技术特征：
1.一种铜-陶瓷接合体，通过接合铜部件及陶瓷部件而成，所述铜部件由铜或铜合金构成，所述陶瓷部件由含硅陶瓷构成，其特征在于，从所述铜部件与所述陶瓷部件的接合界面起朝向所述铜部件侧10μm至50μm的区域的最大压痕硬度在70mgf/μm2以上且150mgf/μm2以下的范围内。2.根据权利要求1所述的铜-陶瓷接合体，其特征在于，在所述陶瓷部件与所述铜部件的接合界面，在所述陶瓷部件侧形成有活性金属化合物层，所述活性金属化合物层含有选自ti、zr、nb及hf中的一种或两种以上的活性金属的化合物，所述活性金属化合物层中的所述活性金属化合物粒子的最大粒径为180nm以下。3.根据权利要求1或2所述的铜-陶瓷接合体，其特征在于，在所述活性金属化合物层内，存在si、cu及ag。4.一种绝缘电路基板，通过在陶瓷基板的表面接合铜板而成，所述陶瓷基板由含硅陶瓷构成，所述铜板由铜或铜合金构成，其特征在于，从所述铜板与所述陶瓷基板的接合界面起朝向所述铜板侧10μm至50μm的区域的最大压痕硬度在70mgf/μm2以上且150mgf/μm2以下的范围内。5.根据权利要求4所述的绝缘电路基板，其特征在于，在所述铜板与所述陶瓷基板的接合界面，在所述陶瓷基板侧形成有活性金属化合物层，所述活性金属化合物层含有选自ti、zr、nb及hf中的一种或两种以上的活性金属的化合物，所述活性金属化合物层中的所述活性金属化合物粒子的最大粒径为180nm以下。6.根据权利要求4或5所述的绝缘电路基板，其特征在于，在所述活性金属化合物层内，存在si、cu及ag。
技术总结
本发明为通过接合铜部件及陶瓷部件而成的铜-陶瓷接合体，所述铜部件由铜或铜合金构成，所述陶瓷部件由含硅陶瓷构成，其中，从所述铜部件与所述陶瓷部件的接合界面起朝向所述铜部件侧10μm至50μm的区域的最大压痕硬度在70mgf/μm2以上且150mgf/μm2以下的范围内。内。内。
技术研发人员：寺崎伸幸
受保护的技术使用者：三菱综合材料株式会社
技术研发日：2020.12.04
技术公布日：2022/8/2