技术特征：
1.一种高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，具体如下：s1：将硝酸铋、硝酸钠、硝酸锂、硝酸钛、硝酸钡、硝酸钙加入去离子水中，搅拌混合20
‑
50min后，将乙二醇、活性炭加入，继续搅拌5
‑
10min后，滴加还原剂使体系ph至1
‑
2；s2：将反应液一次升温至80
‑
85℃，保温搅拌至无溶剂，停止搅拌，二次升温至120
‑
130℃，保温1
‑
3h后，氮气保护下球磨1
‑
3h，得到粉体；s3：将粉体与玻璃粉混合均匀得到预混料，将预混料转移至模具中，100
‑
150mpa的压力下点燃，使其发生自蔓延反应得到坯体，坯体自然冷却至室温后取出，升温至1100
‑
1200℃烧结2
‑
3h后降温至700
‑
800℃保温退火1
‑
2h，炉冷至室温即可获得所述电子陶瓷材料，由以下化学结构式表示：xbi
0.5
(na
a
li
0.5
‑
a
)tio3‑
(1
‑
x)(ba
b
ca1‑
b
)tio3其中，x、a、b表示摩尔百分比，x为0.80
‑
0.98，a为0.40
‑
0.45，b为0.80
‑
0.95。2.如权利要求1所述的高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，s1中所述还原剂由柠檬酸、谷氨酸、水组成。3.如权利要求2所述的高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，柠檬酸与谷氨酸的质量比为4
‑
10：1。4.如权利要求1所述的高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，s1中活性炭用量为硝酸铋、硝酸钠、硝酸锂、硝酸钛、硝酸钡、硝酸钙总质量的3
‑
5％。5.如权利要求1所述的高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，s2中一次升温速度为1
‑
2℃/min，二次升温速度为0.1
‑
0.5℃/min。6.如权利要求1所述的高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，s3中所述玻璃粉为cbs玻璃粉或bsb玻璃粉。7.如权利要求1所述的高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，s3中玻璃粉用量为粉体质量的0.5
‑
1％。8.如权利要求1所述的高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，s3中点燃方式为等离子体点燃、激光点燃、微波点燃、电火花点燃中的任意一种。9.如权利要求1所述的高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，s3中升温速度为5
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10℃/min，降温速度为1
‑
2℃/min。10.如权利要求1所述的高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，x为0.94，a为0.45，b为0.90。
技术总结
本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，将硝酸铋、硝酸钠、硝酸锂、硝酸钛、硝酸钡、硝酸钙加水混合，将乙二醇、活性炭加入，滴加还原剂使体系pH至1
技术研发人员：方豪杰 贺亦文 张晓云 张斗 袁晰
受保护的技术使用者：湖南省美程陶瓷科技有限公司
技术研发日：2021.08.09
技术公布日：2021/10/29