氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物半导体膜的制作方法

技术特征：

技术总结
一种氧化物烧结体，含有包含In元素、Zn元素、Sn元素以及Y元素的氧化物，烧结体密度为理论密度的100.00％以上。

技术研发人员：井上一吉;宇都野太;笘井重和;柴田雅敏;丝濑麻美
受保护的技术使用者：出光兴产株式会社
技术研发日：2017.04.26
技术公布日：2018.12.21