技术特征：
1.一种磷浸入式磷化物合成及生长装置，包括主炉体（1）、主炉体内的坩埚（7）、坩埚（7）外围的加热器和保温层，其特征在于，所述合成及生长装置还包括连接驱动装置的注入合成系统（5），注入合成系统（5）承载红磷（30），在驱动装置的作用下，沉入坩埚（7）；所述注入合成系统（5）包括圆柱形的红磷注入器（5
‑
5），红磷注入器（5
‑
5）周边设置注入孔（5
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10）；所述注入合成系统（5）还包括红磷注入器（5
‑
5）上面的3
‑
5个圆盘形屏蔽层，屏蔽层的直径小于坩埚（7）的内径1
‑
10mm，屏蔽层上设置透过孔（5
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6）；红磷注入器（5
‑
5）和屏蔽层连接在驱动装置上，同时升降。2.根据权利要求1所述的磷浸入式磷化物合成及生长装置，其特征在于，所述各屏蔽层在同一位置开设与炉顶热电偶（22）配合的测温孔。3.根据权利要求1所述的磷浸入式磷化物合成及生长装置，其特征在于，坩埚（7）外围的保温层中，对应屏蔽层的位置设置隔热板。4.根据权利要求1所述的磷浸入式磷化物合成及生长装置，其特征在于，注入孔（5
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10）的直径为5
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10mm，注入孔（5
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10）中心间距大于其直径两倍；透过孔（5
‑
6）直径为5
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10mm，透过孔（5
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6）中心间距大于其直径两倍。5.根据权利要求4所述的磷浸入式磷化物合成及生长装置，其特征在于，在红磷注入器（5
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5）和屏蔽层上设置气泡分割装置。6.根据权利要求5所述的磷浸入式磷化物合成及生长装置，其特征在于，所述气泡分割装置为石英丝网，网格为正方形，正方形边长小于3mm。7.根据权利要求1所述的磷浸入式磷化物合成及生长装置，其特征在于，所述装置用于lec或者vgf进行晶体生长。
技术总结
一种磷浸入式磷化物合成及生长装置，属于半导体材料制备领域，特别是采用磷浸入金属熔体的方式进行半导体磷化物合成及生长的装置。包括主炉体、主炉体内的坩埚、坩埚外围的加热器和保温层，所述合成及生长装置还包括连接驱动装置的注入合成系统，注入合成系统承载红磷，在驱动装置的作用下，沉入坩埚。采用本装置，红磷以固体的形式沉入熔体，气化后从坩埚底部上浮，克服了采用磷泡产生的倒吸等问题，使合成过程更加平稳、迅速。迅速。迅速。
技术研发人员：孙聂枫 王书杰 徐森锋 史艳磊 邵会民 付莉杰 卜爱民 李晓岚 王阳
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十三研究所
技术研发日：2021.07.06
技术公布日：2021/12/22