金属薄膜前体组合物、利用其的薄膜形成方法以及通过该方法制造的半导体基板与流程

技术特征：

1.一种金属薄膜前体组合物，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的金属薄膜前体组合物，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的金属薄膜前体组合物，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的金属薄膜前体组合物，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的金属薄膜前体组合物，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的金属薄膜前体组合物，其特征在于，

7.一种薄膜形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

8.根据权利要求7所述的薄膜形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

9.根据权利要求7所述的薄膜形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

10.根据权利要求7所述的薄膜形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

11.根据权利要求7所述的薄膜形成方法，其特征在于，

12.根据权利要求7至10中任一项所述的薄膜形成方法，其特征在于，

13.根据权利要求7所述的薄膜形成方法，其特征在于，

14.根据权利要求7所述的薄膜形成方法，其特征在于，

15.根据权利要求7所述的薄膜形成方法，其特征在于，

16.一种半导体基板，其特征在于，

技术总结
本发明涉及一种金属薄膜前体组合物、利用其的薄膜形成方法以及通过该方法制造的半导体基板，提供包含金属薄膜前体化合物以及具有预定的端基和结构的生长调节剂的金属薄膜前体组合物，在薄膜沉积工艺中利用所述金属薄膜前体组合物以抑制副反应，而且适当地控制薄膜生长率，并去除薄膜中的工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上沉积薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性(step coverage)、薄膜的厚度均匀性以及电阻率特性，减少腐蚀和劣化，改善薄膜的结晶度，从而改善薄膜的电学特性。

技术研发人员：延昌峰,郑在善,南知贤
受保护的技术使用者：秀博瑞殷株式公社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16