技术特征：
1.电子级三氯化硼的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：s-1.将碳化硼投入到密封的反应器内，在温度为120℃至180℃条件下，采用氯气或者氯气与惰性气体的混合气体对反应器进行增压处理，压力控制在3-5mpa；s-2.将反应器温度升至350℃至450℃，碳化硼原料与金属进行反应生成金属氯化物；s-3.将反应器的温度控制在400℃至450℃，除去反应器内的气体，并同时输入氯气；s-4.将反应器的温度升至500℃以上反应生成三氯化硼；s-5.除杂质，收集三氯化硼。2.根据权利要求1所述的电子级三氯化硼的制备方法，其特征在于，所述步骤s-1中的氯气或者氯气与惰性气体的混合气体经过加压后通入反应器内。3.根据权利要求1所述的电子级三氯化硼的制备方法，其特征在于，所述碳化硼伴随着氯气流或者氯气与惰性气体的混合气体流投入到反应器内。4.根据权利要求1所述的电子级三氯化硼的制备方法，其特征在于，步骤s-1中，增压处理时间为0.5小时至1小时。5.根据权利要求1所述的电子级三氯化硼的制备方法，其特征在于，步骤s-4中，将反应器的温度控制在500℃至1000℃。6.根据权利要求5所述的电子级三氯化硼的制备方法，其特征在于，步骤s-4中，以每分钟6-8℃的速度升至目标温度。7.根据权利要求1所述的电子级三氯化硼的制备方法，其特征在于，所述反应器的内壁上涂布有保护涂层，所述保护涂层包括石英、陶瓷和硅藻土，石英的粒径大于陶瓷和硅藻土的粒径。8.根据权利要求7所述的电子级三氯化硼的制备方法，其特征在于，石英的粒径控制在200目到400目，陶瓷和硅藻土的粒径控制在500目至850目。9.根据权利要求7所述的电子级三氯化硼的制备方法，其特征在于，所述保护涂层中，以石英为1重量份计，陶瓷0.3至0.4重量份，硅藻土0.1至0.3重量份。10.采用上述权利要求1-9任一项所述的制备方法所获得的电子级三氯化硼，其特征在于，三氯化硼中氯化铁含量不超过42 ppb，铝的含量不超过8 ppb，硅的含量不超过12 ppb。
技术总结
本发明涉及化工分离技术领域，具体涉及一种电子级三氯化硼的制备方法及其所获得的三氯化硼，在生成目标产物三氯化硼之前，先使金属杂质与氯气生成金属氯化物，由于金属与氯气反应温度通常在350℃至450℃，低于碳化硼与氯气生成三氯化硼的温度。因此在控制温度条件，可以将两种产物分开生成。生成的金属氯化物在400℃至450℃温度下已经气化，随着未反应的氯气排出。去除金属杂质后，再进行碳化硼与氯气的反应，生成目标产物三氯化硼。本发明可以深度去除三氯化硼中的金属氯化物杂质，去除率达到95%以上。结合吸附和精馏，对其它杂质进行有效去除，得到的三氯化硼纯度达到99.999%，满足5N标准。5N标准。
技术研发人员：赵毅 刘颖 赵银凤 吴冬辉 毕聪智
受保护的技术使用者：大连科利德光电子材料有限公司
技术研发日：2021.12.31
技术公布日：2022/3/11