技术特征：
技术总结
本发明的氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料及其制备方法，属于半导体材料的技术领域。氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料是以HTHP或CVD方法生长的金刚石单晶为籽晶，在籽晶上生长有N‑S共掺杂的金刚石单晶外延层；氮、硫掺杂浓度为1015～1017/cm3。制备中使用H2S或SO2作为S源，N2或NH3为氮源，通过CVD生长样品，制得N‑S共掺杂金刚石单晶材料，该材料具有n型导电特征。本发明提出了一种新的掺杂方式，得到稳定的浅能级n型金刚石单晶材料，解决了目前n型金刚石材料施主能级深，载流子浓度低、迁移率小、电阻率高等难题，满足电子器件制作要求，实现高性能金刚石基电子器件的制备和应用。
技术研发人员：李红东;万琳丰;王旌丞;成绍恒;王启亮;刘钧松;高楠
受保护的技术使用者：吉林大学
技术研发日：2019.03.12
技术公布日：2019.06.14