1.一种微波等离子体化学气相沉积制备硅产品的装置，其特征在于：包括反应腔体以及与所述反应腔体连接的供气系统、压力控制系统和微波能量传输系统，所述反应腔体内部设置有用来装载基片的载物台，反应腔体正对载物台的顶面设置微波馈入窗口，所述微波能量传输系统包括微波发生器和与所述微波发生器连通的矩形波导管，所述矩形波导管的另一端口短路，所述矩形波导管具有一微波馈入面，所述微波馈入面开设有缝隙天线阵，所述缝隙天线阵包括数个等距排列的矩形缝隙，所述矩形缝隙由两条垂直于矩形波导管宽边的垂直缝隙和两条平行于矩形波导管宽边的平行缝隙组成，所述矩形波导管的微波馈入面与所述反应腔体的微波馈入窗口贴合；
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述微波发生器包括微波源、环行器、水负载和耦合器。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述微波馈入面设置在所述矩形波导管的宽面或窄面上。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述垂直缝隙宽10mm、长95mm；所述平行缝隙宽10mm，长80mm；所述矩形缝隙中两条平行缝隙的间距为75mm；所述矩形缝隙中垂直缝隙与平行缝隙的间距为3mm。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：相邻两个所述矩形缝隙的间距为90mm。
6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述载物台上设置有加热装置和热电偶。
7.采用权利要求1至6中任一项所述的装置制备硅产品的方法，其特征在于：包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：控制氢气和四氟化硅的流量比为2︰1，选择基片为单晶硅薄膜基片，制备得到的硅产品为单晶硅。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：控制氢气和四氟化硅的流量比小于2︰1，选择基片为非晶硅薄膜基片，制备得到的硅产品为非晶硅。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：控制氢气和四氟化硅的流量比大于2︰1，选择基片为多晶硅薄膜基片，制备得到的硅产品为多晶硅。