技术特征：
技术总结
一种低温烧结抗直流偏置NiCuZn铁氧体及制备方法，属于电子陶瓷技术领域。该铁氧体包括主成分和副成分，所述主成分以各自标准物计的含量为：Fe2O3 47～50mol％，NiO 18～22mol％，ZnO 18～22mol％，CuO 9～13mol％，Co2O3 0.1～0.4mol％，相对所述主成分总量，所述副成分以其标准物计的含量为：BZB：0.3～0.6wt％，Bi2O3：0.03～0.08wt％，CuO：0～0.03wt％。本发明得到的NiCuZn铁氧体在改善材料抗直流偏置特性的同时还保证其具有较高的烧结致密度和饱和磁感应强度。
技术研发人员：贾利军;沈琦杭;邱华;解飞;郑宇航;李元勋;张怀武
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2018.06.05
技术公布日：2018.10.26