技术特征：
1.一种单晶石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底、碳源和容器，所述容器上设有至少一个通孔；将所述衬底置于所述容器中，经化学气相沉积反应，将所述碳源至少沉积在所述衬底表面，得到单晶石墨烯薄膜。2.根据权利要求1所述单晶石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述容器包括容器本体及覆盖所述容器本体的顶盖，所述通孔设置在所述容器本体的侧壁。3.根据权利要求2所述单晶石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述容器的材质为石墨或金属。4.根据权利要求1所述单晶石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积反应是在保护性气体和氢气的混合气氛中进行，所述化学气相沉积反应的反应温度为700℃
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1000℃，反应时间为10min
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100min。5.根据权利要求4所述单晶石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积反应中，由室温升至700℃
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1000℃的时间为50min
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60min。6.根据权利要求4所述单晶石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述保护性气体的通入流量为500sccm
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800sccm；和/或所述保护性气体选自氮气、氩气中的至少一种；和/或所述氢气的通入流量为1sccm
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500sccm。7.根据权利要求1
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6任一项所述单晶石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述碳源选自气体碳源、固体碳源、液体碳源中的至少一种。8.根据权利要求7所述单晶石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述碳源的通入流量为0.1sccm
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500sccm。9.根据权利要求1
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6任一项所述单晶石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底的材质为铜、镍或两者的合金。10.根据权利要求1
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6任一项所述单晶石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述单晶石墨烯薄膜的表面洁净度大于等于99％。