权利要求1所述的自催化金浴，其中所述还原剂为含有两个或更多个碳原子的醛亚硫酸氢盐化合物。6.根据权利要求5所述的自催化金浴，其中所述还原剂选自2-甲氧基苯甲醛亚硫酸氢钠加成化合物、丙酮亚硫酸氢钠加成化合物、琥珀醛亚硫酸氢钠加成化合物、对茴香醛亚硫酸氢钠加成化合物、戊二醛亚硫酸氢盐加成化合物以及前述物质中一种或多种的组合。7.根据权利要求1所述的自催化金浴，其中将所述浴的ph保持在约6至约9的范围内。8.根据权利要求1所述的自催化金浴，其中所述浴的温度保持在约75℃至约95℃的范围内。9.一种通过自催化镀金在基材上提供金最终饰面的方法，所述方法包括以下步骤：a)提供其上具有一个或多个金属层的基材；以及b)使具有所述一个或多个金属层的所述基材与镀金浴接触以在其上沉积金金属，所述镀金浴包括：b)使所述基材的表面与自催化镀金溶液接触，所述自催化镀金溶液包含：i)螯合剂；ii)金盐；和iii)还原剂，其中所述还原剂包含有机分子，所述有机分子在所述有机分子上具有多于一个碳原子；其中所述金沉积在所述一个或多个金属层上，其中所述一个或多个金属层的可焊性增加。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述一个或多个金属层包含钯和/或镍。11.根据权利要求9所述的方法，其中将所述金电镀在半导体基材或印刷电路板的铜特征部上方的无电镀镍层上。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述无电镀镍层包括在所述镍层的顶部上方的镀钯膜，以防止所述镍层扩散到金沉积物。13.根据权利要求9所述的方法，其中所述镀金浴将最终饰面沉积到所述一个或多个金属层的表面，其中所述一个或多个金属层在enig、enepig、epag、直接金覆铜或金覆银工艺中形成。14.根据权利要求9所述的方法，其中所述基材为电路板，并且将金作为最终饰面沉积
到所述电路板上的所述一个或多个金属层，其中所述沉积的金增加所述一个或多个金属层的可焊性。15.根据权利要求9所述的方法，其中所述还原剂包括附加的醇、羧酸和/或氮基团。16.根据权利要求9所述的方法，其中所述还原剂为含有两个或更多个碳原子的醛亚硫酸氢盐化合物。17.根据权利要求16所述的方法，其中所述还原剂选自2-甲氧基苯甲醛亚硫酸氢钠加成化合物、丙酮亚硫酸氢钠加成化合物、琥珀醛亚硫酸氢钠加成化合物、对茴香醛亚硫酸氢钠加成化合物、戊二醛亚硫酸氢钠加成化合物以及前述物质中一种或多种的组合。18.一种电路板，其包括在其上的金属膜叠堆，其中所述金属膜叠堆包括在enig、enepig、epag、直接金覆铜或金覆银工艺中形成的一个或多个金属层，其中镀金饰面通过权利要求9的方法沉积在所述金属膜叠堆上。
技术总结
自催化金浴能够将金从溶液沉积到基材上，其中该基材在其上具有一个或多个金属层。该自催化金浴包含(a)螯合剂；(b)金盐；和(c)还原剂，其中该还原剂包含有机分子，该有机分子在该有机分子上具有多于一个碳原子。还包括将金电镀到该基材上的该一个或多个金属层的表面上的方法。该镀金浴可用于将最终饰面沉积到该一个或多个金属层的表面，该一个或多个金属层可在ENIG、ENEPIG、EPAG、直接金覆铜或金覆银工艺中形成。艺中形成。
技术研发人员：罗杰
受保护的技术使用者：麦克德米德乐思公司
技术研发日：2021.04.23
技术公布日：2022/12/23