1.一种生长fe掺杂单层ws2二维晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：以fe2o3、nacl、wo3、s为原料，在多温区管式炉里面以si/sio2为基底，通过s单质对wo3及fe2o3同时硫化，共同参与成键，使fe取代部分ws2单层二维晶体中w的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到fe掺杂单层ws2二维晶体。
2.根据权利要求1所述的一种生长fe掺杂单层ws2二维晶体的方法，其特征在于：将s单质和wo3、fe2o3、nacl的混合物分别用刚玉舟置于多温区管式炉的上游和下游，进行加热硫化反应。
3.根据权利要求2所述的一种生长fe掺杂单层ws2二维晶体的方法，其特征在于：所述多温区管式炉的上游温度为150-210℃。
4.根据权利要求2所述的一种生长fe掺杂单层ws2二维晶体的方法，其特征在于：所述多温区管式炉的下游温度为900-980℃。
5.根据权利要求2所述的一种生长fe掺杂单层ws2二维晶体的方法，其特征在于：所述多温区管式炉中通入氩气，所述的氩气的流量为20-50sccm。
6.根据权利要求2所述的一种生长fe掺杂单层ws2二维晶体的方法，其特征在于：所述多温区管式炉管内压强为50-200pa。
7.根据权利要求2所述的一种生长fe掺杂单层ws2二维晶体的方法，其特征在于：所述硫化反应的升温时间为30-50min，反应时间为25-50min。
8.根据权利要求2所述的一种生长fe掺杂单层ws2二维晶体的方法，其特征在于：所述方法还包括硫化反应前对所用样品沉积基底si/sio2用丙酮进行超声清洗，后用乙醇清洗，最后用n2吹干。
9.根据权利要求2所述的一种生长fe掺杂单层ws2二维晶体的方法，其特征在于：所述方法还包括在硫化反应之前，进行清洗多温区管式炉及刚玉舟，并将装有反应源的刚玉舟放置于多温区管式炉的上下游。
10.根据权利要求9所述的一种生长fe掺杂单层ws2二维晶体的方法，其特征在于：所述清洗多温区管式炉及刚玉舟的步骤中，使用氩气进行清洗。