半导体晶棒生长管装置的制作方法

文档序号:32815026发布日期:2023-01-04 03:11阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种半导体晶棒生长管设备,包括
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生长管,为空心圆柱体形状,其中一端为封闭的锥部,另一端敞口;
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所述生长管的盖,用于封闭所述生长管的敞口;
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在所述生长管外周设置的加热、保温构件;
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在所述加热、保温构件外围设置的撤热夹套;其特征在于,
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在所述撤热夹套顶端部位置上方附近,设置一个排气装置,用于从所述撤热夹套内排出气体。2.根据权利要求1所述的半导体晶棒生长管设备,其特征在于,所述生长管中心轴线延长线和所述排气装置的中心轴线重合。3.根据权利要求1或2所述的半导体晶棒生长管设备,其特征在于,在所述撤热夹套顶端部位置和排气装置之间,还设置有上短下长的梯形横截面的气体出口导引部分。4.根据权利要求1-3之一所述的半导体晶棒生长管设备,其特征在于,所述撤热夹套在对应于所述加热、保温构件底部位置的宽度d1,与在对应于所述加热、保温构件顶部位置的宽度d2之间,满足下列关系:1.05≦d2/d1≦1.2。5.根据权利要求4所述的半导体晶棒生长管设备,其特征在于,1.1≦d2/d1≦1.15。6.根据权利要求4所述的半导体晶棒生长管设备,其特征在于,沿生长管轴向,所述撤热夹套的宽度,由在对应于所述加热、保温构件底部位置的宽度d1,连续、均匀地提高至与在对应于所述加热、保温构件顶部位置的宽度d2。7.根据权利要求1-6之一所述的半导体晶棒生长管设备,其特征在于,在底部有一个气体过滤装置,连接至所述半导体晶棒生长管设备底部的送风口。8.根据权利要求7所述的半导体晶棒生长管设备,其特征在于,所述送风口的中心轴线与所述半导体晶棒生长管设备中心轴线重合。9.根据权利要求1-8之一所述的半导体晶棒生长管设备,其特征在于,所述撤热夹套的送风口不设动力进气装置,而是采用自然吸入气体的方式。10.根据权利要求1-9之一所述的半导体晶棒生长管设备,其特征在于,所述排气装置的出口连接至一个换热装置。11.根据权利要求1-9之一所述的半导体晶棒生长管设备,其特征在于,在所述加热、保温构件的外侧,其表面有突起。12.根据权利要求11所述的半导体晶棒生长管设备,其特征在于,所述加热、保温构件外侧表面的突起高度与撤热夹套的宽度相同,即这些突起横跨撤热夹套的宽度方向。13.根据权利要求11或12所述的半导体晶棒生长管设备,其特征在于,所述加热、保温构件外侧表面的突起整体沿螺旋形上升的方式分布。14.根据权利要求11或12所述的半导体晶棒生长管设备,其特征在于,所述撤热夹套为沿螺旋形上升的流动通道形态。15.根据权利要求1或2所述的半导体晶棒生长管设备,其特征在于,还包括坩埚,为空心圆柱体形状,其中一端为锥部,用于放置籽晶,另一端敞口;坩埚用于盛载半导体晶棒的原料,置于所述生长管内,其外形与所述生长管匹配。

技术总结
本发明提供一种半导体晶棒生长管设备,包括石英生长管,为空心圆柱体形状,其中一端为封闭的锥部,另一端敞口或者封闭;石英生长管的盖,用于封闭所述石英生长管的敞口;在所述石英生长管外周设置的加热、保温构件;在所述加热、保温构件外围设置的撤热夹套;其特征在于,在所述撤热夹套顶端部位置上方附近,设置一个排气装置,用于从所述撤热夹套内排出气体。本发明的半导体晶棒生长管设备可以避免采用水作为撤热夹套的冷却介质,而可以采用气体作为冷却介质;同时,由于采用特定安排的排气装置,可以尽快实现石英生长管设备无明显噪音、稳定的运行。稳定的运行。稳定的运行。


技术研发人员:莫里斯
受保护的技术使用者:北京通美晶体技术股份有限公司
技术研发日:2022.11.09
技术公布日:2023/1/3
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