技术特征：
1.一种陶瓷封装基座，其特征在于，包括以下质量百分比的组分：90～95％al2o3、2～3％sio2、1～3％mno2、0.1～0.5％mgo；所述al2o3包括粒径为0.1um～1um的第一al2o3晶粒、粒径为2.0um～4.0um的第二al2o3晶粒，且所述第一al2o3晶粒与第二al2o3晶粒的质量比为(1～9)：1。2.根据权利要求1所述的陶瓷封装基座，其特征在于，所述第一al2o3晶粒的平均粒径为0.4um～0.8um，所述第二al2o3晶粒的平均粒径为2.5um～3.5um。3.根据权利要求1所述的陶瓷封装基座，其特征在于，所述第一al2o3晶粒与第二al2o3晶粒的平均粒径比为(0.18～0.28)：1。4.根据权利要求1所述的陶瓷封装基座，其特征在于，还包括质量百分比为0.2～2％的稀土氧化物，所述稀土氧化物包括la2o3、y2o3、sc2o3、ceo2中的至少一种。5.根据权利要求4所述的陶瓷封装基座，其特征在于，所述稀土氧化物包括la2o3、y2o3，所述la2o3、y2o3的质量比为(0.1～1)：(0.1～1)。6.根据权利要求1所述的陶瓷封装基座，其特征在于，还包括以下质量百分比的组分：0.2～0.5％mo、0.3～1％tio2。7.权利要求1～6任一所述的陶瓷封装基座的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将各组分原料混合，得到无机组分；(2)将无机组分与有机组分混合均匀，得到陶瓷浆料；(3)将陶瓷浆料流延成型得到陶瓷生坯；(4)将陶瓷生坯加工成所需结构，并印刷导电层；(5)层叠多个陶瓷生坯，形成陶瓷封装基座生坯，排胶，烧结，得到陶瓷封装基座半成品；(6)在陶瓷封装基座半成品的导电层上形成金属镀层，得到陶瓷封装基座。8.根据权利要求7所述的陶瓷封装基座的制备方法，其特征在于，所述无机组分与有机组分的质量比为(1～4)：1；所述有机组分包括以下质量百分比的组分：50～75％溶剂、12～30％树脂、0.5～7％分散剂、3～13％增塑剂。9.根据权利要求8所述的陶瓷封装基座的制备方法，其特征在于，如下(a)～(d)中至少一项：(a)所述溶剂包括甲苯、二甲苯、丁酮、异丙醇、乙醇中的至少一种；(b)所述树脂包括聚乙烯醇缩丁醛酯、丙烯酸树脂中的至少一种；(c)所述分散剂包括硬脂酸、鱼油、丙烯酸酯中的至少一种；(d)所述增塑剂包括蓖麻油、聚乙二醇、邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸二辛酯中的至少一种。10.根据权利要求7所述的陶瓷封装基座的制备方法，其特征在于，所述排胶温度为400℃-500℃，排胶时间为1.5h-3.5h；烧结温度为1300℃-1400℃，烧结时间为1h-5h。
技术总结
本发明公开了一种陶瓷封装基座及其制备方法，属于电子元器件用材料技术领域，所述的陶瓷封装基座，包括以下质量百分比的组分：90～95％Al2O3、2～3％SiO2、1～3％MnO2、0.1～0.5％MgO；所述Al2O3包括粒径为0.1um～1um的第一Al2O3晶粒、粒径为2.0um～4.0um的第二Al2O3晶粒，且所述第一Al2O3晶粒与第二Al2O3晶粒的质量比为(1～9)：1。通过以粒径为0.1um～1um的第一Al2O3晶粒、粒径为2.0um～4.0um的第二Al2O3晶粒，能够有效的增加陶瓷中晶界的数量，有效阻碍微裂纹扩展，从而有效的提高陶瓷封装基座的致密度。封装基座的致密度。
技术研发人员：孙健 李钢
受保护的技术使用者：德阳三环科技有限公司
技术研发日：2022.09.29
技术公布日：2022/12/6