技术特征：
1.一种设备，其包含：反应腔室，其包含多个腔室壁；喷头；反应空间，其由多个腔室壁和喷头界定；基材支架，其安置于反应空间内，基材支架被配置成用于支承基材；第一温度控制系统，其与至少一个腔室壁偶联，用于控制至少一个腔室壁的至少一部分的温度；第二温度控制系统，其用于控制喷头或基材支架中至少一个的温度；其中，第二温度控制系统被配置成将喷头或基材支架中至少一个的温度控制在介于80℃和160℃之间的温度下。2.如权利要求1所述的设备，其中，第一温度控制系统被配置成将至少一个腔室壁的温度控制在介于80℃和160℃之间。3.如权利要求1所述的设备，其中，第二温度控制系统被配置成将喷头或基材支架中至少一个的温度控制在介于90℃和140℃之间。4.如权利要求2所述的设备，其中，第一温度控制系统被配置成将至少一个腔室壁的温度控制在介于90℃和140℃之间。5.如权利要求1所述的设备，其进一步包含第三独立温度控制系统，用于控制基材支架上的基材的温度。6.如权利要求1所述的设备，其进一步包含安置于喷头与至少一个腔室壁之间的热隔离材料。7.如权利要求6所述的设备，其中，热隔离材料包括陶瓷或聚合物中至少一种。8.如权利要求1所述的设备，其中，第二温度控制系统和第一温度控制系统相互独立。9.如权利要求1所述的设备，其中，第一温度控制系统进一步包含加热器或再循环回路中至少一种。10.如权利要求1所述的设备，其中，第二温度控制系统进一步包含加热器或再循环回路中至少一种。11.如权利要求5所述的设备，其中，第三温度控制系统进一步包含加热器或再循环回路中至少一种。12.如权利要求10所述的设备，其中，第二温度控制系统包含多个加热器，用于控制至少一个腔室壁的多个区域的温度。13.如权利要求1所述的设备，其中，基材包含氮化钛膜。14.如权利要求13所述的设备，其中，氮化钛膜厚度均一性的标准偏差小于1％1σ。15.一种设备，其包含：反应腔室，其包含多个腔室壁；喷头；反应空间，其由多个腔室壁和喷头界定；第一温度传感器、第一加热器以及与多个腔室壁的至少一个腔室壁偶联的第一再循环回路；第二温度传感器、第二加热器以及与喷头偶联的第二再循环回路；
第一温度控制系统，用于将至少一个腔室壁的温度控制在介于80℃和160℃之间；第二温度控制系统，用于将喷头的温度控制在介于90℃和140℃之间。16.如权利要求15所述的设备，其进一步包含：基材支架，其安置于反应空间内，基材支架被配置成用于支承基材；第三独立温度控制系统，用于控制基材支架上的基材的温度。17.如权利要求15所述的设备，其进一步包含安置于喷头与多个腔室壁的腔室壁之间的热隔离材料。18.如权利要求17所述的设备，其中，热隔离材料包括陶瓷或聚合物中至少一种。19.如权利要求16所述的设备，其中，基材包含过渡金属氮化物膜。20.如权利要求15所述的设备，其中，用于控制至少一个腔室壁的温度的第一温度控制系统和用于控制喷头温度的第二温度控制系统是独立的。
技术总结
公开一种用于通过在由至少一个腔室壁和喷头界定的反应空间中进行原子层沉积而将过渡金属氮化物膜沉积在基材上的设备和方法。所述设备可以包含：安置于反应空间内的基材支架，所述基材支架被配置成用于支承至少一个基材；和温度控制系统，所述温度控制系统用于在至少一个腔室壁上暴露于气相反应物中的那些部分处控制所述至少一个腔室壁的温度。所述设备还可以包含用于控制喷头温度的温度控制系统，其中所述用于控制喷头温度的温度控制系统被配置成将所述喷头的温度控制在介于大致80℃与大致160℃之间的温度下。所述方法可以包含：在反应空间内的基材支架上提供至少一个基材；和至少在至少一个腔室壁上暴露于气相反应物中的那些部分处控制所述至少一个腔室壁的温度；以及控制喷头温度。所述方法还可以包含将至少两种气相反应物交替并依序地进料到反应空间中，其中将喷头温度控制在介于大致80℃与大致160℃之间的温度下。与大致160℃之间的温度下。与大致160℃之间的温度下。
技术研发人员：R
受保护的技术使用者：ASMIP控股有限公司
技术研发日：2018.05.14
技术公布日：2023/1/17