一种耐腐蚀的玻璃工艺品用复合材料及其制备方法与流程

文档序号:23019770发布日期:2020-11-20 12:48阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种耐腐蚀的玻璃工艺品用复合材料,其特征在于,所述复合材料由以下重量份的原料组成:石英砂80~90份、氧化铝晶须5~9份、硼砂4~8份、氧化钙8~12份、二氧化锆3~5份、氧化镁7~14份、三氧化二铋1~3份、硫酸钙晶须5~9份、碱式硫酸镁晶须10~14份、二氧化钛1~5份。

2.根据权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述复合材料由以下重量份的原料组成:石英砂80份、氧化铝晶须5份、硼砂4份、氧化钙8份、二氧化锆3份、氧化镁7份、三氧化二铋1份、硫酸钙晶须5份、碱式硫酸镁晶须10份、二氧化钛1份。

3.根据权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述复合材料由以下重量份的原料组成:石英砂90份、氧化铝晶须9份、硼砂8份、氧化钙12份、二氧化锆5份、氧化镁14份、三氧化二铋3份、硫酸钙晶须9份、碱式硫酸镁晶须14份、二氧化钛5份。

4.根据权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述复合材料由以下重量份的原料组成:石英砂85份、氧化铝晶须7份、硼砂6份、氧化钙10份、二氧化锆4份、氧化镁10份、三氧化二铋2份、硫酸钙晶须7份、碱式硫酸镁晶须12份、二氧化钛3份。

5.根据权利要求1~4任一所述的复合材料,其特征在于,所述碱式硫酸镁晶须的平均直径为0.4~0.8μm,平均长度为10~40μm。

6.根据权利要求5所述的复合材料,其特征在于,所述碱式硫酸镁晶须为改性碱式硫酸镁晶须,改性方法为将碱式硫酸镁晶须加入去离子水中,混合均匀后,加入0.4~0.8wt%的乳化剂十二烷基硫酸钠和2~4wt%引发剂过硫酸铵,升温至70~80℃,缓慢滴入3~5wt%甲基丙烯酸甲酯进行乳液甲酯聚合,静置30~40min,抽滤,洗涤,烘干至恒重,即得。

7.一种制备如权利要求1~4任一所述的耐腐蚀的玻璃工艺品用复合材料的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:

(1)将除氧化铝晶须、改性碱式硫酸镁晶须、硫酸钙晶须以外的原料倒入球磨机中进行球磨,将球磨后的物料与氧化铝晶须、改性碱式硫酸镁晶须、硫酸钙晶须一起置于高速混合机中混合均匀,过100-200目筛,得混合料。

(2)将步骤(1)中的混合料送入熔炉,密封后加热,使混合料的温度达到1450~1600℃,保持此温度10~15h,得玻璃液。

(3)将步骤(2)中的玻璃液送入成型机中成型,制备成规格、形状不同的玻璃工艺品粗品;

(4)将步骤(3)中的玻璃工艺品粗品放置到连续式退火炉中在420~480℃条件下退火50-70min,退火完毕,对产品进行抛光处理,抛光处理完毕得到玻璃工艺品成品。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:

(1)将除氧化铝晶须、改性碱式硫酸镁晶须、硫酸钙晶须以外的原料倒入球磨机中进行球磨,将球磨后的物料与氧化铝晶须、改性碱式硫酸镁晶须、硫酸钙晶须一起置于高速混合机中混合均匀,过100-200目筛,得混合料;

(2)将步骤(1)中的混合料送入熔炉,密封后加热,使混合料的温度达到1450℃,保持此温度15h,得玻璃液;

(3)将步骤(2)中的玻璃液送入成型机中成型,制备成规格、形状不同的玻璃工艺品粗品;

(4)将步骤(3)中的玻璃工艺品粗品放置到连续式退火炉中在420℃条件下退火70min,退火完毕,对产品进行抛光处理,抛光处理完毕得到玻璃工艺品成品。

9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:

(1)将除氧化铝晶须、改性碱式硫酸镁晶须、硫酸钙晶须以外的原料倒入球磨机中进行球磨,将球磨后的物料与氧化铝晶须、改性碱式硫酸镁晶须、硫酸钙晶须一起置于高速混合机中混合均匀,过100-200目筛,得混合料;

(2)将步骤(1)中的混合料送入熔炉,密封后加热,使混合料的温度达到1600℃,保持此温度10h,得玻璃液;

(3)将步骤(2)中的玻璃液送入成型机中成型,制备成规格、形状不同的玻璃工艺品粗品;

(4)将步骤(3)中的玻璃工艺品粗品放置到连续式退火炉中在480℃条件下退火50min,退火完毕,对产品进行抛光处理,抛光处理完毕得到玻璃工艺品成品。


技术总结
本发明涉及材料技术领域,尤其涉及一种耐腐蚀的玻璃工艺品用复合材料及其制备方法。所述复合材料由石英砂、氧化铝晶须、硼砂、氧化钙、二氧化锆、氧化镁、三氧化二铋、硫酸钙晶须、碱式硫酸镁晶须、二氧化钛组成。本发明所得的玻璃工艺品强度坚韧,不易因外力冲击而发生碎裂;同时能有效防止强酸、强碱的腐蚀,耐候性能佳,有利于长时间在不同的复杂环境下存放。本发明玻璃工艺品的制备方法简单、操作方便,易于大规模生产,且质量稳定。

技术研发人员:姚学勤
受保护的技术使用者:扬州星汉玻璃工艺品有限公司
技术研发日:2020.08.31
技术公布日:2020.11.20
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